【技术实现步骤摘要】
一种针对SOT89产品的高耐压封装
[0001]本技术涉及芯片封装
，具体涉及一种针对SOT89产品的高耐压封装。
技术介绍
[0002]安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁
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芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。
[0003]现有技术中部分SOT89封装的产品(如改善前示意图)因板间等原因限制必须设计中间脚为输入驱动脚，驱动芯片工作需要高压，芯片仅用几～几十um的绝缘结合材进行电性能隔离，当绝缘结合材分布不均匀，结合材内部出现空洞、掺有外来杂质等原因会出现高压击穿结合材，导致芯片烧坏的现象。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种针对SOT89产品的高耐压封装，以解决现有技术中的上述不足之处。
[0005]本技术提供如下技术方案：一种针对SOT89产品的高耐压封装，包括框架结构和芯片，芯片通过结合材结合在框架结构上，芯片外设置有树脂封装结构，框架结构上位于芯片与其IN端引脚之间设置有隔断区间，树脂封装结构填充至隔断区间内。
[0006]优选的，结合材为导热材料结构，使芯片与框架结构的基岛粘黏，提高产品导热性能。
[0007]优选的，框架结构背离芯片的一侧设置有LF镀层。
[0008]在上述技术方案中，本技术提供的技术效果和优点：>[0009]本技术通过将产品的IN端引脚的铜材与芯片之间设置隔断区间进行隔断，封装后树脂封装结构在此处形成实体结构，增加强度，实现高耐压的封装产品，隔断区间的隔断距离可按需求设计为几十um
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上千um，同时由于芯片与IN端引脚隔断，原使用绝缘结合材的芯片可采用导电结合材进行与基岛粘黏，提高产品导热性能。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0011]图1为本技术封装结构的剖视图。
[0012]图2为本技术的结构示意图。
[0013]图3为本技术图1的A部结构放大图。
[0014]图4为本技术的POD示意图。
[0015]图5为现有产品的封装结构的剖视图。
[0016]图6为现有产品的结构示意图。
[0017]图7为现有产品的POD示意图。
[0018]附图标记说明：
[0019]1、框架结构；2、芯片；3、树脂封装结构；4、结合材；5、隔断区间；6、LF镀层。
具体实施方式
[0020]本技术提供了如图1
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4所示的一种针对SOT89产品的高耐压封装，包括框架结构1和芯片2，芯片2通过结合材4结合在框架结构1上，芯片2外设置有树脂封装结构3，框架结构1上位于芯片2与其IN端引脚之间设置有隔断区间5，树脂封装结构3填充至隔断区间5内。
[0021]进一步的，在上述技术方案中，结合材4为导热材料结构，传统的产品中结合材4多选用绝缘结合材，而经过本技术的改进，由于芯片2与IN端引脚隔断，原使用绝缘结合材的现可采用导电结合材进行与基岛粘黏，提高产品导热性能。
[0022]进一步的，在上述技术方案中，框架结构1背离芯片2的一侧设置有LF镀层6。
[0023]工作原理：如附图1至4，将产品的IN端引脚的铜材与芯片2之间设置隔断区间5进行隔断，(隔断不仅限于图示意方式及材料，任何实现电性能隔离的平面、三维结构都应归专利保护范围内)，芯片2位于隔断区间5一侧，芯片IN端引脚输入连接在隔断区间5另一侧，封装后树脂封装结构3在此处形成实体结构，增加强度，实现高耐压的SOT89封装产品，隔断区间5的隔断距离可按需求设计为几十um
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上千um，同时由于芯片与IN端引脚隔断，原使用绝缘结合材的芯片可采用导电结合材进行与基岛粘黏，提高产品导热性能。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种针对SOT89产品的高耐压封装，包括框架结构(1)和芯片(2)，所述芯片(2)通过结合材(4)结合在框架结构(1)上，所述芯片(2)外设置有树脂封装结构(3)，其特征在于：所述框架结构(1)上位于芯片(2)与其IN端引脚之间设置有隔断区间(5)，所述树脂封装结构(3...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，蔡择贤，陈勇，饶锡林，孙少林，张怡，桑林波，王仁怀，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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