一种制造技术

本申请涉及一种

【技术实现步骤摘要】
一种IC芯片驱动多颗MOS芯片的合封IPM封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种
IC
芯片驱动多颗
MOS
芯片的合封
IPM
封装结构
。

技术介绍

[0002]智能功率模块
(IntelligentPowerModule
，
IPM)
，是将绝缘栅双极型晶体管芯片及其驱动电路集成于一体的新型控制模块，具有低成本
、
小型化
、
高可靠
、
易使用等优点，广泛应用于变频家电
、
逆变电源
、
工业控制等领域
。
现有技术中
IPM
封装结构包括
IC
芯片和多个
MOS
芯片，
IC
芯片位于封装结构的一角，多个
MOS
芯片围绕
IC
芯片布置，
MOS
芯片通过金属线与
IC
芯片直接电连接，由于
MOS
芯片数量较多，在排布时有的离得远，有的离得近，金属线的走线比较散乱，长的金属线的弧度控制比较困难，金属线之间容易相互影响，有待改进
。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种
IC
芯片驱动多颗
MOS
芯片的合封
IPM
封装结构，以解决金属线走线散乱，金属线之间容易相互影响的技术问题
。
[0004]本技术是这样实现的：一种
IC
芯片驱动多颗
MOS
芯片的合封
IPM
封装结构，包括
IC
芯片
、
多颗第一
MOS
芯片
、
多颗第二
MOS
芯片
、
第一基岛
、
第二基岛
、
多个第三基岛和多个引脚，所述
IC
芯片设置在第一基岛上，所述多颗第一
MOS
芯片共同设置在第二基岛上，所述多颗第二
MOS
芯片分别独立地设置在多个第三基岛上，所述第一
MOS
芯片的栅极通过金属线直接与
IC
芯片电连接，所述第二
MOS
芯片的栅极通过金属线直接与
IC
芯片电连接，所述第二
MOS
芯片的源极通过金属线直接与引脚电连接，所述合封
IPM
封装结构还包括多个过桥跳线，所述多个第一
MOS
芯片的源极通过金属线先与过桥跳线电连接，过桥跳线再通过金属线与
IC
芯片电连接
。
[0005]其中，所述第一
MOS
芯片的源极通过多根金属线与过桥跳线电连接
。
[0006]其中，所述过桥跳线通过多根金属线与
IC
芯片电连接
。
[0007]其中，所述第一
MOS
芯片
、
第二
MOS
芯片和过桥跳线的数量均为三个，三个第一
MOS
芯片并排布置，三个第二
MOS
芯片也并排布置
。
[0008]其中，所述多个过桥跳线分别与多个第三基岛一体连接，过桥跳线的另一端向外引出形成引脚，所述过桥跳线位于
IC
芯片和第一
MOS
芯片之间
。
[0009]其中，所述第三基岛的外侧还设有多个独立的引脚，多个独立的引脚分别通过金属线与第二
MOS
芯片的源极电连接
。
[0010]本技术的有益效果为：所述合封
IPM
封装结构通过增设多个过桥跳线，多个第一
MOS
芯片的源极通过金属线先与过桥跳线电连接，过桥跳线再通过金属线与
IC
芯片电连接，这样距离
IC
芯片较远的第一
MOS
芯片对应的单条金属线的长度大幅缩短，金属线的形状更容易控制，金属线的布局设计也更容易，不易散乱，金属线之间不容易相互影响
。
附图说明
[0011]图1是本技术所述合封
IPM
封装结构的俯视图；
[0012]图2是本技术所述
IC
芯片
、
第一
MOS
芯片和第二
MOS
芯片的布局示意图；
[0013]图3是本技术所述第一基岛
、
第二基岛
、
第三基岛
、
引脚和过桥跳线布局示意图
。
[0014]其中，
1、IC
芯片；
2、
第一
MOS
芯片；
3、
第二
MOS
芯片；
4、
第一基岛；
5、
第二基岛；
6、
第三基岛；
7、
引脚；
8、
金属线；
9、
过桥跳线
。
具体实施方式
[0015]为了使本技术的目的
、
技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明
。
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术
。
[0016]作为本技术所述
IC
芯片驱动多颗
MOS
芯片的合封
IPM
封装结构的实施例，如图1至图3所示，包括
IC
芯片
1、
多颗第一
MOS
芯片
2、
多颗第二
MOS
芯片
3、
第一基岛
4、
第二基岛
5、
多个第三基岛6和多个引脚7，所述
IC
芯片1设置在第一基岛4上，所述多颗第一
MOS
芯片2共同设置在第二基岛5上，所述多颗第二
MOS
芯片3分别独立地设置在多个第三基岛6上，所述第一
MOS
芯片2的栅极通过金属线8直接与
IC
芯片1电连接，所述第二
MOS
芯片3的栅极通过金属线8直接与
IC
芯片1电连接，所述第二
MOS
芯片3的源极通过金属线8直接与引脚7电连接，所述合封
IPM
封装结构还包括多个过桥跳线9，所述多个第一
MOS
芯片2的源极通过金属线8先与过桥跳线9电连接，过桥跳线9再通过金属线8与
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
IC
芯片驱动多颗
MOS
芯片的合封
IPM
封装结构，包括
IC
芯片
、
多颗第一
MOS
芯片
、
多颗第二
MOS
芯片
、
第一基岛
、
第二基岛
、
多个第三基岛和多个引脚，所述
IC
芯片设置在第一基岛上，所述多颗第一
MOS
芯片共同设置在第二基岛上，所述多颗第二
MOS
芯片分别独立地设置在多个第三基岛上，所述第一
MOS
芯片的栅极通过金属线直接与
IC
芯片电连接，所述第二
MOS
芯片的栅极通过金属线直接与
IC
芯片电连接，所述第二
MOS
芯片的源极通过金属线直接与引脚电连接，其特征在于，还包括多个过桥跳线，所述多个第一
MOS
芯片的源极通过金属线先与过桥跳线电连接，过桥跳线再通过金属线与
IC
芯片电连接
。2.
根据权利要求1所述的
IC
芯片驱动多颗
MOS
芯片的合封
IPM
封装结构，其特征在于，所述第一
MOS
芯片的源极通过多根金属线与过桥跳线电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡择贤，曹周，陈勇，饶锡林，孙少林，张怡，雷楚宜，曾文杰，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：新型
国别省市：