本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：其中，第一制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区...

本实用新型属于半导体生产技术领域，公开了一种贴片二极管的焊接工装。该贴片二极管的焊接工装被配置为分别定位放置于基板的多个待焊接工件，基板包括表贴焊盘的矩形阵列，每个表贴焊盘能够承载并压紧于放置在其中的一个工件，贴片二极管的焊接工装包括多...

本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管的制作方法包括：在半导体衬底的任一器件单元区中，在半导体衬底上形成被第一导电类型的本体区所间隔的第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区；在半导体衬底设置有第...

本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管包括：半导体衬底、多个导电块和两个电极，在半导体衬底的任一器件单元区中，第一导电块与第一扩散区和第四扩散区电连接；第二导电块与第一扩散区和第五扩散区电连接...

本实用新型实施例公开了一种过电压保护电路及电子设备。其中，该过电压保护电路，包括：第一模块、第二模块和第三模块中的至少两个，以及告警电路；其中，第一模块包括：第一限压型器件、第一开关型器件和第一整流电路，第一整流电路的输出端与告警电路电...

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括第一外框架、第二外框架、至少两个芯片以及至少一个中间框架。至少两个芯片沿着第一方向分布，且夹设在第一外框架与第二外框架之间，芯片具有金属连接部。中间框架包括第一主...

本发明实施例公开了一种放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备。其中，该放电电路包括：三极气体放电管、第一阻抗支路和第二阻抗支路，三极气体放电管的第一极通过第一阻抗支路与其第二极电连接；三极气体放电管的第二极通过第二阻抗支路与其第三极...

本发明实施例公开了一种放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备。其中，该放电电路包括至少两个开关型器件和至少两个阻抗支路，其中，至少两个开关型器件串联连接后的两端分别与放电电路的第一端和第二端电连接；阻抗支路与开关型器件一一对应，阻抗...

本发明实施例公开了一种浪涌保护电路及电子设备。其中，浪涌保护电路包括三个钳位型浪涌保护器件、三个开关型浪涌保护器件和三个阻抗支路，其中，三个钳位型浪涌保护器件呈三角形连接；三个开关型浪涌保护器件与浪涌保护电路的三个电压保护端一一对应，三...

本发明实施例公开了一种过电压保护电路及电子设备。其中，该过电压保护电路，包括：第一模块、第二模块和第三模块中的至少两个，以及告警电路；其中，第一模块包括：第一限压型器件、第一开关型器件和第一整流电路，第一整流电路的输出端与告警电路电连接...