引线框架及功率模块的封装结构制造技术

本申请公开了一种引线框架及功率模块的封装结构，该封装结构包括：基板；

【技术实现步骤摘要】
引线框架及功率模块的封装结构


[0001]本技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种引线框架及功率模块的封装结构
。

技术介绍

[0002]在消费工规类电子产品中，充电器
、
液晶电视
、
医疗电子等设备都需要用到功率模块，比如大电流逆变器
。
功率模块的封装结构具备两个主要特点，一个是可以提供较大电流，具备较小的导通电阻；另一个是封装结构安装的适配性
。
因此，功率模块的封装结构如何降低导通电阻是非常重要的，封装结构的形式设计决定了功率模块的安装适配性
。
[0003]常规的功率模块的封装方案中，往往采用铜片
(CLIP)
的封装方案来代替传统的打线，铜片的大接触面积可以使得封装结构具备较大的电流和较小的导通电阻
。
但对于铜片，往往需要针对芯片的焊盘布局设计与之对应的结构
。
此外，考虑到功率模块的安装适配度，不同的条件会需要单独设计对应的引线框架，从而导致最终产品及引线框架的类型繁多
。
[0004]因此，功率模块需要设计一种引线框架以及对应的封装结构，既能满足大功率芯片的封装，又能使布局更加合理灵活，可满足多种不同需求
。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种引线框架及功率模块的封装结构，既能满足大功率芯片的封装，又能使布局更加合理灵活，可满足多种不同需求
。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供一种功率模块的封装结构，包括：基板；快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管，位于所述基板上；引线框架，所述引线框架包括第一连接片和第二连接片，所述引线框架与所述快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管电连接；塑封体，包覆所述基板
、
所述快恢复二极管
、
所述绝缘栅双极型晶体管和至少部分所述引线框架；其中，所述引线框架的第一连接片的至少部分和第二连接片的至少部分分别从所述塑封体中伸出形成第一类引脚和第二类引脚，所述第一连接片的焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过所述第一焊接区与所述第一连接片相连以及所述快恢复二极管的阳极通过所述第二焊接区与所述第一连接片相连并通过所述第一类引脚引出，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极
、
所述快恢复二极管的阴极与所述基板电连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述第二连接片通过键合线相连并通过所述第二类引脚引出
。
[0007]可选地，所述基板的背面设置有焊盘，所述基板背面的焊盘从所述塑封体中露出以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极
。
[0008]可选地，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从所述塑封体中伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与所述基板电连接以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极
。
[0009]可选地，所述基板的至少一面设置有导电层，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极
、
所述快恢复二极管的阴极与所述导电层电连接
。
[0010]可选地，所述塑封体的宽度为
15mm
～
20mm
，所述塑封体的长度为
22mm
～
28mm。
[0011]可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述塑封体的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚
。
[0012]可选地，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为
2mm
～
3mm。
[0013]可选地，所述第一连接片和所述第二连接片为金
、
银
、
铜
、
铁
、
铝
、
锌
、
镍连接片中的一种
。
[0014]可选地，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形
、
椭圆形和多边形中的至少一种
。
[0015]可选地，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起
。
[0016]可选地，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度
。
[0017]可选地，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚
。
[0018]可选地，所述第二类引脚为信号引脚
。
[0019]可选地，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为
2.0mm
～
2.6mm
；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为
1.0mm
～
1.4mm
；所述第二类引脚的宽度为
1.0mm
～
1.4mm。
[0020]可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体的长度相同，所述第一类引脚和所述第二类引脚伸出所述塑封体
15mm
～
25mm。
[0021]可选地，所述第一连接片的第一类引脚与邻近的所述第三连接片的第一类引脚之间的中心距离为
7mm
～
9mm。
[0022]根据本专利技术的另一方面，提供一种引线框架，包括：第一连接片，所述第一连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第一类引脚；第二连接片，所述第二连接片的至少部分从待封装区域伸出形成第二类引脚；其中，所述第一连接片还包括焊接区，所述焊接区位于所述待封装区域内，所述第一连接片通过所述焊接区与芯片的焊盘相连，所述第二连接片在所述待封装区域内通过键合线与芯片的焊盘相连
。
[0023]可选地，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述待封装区域的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚
。
[0024]可选地，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从待封装区域伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与基板相连
。
[0025]可选地，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为
2mm
～
3mm。
[0026]可选地，所述第一连接片和所述第二连接片为金
、
银
、
铜
、
铁
、
铝
、
锌
、
镍连接片中的一种
。
[0027]可选地，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形
、
椭圆形和多边形中的至少一种
。
[0028]可选地，所述焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起，所述第一连接片在所述第一焊接区和所述第二焊接区分别与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种功率模块的封装结构，其特征在于，包括：基板；快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管，位于所述基板上；引线框架，所述引线框架包括第一连接片和第二连接片，所述引线框架与所述快恢复二极管和绝缘栅双极型晶体管电连接；塑封体，包覆所述基板
、
所述快恢复二极管
、
所述绝缘栅双极型晶体管和至少部分所述引线框架；其中，所述引线框架的第一连接片的至少部分和第二连接片的至少部分分别从所述塑封体中伸出形成第一类引脚和第二类引脚，所述第一连接片的焊接区包括第一焊接区和第二焊接区，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过所述第一焊接区与所述第一连接片相连以及所述快恢复二极管的阳极通过所述第二焊接区与所述第一连接片相连并通过所述第一类引脚引出，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极
、
所述快恢复二极管的阴极与所述基板电连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述第二连接片通过键合线相连并通过所述第二类引脚引出
。2.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述基板的背面设置有焊盘，所述基板背面的焊盘从所述塑封体中露出以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极
。3.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，还包括第三连接片，所述第三连接片的至少部分从所述塑封体中伸出也形成第一类引脚，所述第三连接片与所述基板电连接以引出所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和所述快恢复二极管的阴极
。4.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述基板的至少一面设置有导电层，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极
、
所述快恢复二极管的阴极与所述导电层电连接
。5.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述塑封体的宽度为
15mm
～
20mm
，所述塑封体的长度为
22mm
～
28mm。6.
根据权利要求1或3所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一类引脚和所述第二类引脚位于所述塑封体的同一侧且平行设置，所述第一类引脚和所述第二类引脚为单列直插式引脚
。7.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第二类引脚与相邻的所述第一类引脚之间的间距为
2mm
～
3mm。8.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片和所述第二连接片为金
、
银
、
铜
、
铁
、
铝
、
锌
、
镍连接片中的一种
。9.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片在所述焊接区设置有镂空，所述镂空的形状包括圆形
、
椭圆形和多边形中的至少一种
。10.
根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一焊接区与所述第二焊接区之间设置有凸起
。11.
根据权利要求3所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚和一个信号引脚，所述功率引脚和所述信号引脚电连接，所述功率引脚的宽度大于所述信号引脚的宽度
。
12.
根据权利要求
11
所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第三连接片的第一类引脚包括至少一个功率引脚
。13.
根据权利要求
11
所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第二类引脚为信号引脚
。14.
根据权利要求
11
～
13
任一项所述的功率模块的封装结构，其特征在于，所述第一类引脚的功率引脚的宽度为
2.0mm
～
2.6mm
；所述第一类引脚的信号引脚的宽度为
1.0mm
～
1.4mm
；所述第二类引脚的宽度为
1.0m...

【专利技术属性】
技术研发人员：何婷玉，刘静，万海攀，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：