放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备。其中，该放电电路包括：三极气体放电管、第一阻抗支路和第二阻抗支路，三极气体放电管的第一极通过第一阻抗支路与其第二极电连接；三极气体放电管的第二极通过第二阻抗支路与其第三极电连接；对于同一高频，|Z

【技术实现步骤摘要】
放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备


[0001]本专利技术涉及放电电路
，尤其涉及一种放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备。

技术介绍

[0002]电磁脉冲(electromagnetic pulse，EMP)和雷击电磁脉冲(Lightning electromagnetic pulse，LEMP)的防护，目前主要是利用EMP和LEMP的高压特性做针对性的进行防护，气体放电管(Gas Discharge Tube，GDT)正是针对高压或者过压特性设计，利用潘宁效应，在封装空间里充一定气压的气体，在金属电极上涂上阴极材料，使该器件呈现一定的直流耐压特性和脉冲击穿电压特性。目前有玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管。
[0003]以直流击穿电压为3000V的GDT为例，该GDT的冲击击穿电压约为3600V，该GDT的所使用的环境多为耐压1500VAC的环境中，该交流环境峰值电压为2121VDC，就算该环境设计把耐压提高20％，设备的耐压是1500*1.2*1.414＝2545VDC，从数据上看2545～3600V之间EMP或LEMP是没办法防护的，这个就是该型3000VGDT的盲区，目前在实际应用中没有很好的办法解决；在实际应用和测试中，设备被EMP和LEMP损坏概率非常高，其它电压等级的GDT都存在同样的问题，冲击击穿电压过高，存在保护盲区。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种放电电路、浪涌保护电路、点火电路及电子设备，以降低三极气体放电管的冲击击穿电压，减小保护盲区。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种放电电路，包括：
[0006]三极气体放电管，三极气体放电管的第一极与放电电路的第一端电连接，三极气体放电管的第三极与放电电路的第二端电连接；
[0007]第一阻抗支路，第一阻抗支路的第一端与三极气体放电管的第一极电连接；第一阻抗支路的第二端与三极气体放电管的第二极电连接；
[0008]第二阻抗支路，第二阻抗支路的第一端与三极气体放电管的第二极电连接；第二阻抗支路的第二端与三极气体放电管的第三极电连接；
[0009]对于同一高频，|Z
11
|：|Z
12
|≠V
BR1
：V
BR2
，其中，|Z
11
|为第一阻抗支路的高频阻抗模，|Z
12
|为第二阻抗支路的高频阻抗模，V
BR1
为三极气体放电管的第一极与第二极之间的放电间隙的直流击穿电压，V
BR2
为三极气体放电管的第二极与第三极之间的放电间隙的直流击穿电压，高频大于工频。
[0010]进一步地，第一阻抗支路的高频阻抗模大于第二阻抗支路的高频阻抗模；
[0011]第一阻抗支路的工频阻抗模小于或等于第二阻抗支路的工频阻抗模；
[0012]三极气体放电管的第一极与第二极之间的放电间隙的直流击穿电压小于或等于三极气体放电管的第二极与第三极之间的放电间隙的直流击穿电压。
[0013]进一步地，第一阻抗支路包括：串联的第一子支路和第一容性元件，串联后的两端
分别与第一阻抗支路的第一端和第二端电连接；第一子支路包括第一阻性元件和第一感性元件中的至少一种；
[0014]第二阻抗支路包括：第二容性元件，第一容性元件的容值大于或等于第二容性元件的容值，第一子支路的高频阻抗模大于第二容性元件的高频阻抗模，第一子支路的工频阻抗模小于第二容性元件的工频阻抗模。
[0015]进一步地，第二阻抗支路还包括：第二子支路，第二子支路与第二容性元件串联，串联后的两端分别与第二阻抗支路的第一端和第二端电连接；
[0016]第二子支路包括第二阻性元件和第二感性元件中的至少一种，第一子支路的高频阻抗模大于第二子支路的高频阻抗模。
[0017]进一步地，第一子支路包括第一阻性元件，第二子支路包括第二阻性元件，R1＞5R2，其中，R1为第一阻性元件的阻值，R2为第二阻性元件的阻值。
[0018]进一步地，第一子支路包括第一感性元件，第二子支路包括第二感性元件，L1＞5L2，其中，L1为第一感性元件的电感值，L2为第二感性元件的电感值。
[0019]进一步地，V
BR1
：V
BR2
＝C2：C1，其中，C1为第一容性元件的容值，C2为第二容性元件的容值。
[0020]进一步地，该放电电路还包括第一压敏电阻，第二容性元件的容值小于第一压敏电阻的极间电容的容值；
[0021]其中，三极气体放电管的第一极经第一压敏电阻与放电电路的第一端电连接；或者，三极气体放电管的第三极经第一压敏电阻与放电电路的第二端电连接。
[0022]进一步地，该放电电路还包括第二压敏电阻，第二容性元件的容值小于第二压敏电阻的极间电容的容值，
[0023]其中，三极气体放电管与第一压敏电阻连接的那一极经第二压敏电阻与放电电路的第三端电连接。
[0024]进一步地，V
BR3
≥V
BR1
+V
BR2
，其中，V
BR3
为三极气体放电管的第一极与第三极之间的放电间隙的直流击穿电压，
[0025]三极气体放电管的第一极与第二极之间的放电间隙和三极气体放电管的第二极与第三极之间的放电间隙之间是连通的。
[0026]进一步地，三极气体放电管包括第一端电极、第一绝缘管体、第一中间电极、第二绝缘管体和第二端电极，第一绝缘管体的两管口分别与第一端电极和第一中间电极密封连接，以形成第一放电内腔；第二绝缘管体的两管口分别与第二端电极和第一中间电极密封连接，以形成第二放电内腔；第一中间电极设置有第一通孔，第一通孔连通第一放电内腔和第二放电内腔，第一通孔位于第一端电极和第二端电极相对区域之间，第一放电内腔和第二放电内腔内充有放电气体；
[0027]其中，第一端电极作为三极气体放电管的第一极，第一中间电极作为三极气体放电管的第二极，第二端电极作为三极气体放电管的第三极。
[0028]进一步地，该放电电路还包括K个两极气体放电管和K个第三电容，其中，K为大于或等于2的整数，K个两极气体放电管串联连接，形成第一串联支路；
[0029]三极气体放电管的第一极经第一串联支路与放电电路的第一端电连接；或者，三极气体放电管的第三极经第一串联支路与放电电路的第二端电连接；
[0030]K个两极气体放电管串联连接形成K+1个第一节点，除与第一串联支路的第一端连接的第一节点外，其余K个第一节点与K个第三电容一一对应，任一第一节点经对应的第三电容与第一串联支路的第一端电连接；
[0031]两极气体放电管的直流击穿电压小于三极气体放电管的第一极与第二极之间的放电间隙的直流击穿电压。
[0032]进一步地，高频大于或等于25000Hz，工频为小于或等于68Hz。
[0033]进一步地，|Z
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放电电路，其特征在于，包括：三极气体放电管，所述三极气体放电管的第一极与所述放电电路的第一端电连接，所述三极气体放电管的第三极与所述放电电路的第二端电连接；第一阻抗支路，所述第一阻抗支路的第一端与所述三极气体放电管的第一极电连接；所述第一阻抗支路的第二端与所述三极气体放电管的第二极电连接；第二阻抗支路，所述第二阻抗支路的第一端与所述三极气体放电管的第二极电连接；所述第二阻抗支路的第二端与所述三极气体放电管的第三极电连接；对于同一高频，|Z
11
|：|Z
12
|≠V
BR1
：V
BR2
，其中，|Z
11
|为所述第一阻抗支路的高频阻抗模，|Z
12
|为所述第二阻抗支路的高频阻抗模，V
BR1
为所述三极气体放电管的第一极与第二极之间的放电间隙的直流击穿电压，V
BR2
为所述三极气体放电管的第二极与第三极之间的放电间隙的直流击穿电压，其中，所述高频大于工频。2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述第一阻抗支路的高频阻抗模大于所述第二阻抗支路的高频阻抗模；所述第一阻抗支路的工频阻抗模小于或等于所述第二阻抗支路的工频阻抗模；所述三极气体放电管的第一极与第二极之间的放电间隙的直流击穿电压小于或等于所述三极气体放电管的第二极与第三极之间的放电间隙的直流击穿电压。3.根据权利要求2所述的放电电路，其特征在于，所述第一阻抗支路包括：串联的第一子支路和第一容性元件，串联后的两端分别与所述第一阻抗支路的第一端和第二端电连接；所述第一子支路包括第一阻性元件和第一感性元件中的至少一种；所述第二阻抗支路包括：第二容性元件，所述第一容性元件的容值大于或等于所述第二容性元件的容值，所述第一子支路的高频阻抗模大于所述第二容性元件的高频阻抗模，所述第一子支路的工频阻抗模小于所述第二容性元件的工频阻抗模。4.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述第二阻抗支路还包括：第二子支路，所述第二子支路与所述第二容性元件串联，串联后的两端分别与所述第二阻抗支路的第一端和第二端电连接；所述第二子支路包括第二阻性元件和第二感性元件中的至少一种，所述第一子支路的高频阻抗模大于所述第二子支路的高频阻抗模。5.根据权利要求4所述的放电电路，其特征在于，所述第一子支路包括第一阻性元件，所述第二子支路包括第二阻性元件，R1＞5R2，其中，R1为所述第一阻性元件的阻值，R2为所述第二阻性元件的阻值。6.根据权利要求4所述的放电电路，其特征在于，所述第一子支路包括第一感性元件，所述第二子支路包括第二感性元件，L1＞5L2，其中，L1为所述第一感性元件的电感值，L2为所述第二感性元件的电感值。7.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，V
BR1
：V
BR2
＝C2：C1，其中，C1为所述第一容性元件的容值，C2为所述第二容性元件的容值。8.根据权利要求3所述的放电电路，其特征在于，所述放电电路还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈能文，周垠群，
申请(专利权)人：马鞍山市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：