【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电荷耦合器件制作技术，尤其涉及一种内线转移CCD结构及其制作方法。
技术介绍
内线转移CCD是CCD的一大门类，其像元单位按功能划分可分为光敏区和转移区两部分，光敏区在可见光照射下产生电子，电子通过转移区转移至器件外围并输出。内线转移CCD的工作模式要求器件上光敏区以外的区域必须有遮光层覆盖，以避免光敏区以外区域因感光产生的杂散信号与光敏区信号发生串扰，降低CCD成像质量。现有技术中，内线转移CXD的典型结构如图1所示，从图中可见，遮光层位于回流层上方，现有技术之所以采用这种结构的原因是:基于常规设计，现有技术中一般采用铝膜来形成遮光层，而回流层一般采用BPSG硼磷硅玻璃，基于现有理论可知，金属铝的熔点远低于回流层淀积工艺的工艺温度，因此只能先进行回流层淀积，再制作遮光层；存在的问题是:由于回流层存在于遮光层和多晶硅转移栅之间，在回流层上制作出的遮光层无法将多晶硅转移栅完全遮挡，当可见光从器件上方射入时，有一部分光就会斜向照射到光敏区外侧区域上并透过多晶硅转移栅形成漏光，从而引起串扰问题，并且随着回流层厚度的增大，漏光率也愈发严重，另外...
【技术保护点】
一种内线转移CCD结构，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）上邻近设置有转移区（A）和光敏区（B），其特征在于：所述转移区（A）范围内的硅衬底（1）表面上设置有多晶硅转移栅（2），多晶硅转移栅（2）表面覆盖有遮光层（3），遮光层（3）表面淀积有回流层（4），所述回流层（4）将光敏区（B）覆盖；所述遮光层（3）采用难熔金属或难熔金属合金制作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：向鹏飞，姜华男，高建威，龙飞，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85
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