双基岛引线框架芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双基岛引线框架芯片封装结构，包括引线框架，引线框架设有第一基岛和第二基岛，第一基岛和第二基岛之间电气隔离；第一基岛上承载并电性连接有二极管和MOS管，二极管的P极向下与第一基岛连接，二极管的N极向上并将用于打线的金属台面用来打线连接负极；第二基岛上承载并电性连接有电源驱动主控芯片。本实用新型专利技术使用N极向上的二极管取代原P极向上的二极管来打线，在不影响产品功能和电流走向的前提下实现了最终用二基岛代替三基岛框架，IC生产封装过程中框架物料得以统一，固晶焊线压板治具得以共用不浪费，且双基岛面积更大平整度更好，提高了产品的散热性。同时二基岛框架生产更容易，也降低了框架生产的难度。的难度。的难度。

【技术实现步骤摘要】
双基岛引线框架芯片封装结构


[0001]本技术属于半导体封装
，尤其涉及一种双基岛引线框架芯片封装结构。

技术介绍

[0002]芯片封装是芯片制造中一个可以直接决定芯片好坏的过程，芯片封装需要考虑既要考虑空间利用率，又要考虑散热性能。
[0003]目前市场常见集成功率器件的电源驱动芯片为SOP7、SOP4或更多引脚的封装结构，在兼顾空间布置和散热效果的情况下，可以将芯片D1、功率电器D2和二极管D3分别置于三个相互之间电气隔离的基岛上封装使用，如图1所示。但是三基岛框架的设计同样存在一些问题，比如：IC生产封装过程中框架物料不统一，固晶焊线压板治具不能共用，且基岛面积小会影响平整度，从而对散热性能也有一定影响。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中存在的上述问题，本技术提供一种双基岛引线框架芯片封装结构。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种双基岛引线框架芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架设有第一基岛和第二基岛，第一基岛和第二基岛之间电气隔离；所述第一基岛上承载并电性连接有二极管和MOS管，所述二极管的P极向下与第一基岛连接，所述二极管的N极向上并将用于打线的金属台面用来打线连接负极；所述第二基岛上承载并电性连接有电源驱动主控芯片。
[0006]进一步的，所述引线框架上设有第一引脚和第二引脚，第一引脚、第二引脚分别与第一基岛和第二基岛分离，所述第一引脚为HV引脚，所述第二引脚为GND引脚；所述电源驱动主控芯片通过金属引线分别与二极管的N极、MOS管和第二引脚电性连接；所述MOS管通过金属引线与第二基岛电性连接；所述二极管的N极通过金属引线与第一引脚电性连接。
[0007]进一步的，所述引线框架上还设有至少一个第五引脚，所述第五引脚分别与第一基岛和第二基岛分离，所述第五引脚、第一引脚和第二引脚设置在所述引线框架的同一边，且第五引脚设置在第一引脚和第二引脚之间。第五引脚的设置可以最大限度利用引线框架的空间，同时也增大了散热面积，提升了散热性能，所述第五引脚为预留引脚，预留引脚可以适用于更多输出端的电源模组结构，运用更加灵活。
[0008]进一步的，所述第五引脚、第一引脚和第二引脚靠近第一基岛或第二基岛一侧为T型结构。在塑封时，T型结构的设计增强了塑封料与引脚的结合力，可以有效防止切筋时引脚根部受外力拉扯松动。
[0009]进一步的，所述第一基岛上设有多个第四引脚，所述第四引脚设置于引线框架的至少一边，所述第四引脚为DRAIN脚。
[0010]进一步的，所述第一基岛上突设有第一连接部，所述第一连接部与第四引脚设置
在引线框架相邻的两边上。
[0011]进一步的，所述第二基岛上设有第三引脚，所述第三引脚为CS脚。
[0012]进一步的，所述第二基岛上突设有第二连接部，所述第二连接部与第三引脚设置在引线框架相邻的两边上。
[0013]与现有技术相比，本技术的双基岛引线框架芯片封装结构使用N极向上的二极管取代原P极向上的二极管来打线，在不影响产品功能和电流走向的前提下实现了最终用二基岛代替三基岛框架。实现二基岛代替三基岛框架后，IC生产封装过程中框架物料得以统一，固晶焊线压板治具得以共用不浪费，且双基岛面积更大平整度更好，提高了产品的散热性。同时二基岛框架生产更容易，也降低了框架生产的难度。
附图说明
[0014]下面结合附图对本技术的具体实施方式做进一步阐明。
[0015]图1为现有封装结构示意图；
[0016]图2为本技术的双基岛引线框架芯片封装结构示意图；
[0017]图3为本技术中N极向上的二极管结构示意图。
具体实施方式
[0018]结合图2，本实施例的双基岛引线框架芯片封装结构包括引线框架1，所述引线框架1设有第一基岛21和第二基岛22，第一基岛21和第二基岛22之间电气隔离；所述第一基岛21上承载并电性连接有二极管3和MOS管4，所述二极管3的P极向下与第一基岛21连接，所述二极管3的N极向上并将用于打线的金属台面用来打线连接负极；所述第二基岛22上承载并电性连接有电源驱动主控芯片5。二极管3和MOS管4通过导电银胶与第一基岛21粘接固定，电源驱动主控芯片5通过导电银胶与第二基岛22粘接固定，本实施例中，采用太仓天宇电子有限公司生产的ES05JN型号的二极管，其结构示意图如图3所示，二极管3和MOS管4设置在同一基岛上，本实施例中，二极管3和MOS管4沿第一基岛21对角线设计，可以进一步提升散热性能。此外，相比三基岛的设计，双基岛的设计使得第一基岛21和第二基岛22的面积增大，芯片集成度高，能简化封装外围的电路，可广泛用于低功率电源驱动产品及对电源板体积和成本有较高要求的LED照明产品及电路中。
[0019]本实施例优选地，所述引线框架1上设有第一引脚61和第二引脚62，第一引脚61、第二引脚62分别与第一基岛21和第二基岛22分离，所述第一引脚61为HV引脚，所述第二引脚62为GND引脚；所述电源驱动主控芯片5通过金属引线分别与二极管3的N极、MOS管4和第二引脚62电性连接；所述MOS管4通过金属引线与第二基岛22电性连接；所述二极管3的N极通过金属引线与第一引脚61电性连接。
[0020]本实施例优选地，所述引线框架1上还设有至少一个第五引脚65，所述第五引脚65分别与第一基岛21和第二基岛22分离，所述第五引脚65、第一引脚61和第二引脚62设置在所述引线框架1的同一边，且第五引脚65设置在第一引脚61和第二引脚62之间。第五引脚65的设置可以最大限度利用引线框架1的空间，同时也增大了散热面积，提升了散热性能，所述第五引脚65为预留引脚，预留引脚可以适用于更多输出端的电源模组结构，运用更加灵活。
[0021]本实施例优选地，所述第五引脚65、第一引脚61和第二引脚62靠近第一基岛21或第二基岛22一侧为T型结构。在塑封时，T型结构的设计增强了塑封料与引脚的结合力，可以有效防止切筋时引脚根部受外力拉扯松动。
[0022]本实施例优选地，所述第一基岛21上设有多个第四引脚64，所述第四引脚64设置于引线框架1的至少一边，所述第四引脚64为DRAIN脚。第四引脚64可以进一步高第一基岛21上元器件的散热性能。
[0023]本实施例优选地，所述第一基岛21上突设有第一连接部71，所述第一连接部71与第四引脚64设置在引线框架1相邻的两边上。
[0024]本实施例优选地，所述第二基岛22上设有第三引脚63，所述第三引脚63为CS脚。
[0025]本实施例优选地，所述第二基岛22上突设有第二连接部72，所述第二连接部72与第三引脚63设置在引线框架1相邻的两边上。
[0026]本实施例优选地，第一引脚61、第二引脚62、第三引脚63、第四引脚64和第五引脚65采用强度增强型引脚，即引脚硬度大于预设强度，使得引脚不易折弯或断裂，提升封装的可靠性；各引脚之间留有间距本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双基岛引线框架芯片封装结构，其特征在于：包括引线框架(1)，所述引线框架(1)设有第一基岛(21)和第二基岛(22)，第一基岛(21)和第二基岛(22)之间电气隔离；所述第一基岛(21)上承载并电性连接有二极管(3)和MOS管(4)，所述二极管(3)的P极向下与第一基岛(21)连接，所述二极管(3)的N极向上并将用于打线的金属台面用来打线连接负极；所述第二基岛(22)上承载并电性连接有电源驱动主控芯片(5)。2.根据权利要求1所述的双基岛引线框架芯片封装结构，其特征在于：所述引线框架(1)上设有第一引脚(61)和第二引脚(62)，第一引脚(61)、第二引脚(62)分别与第一基岛(21)和第二基岛(22)分离，所述第一引脚(61)为HV引脚，所述第二引脚(62)为GND引脚；所述电源驱动主控芯片(5)通过金属引线分别与二极管(3)的N极、MOS管(4)和第二引脚(62)电性连接；所述MOS管(4)通过金属引线与第二基岛(22)电性连接；所述二极管(3)的N极通过金属引线与第一引脚(61)电性连接。3.根据权利要求2所述的双基岛引线框架芯片封装结构，其特征在于：所述引线框架(1)上还设有至少一个第五引脚(65)，所述第五引脚(65)分别与第一基岛(21)...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗盛，
申请(专利权)人：江苏森阳聚芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：