一种MEMS产品的切割方法技术

本发明专利技术提供了一种MEMS产品的切割方法，其包括：画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，在所述贴膜步骤中，采用UV膜贴附在PCB背面，在所述切割步骤中，采用金属刀进行切割，将所述PCB板切割为多个MEMS产品。采用本发明专利技术的MEMS产品切割方法，可以减少在切割工序产生的残胶及碎屑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mems制造领域，尤其涉及一种mems产品的切割方法。

技术介绍

1、传统的半导体封装，包括有框架类封装(sop/dfn/qfn/tssop/lqfp等)，fc封装等，不同于传统封装系列，mems封装都是在pcb板上完成的。可参考的工艺比较少，始终存在碎屑和残胶的问题。

2、mems产品通常分类为前进音、背进音、侧进音三种类别，其中背进音产品切割工序备料一直采用高温膜+蓝膜的传统作业方式，其工艺流程如图1所示，具体包括：

3、画不良：依据封装前段工序aoi全检不良标识单完成切割备料前的画不良，减少测试报警频次；

4、贴高温膜：标记不良品后，用高温膜在pcb背面完成贴膜，防止水切过程产品背音孔脏污，影响感度，造成报废；

5、贴蓝膜：将贴高温膜的pcb板，贴在蓝膜上，完成贴割前准备；

6、切割：将待切割产品放置在切割平台(已完成磨刀动作)，调整切割参数，完成切割；

7、剔除不良：切割完毕后，用蓝膜完成倒膜并剔除不良品(用镊子拾取不良品，单独放置管控)；p>

8、清洁：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS产品的切割方法，其特征在于，包括依序进行的画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，

2.如权利要求1所述的MEMS产品切割方法，其特征在于，所述UV膜的型号采用E288H。

3.如权利要求1所述的MEMS产品切割方法，其特征在于，所述UV膜的基材厚度为145um，胶层厚度为15um。

4.如权利要求1所述的MEMS产品切割方法，其特征在于，所述金属刀采用颗粒度大于或等于1000的金属刀。

5.如权利要求1所述的MEMS产品切割方法，其特征在于，在所述画不良步骤中，根据封装前段工序中的检查结果在待切割的PCB板上标记出不...

【技术特征摘要】

1.一种mems产品的切割方法，其特征在于，包括依序进行的画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，

2.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，所述uv膜的型号采用e288h。

3.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，所述uv膜的基材厚度为145um，胶层厚度为15um。

4.如权利要求1所述的mems产品切割方法，其特征在于，所述金属刀采用颗粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈盛荣，张芳琼，李凤珍，王金刚，刘欣，苏汉有，张怡，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：发明
国别省市：