IC控制氮化镓MOS的堆叠结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，框架本体具有基岛和若干第一引脚，基岛的上表面设有GaN MOS芯片，GaN MOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，第一重布线的一端通过金属线与对应的第一引脚电性连接，GaN MOS芯片的上方倒装堆叠有IC芯片，IC芯片的下表面电性连接有若干第一凸柱，第一凸柱的下端与对应的第一重布线的另一端电性连接，GaN MOS芯片上还设有G极，IC芯片的下表面电性连接有第二凸柱，第二凸柱的下端与G极电性连接，实现IC芯片和GaN MOS芯片堆叠合封到一个塑封体中，减小半导体器件体积和内阻，只需单次合封成型，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
IC控制氮化镓MOS的堆叠结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体涉及一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构。

技术介绍

[0002]半导体器件封装是集成电路领域芯片设计、芯片制造和芯片封装三大支柱产业之一。
[0003]在一些半导体器件中包含有多种芯片，如IC芯片和GaN MOS芯片，IC芯片控制GaN MOS芯片工作，常规技术中，由于IC芯片与GaN MOS芯片均采用独立的封装结构，IC芯片和GaN MOS芯片分别封装后再通过电路板来实现电性连接，导致半导体器件体积大、内阻大，需要进行多次封装，生产成本高。

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术存在之缺失，提供一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构,其能实现IC芯片和GaN MOS芯片堆叠合封到一个塑封体中，从而减小半导体器件的体积和内阻，只需单次合封成型，降低生产成本。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：
[0006]一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，所述框架本体具有基岛和若干第一引脚，所述基岛的上表面设有GaN MOS芯片，所述GaN MOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，所述第一重布线的一端通过金属线与对应的第一引脚电性连接，所述GaN MOS芯片的上方倒装堆叠有IC芯片，所述IC芯片的下表面电性连接有若干第一凸柱，所述第一凸柱的下端与对应的第一重布线的另一端电性连接；通过在GaN MOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，第一重布线的一端通过金属线与框架本体上对应的第一引脚电性连接，将IC芯片倒装堆叠在GaN MOS芯片的上方，并且IC芯片的下表面设置若干第一凸柱，IC芯片通过第一凸柱与第一重布线的另一端电性连接，实现IC芯片和GaN MOS芯片堆叠合封到一个塑封体中，从而减小半导体器件的体积和内阻，只需单次合封成型，降低生产成本；同时合封后的半导体器件具有更小的寄生电感，可有效减少震荡，可追求更高的开关频率，应用在GaN MOSFET开关中性能更佳。
[0007]作为一种优选方案，若干所述第一重布线包括左侧重布线、右侧重布线和后侧重布线，所述左侧重布线与金属线连接的一端位于IC芯片的左侧，所述右侧重布线和后侧重布线与金属线连接的一端均位于IC芯片的右侧。
[0008]作为一种优选方案，若干所述第一引脚包括左侧引脚、右侧引脚和后侧引脚，所述左侧引脚和右侧引脚均设于框架本体的前端，所述后侧引脚设于框架本体的后端，所述左侧重布线的一端通过金属线与左侧引脚电性连接，所述右侧重布线的一端通过金属线与右侧引脚电性连接，所述后侧重布线的一端通过金属线与后侧引脚电性连接。
[0009]作为一种优选方案，所述左侧引脚和后侧引脚相对设置。
[0010]作为一种优选方案，所述右侧重布线的长度大于后重布线的长度。
[0011]作为一种优选方案，所述GaNMOS芯片上还设有相互电气隔离的第二重布线和第三重布线，所述框架本体的前侧还设有第二引脚，所述框架本体的后侧还设有第三引脚，所述第二引脚通过金属线与第二重布线电性连接，所述第三引脚通过金属线与第三重布线电性连接。
[0012]作为一种优选方案，所述IC芯片位于GaNMOS芯片左端的上方，所述第二重布线和第三重布线设于GaNMOS芯片的右端。
[0013]作为一种优选方案，所述第一重布线凸出于GaNMOS芯片的上表面。
[0014]作为一种优选方案，所述第一凸柱的中心轴线沿上下方向延伸，所述第一重布线的另一端位于对应的第一凸柱的正下方。
[0015]作为一种优选方案，所述GaNMOS芯片上还设有G极，所述IC芯片的下表面电性连接有第二凸柱，所述第二凸柱的下端与G极电性连接。
[0016]本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，通过在GaNMOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，第一重布线的一端通过金属线与框架本体上对应的第一引脚电性连接，将IC芯片倒装堆叠在GaNMOS芯片的上方，并且IC芯片的下表面设置若干第一凸柱，IC芯片通过第一凸柱与第一重布线的另一端电性连接，实现IC芯片和GaNMOS芯片堆叠合封到一个塑封体中，从而减小半导体器件的体积和内阻，只需单次合封成型，降低生产成本；同时合封后的半导体器件具有更小的寄生电感，可有效减少震荡，可追求更高的开关频率，应用在GaNMOSFET开关中性能更佳。
[0017]为更清楚地阐述本技术的结构特征、技术手段及其所达到的具体目的和功能，下面结合附图与具体实施例来对本技术作进一步详细说明：
附图说明
[0018]图1是本技术之实施例的封装结构示意图；
[0019]图2是本技术之实施例的封装结构俯视示意图；
[0020]图3是图2中A
‑
A处截面示意图；
[0021]图4是图2中B
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B处截面示意图；
[0022]图5是图2中C
‑
C处截面示意图。
[0023]附图标识说明：
[0024]10
‑
框架本体11
‑
基岛12
‑
第一引脚
[0025]121
‑
左侧引脚122
‑
右侧引脚123
‑
后侧引脚
[0026]13
‑
第二引脚14
‑
第三引脚15
‑
金属线
[0027]16
‑
塑封体17
‑
粘合剂20
‑
GaNMOS芯片
[0028]21
‑
第一重布线211
‑
左侧重布线212
‑
右侧重布线
[0029]213
‑
后侧重布线22
‑
第二重布线23
‑
第三重布线
[0030]24
‑
G极30
‑
IC芯片31
‑
第一凸柱
[0031]32
‑
第二凸柱
具体实施方式
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖
直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0033]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，包括框架本体和包覆在框架本体上的塑封体，所述框架本体具有基岛和若干第一引脚，其特征在于：所述基岛的上表面设有GaN MOS芯片，所述GaN MOS芯片上设有若干相互电气隔离的第一重布线，所述第一重布线的一端通过金属线与对应的第一引脚电性连接；所述GaN MOS芯片的上方倒装堆叠有IC芯片，所述IC芯片的下表面电性连接有若干第一凸柱，所述第一凸柱的下端与对应的第一重布线的另一端电性连接。2.根据权利要求1所述的IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，其特征在于，若干所述第一重布线包括左侧重布线、右侧重布线和后侧重布线，所述左侧重布线与金属线连接的一端位于IC芯片的左侧，所述右侧重布线和后侧重布线与金属线连接的一端均位于IC芯片的右侧。3.根据权利要求2所述的IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，其特征在于，若干所述第一引脚包括左侧引脚、右侧引脚和后侧引脚，所述左侧引脚和右侧引脚均设于框架本体的前端，所述后侧引脚设于框架本体的后端，所述左侧重布线的一端通过金属线与左侧引脚电性连接，所述右侧重布线的一端通过金属线与右侧引脚电性连接，所述后侧重布线的一端通过金属线与后侧引脚电性连接。4.根据权利要求3所述的IC控制氮化镓MOS的堆叠结构，其特征在于，所述左侧引脚和后侧引脚相对设置。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨振，蔡择贤，陈勇，曹周，张怡，曾文杰，桑林波，王仁怀，孙少林，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：新型
国别省市：