半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置及其制造方法，抑制具有可与外部导体连接的主端子和与电路板接合的连接端子的端子构件中的连接端子的发热

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置具有设有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等半导体元件的基板，被利用于逆变器装置等(例如，参照专利文献1～3)。
[0003]在这种半导体装置中，提案有一种半导体装置，该半导体装置具有：接合体，其将与配置有半导体元件的绝缘基板电连接的端子利用接合层与绝缘基板的电路图案接合；以及支承体，其保持接合体与电路图案之间的距离，以使接合层介于接合体与电路图案之间(例如，参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2021/100199号
[0007]专利文献2：日本特开20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具备：半导体元件；绝缘基板，其具有与所述半导体元件电连接的电路板；以及端子构件，其具有能够与外部导体连接的主端子和与所述电路板接合的连接端子，所述连接端子具有：前端部分，其与所述电路板接合；主体部分，其自该前端部分立起，并向所述主端子侧延伸；以及导电性的连结部分，其与该主体部分连结，所述连结部分的与电流路径正交的截面积大于所述主体部分中所述连结部分所连结的部分的与电流路径正交的截面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接端子具有多个所述前端部分，所述主体部分包括朝向所述多个前端部分分支的多个分支部。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连接端子具有分离地设置的多个所述连结部分。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述连结部分的板厚厚于所述主体部分的板厚。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上庆彦，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：