【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体芯片，特别涉及一种esd保护器件和芯片电路。
技术介绍
1、集成电路产品在其生产、制造、装配以及工作过程中极易受到esd（electro-static discharge）的影响，造成产品内部损伤、可靠性降低。因此，研究高性能、高可靠性的esd保护器件对提高集成电路的成品率和可靠性具有至关重要的作用。其中，scr（silicon controlled rectifier，可控硅整流器）器件常用于制作esd保护器件。
2、目前现有的低电容scr器件的横向结构在相同线宽下，往往需要制作更大尺寸的esd保护器件，因为其横向结构的阳极和阴极都做在器件上表面，使得阳极和阴极的尺寸受封装影响不能缩减至小于10um，也就需要相应制作更大的器件。而如果通过减少横向结构的方式减少器件尺寸，又会降低scr器件与面积相关的通流能力，即目前低电容的scr结构的大回扫esd保护器件难以实现在更小器件封装上的应用。
3、上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本技术提出一种esd保护器件和芯片电路，旨在提供一种满足小尺寸封装的esd保护器件。
2、为实现上述目的，本技术提出一种esd保护器件，包括：
3、p+衬底，在p+衬底上设有p-外延层，在p-外延层上设有n-外延层；
4、两个纵向穿透n-外延层的p+隔离区，分别为第一p+隔离区和第二p+隔离区；
5、自第一p+隔离区
6、在第一n+注入区与第一p+注入区之间，以及在p阱区与第二p+隔离区之间，分别设有纵向穿透n-外延层的隔离槽。
7、可选的，所述esd保护器件还包括：
8、在n-外延层上还设有覆盖n-外延层、第一p+隔离区、第二n+注入区和隔离槽的上表面的氧化层。
9、可选的，所述esd保护器件还包括将第一n+注入区和第一p+注入区相连的电极，作为所述esd保护器件的阳极；
10、以及，p+衬底引出的电极作为esd保护器件的阴极。
11、可选的，所述第二p+注入区、第三n+注入区和第二p+隔离区上设有第一金属层，以使所述第二p+注入区、第三n+注入区和第二p+隔离区电性连接；
12、以及，所述第一n+注入区和第一p+注入区上设有使第一n+注入区和第一p+注入区相连的第二金属层，作为所述esd保护器件的阳极。
13、可选的，所述第一金属层和所述第二金属层上设有钝化层。
14、可选的，所述第一n+注入区、第一p+注入区、第二n+注入区、第二p+注入区、第三n+注入区的结深，均小于p阱区的结深。
15、可选的，所述p-外延层的厚度为6μm~14μm，和/或所述n-外延层的厚度为6μm~12μm。
16、可选的，所述隔离槽的深度为10μm~20μm，和/或所述隔离槽的宽度为1.5μm~3μm。
17、本技术进一步提出一种芯片电路，该芯片电路包括芯片，以及如上所述的esd保护器件；其中，所述芯片经所述esd保护器件接地。
18、本技术技术方案的有益效果在于：通过提供一种使用p+衬底作为接地阴极的esd保护器件，而无需从esd保护器件的上表层制作阴极，这样就可以在维持器件通流能力的情况下，缩小器件的制作尺寸，满足更小体积的器件封装需求，并且在封装esd保护器件时，通过从p+衬底100引出器件阴极，可以避免器件封装时接地的打线，从而降低封装成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种ESD保护器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述ESD保护器件还包括：
3.根据权利要求1或2所述的ESD保护器件，其特征在于，所述ESD保护器件还包括将第一N+注入区和第一P+注入区相连的电极，作为所述ESD保护器件的阳极；
4.根据权利要求3所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二P+注入区、第三N+注入区和第二P+隔离区上设有第一金属层，以使所述第二P+注入区、第三N+注入区和第二P+隔离区电性连接；
5.根据权利要求4所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层上设有钝化层。
6.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区的结深，均小于P阱区的结深。
7.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述P-外延层的厚度为6μm~14μm，和/或所述N-外延层的厚度为6μm~12μm。
8.根据权利要求1或7所述的ESD保护器件
9.一种芯片电路，其特征在于，包括芯片，以及如权利要求1-8中任一项所述的ESD保护器件；其中，所述芯片经所述ESD保护器件接地。
...【技术特征摘要】
1.一种esd保护器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的esd保护器件，其特征在于，所述esd保护器件还包括：
3.根据权利要求1或2所述的esd保护器件，其特征在于，所述esd保护器件还包括将第一n+注入区和第一p+注入区相连的电极，作为所述esd保护器件的阳极；
4.根据权利要求3所述的esd保护器件，其特征在于，所述第二p+注入区、第三n+注入区和第二p+隔离区上设有第一金属层，以使所述第二p+注入区、第三n+注入区和第二p+隔离区电性连接；
5.根据权利要求4所述的esd保护器件，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层上设有钝化层。
...【专利技术属性】
技术研发人员：张常军，汪慧敏，
申请(专利权)人：马鞍山市槟城电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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