阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置，属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，源漏极金属图案包括源漏极，预设金属至少包括铜；在衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，组成钝化层；在钝化层上，源漏极的间隙上方形成沟道，氧化硅层上的沟道宽度小于氮化硅层上的沟道宽度，且大于或等于源漏极的间隙距离；在源漏极金属图案上形成与氮化硅层不接触的氧化物沟道图案。本发明专利技术解决了Cu金属层被氧化的程度较高，且阵列基板的显示特性较差的问题，实现了降低Cu金属层被氧化的程度，提高阵列基板显示特性的效果，用于显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示 目.0
技术介绍
有机发光二极管(英文:OrganicLight-Emitting D1de ;简称:OLED)，是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。目前，以OLED为代表的显示装置向着大尺寸、高分辨率、高响应速度的方向发展。为了降低成本，提高显示面板的显示质量，一种共面结构Cu(铜)+0xide (氧化物)的氧化物薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor ;简称:TFT)阵列基板被提出来。由于该阵列基板采用Cu作为源漏极，具有导线电阻率较低，导电效果较好，大尺寸显示面板的电压降较低，工艺复杂度较低等优势，因此，该阵列基板受到了广泛关注。现有的共面结构Cu+0xide的氧化物TFT阵列基板的结构如图1所示，该阵列基板包括:衬底基板1001，在衬底基板1001上形成有栅极金属图案1002，在栅极金属图案1002上形成有栅极绝缘层1003，在栅极绝缘层1003上沉积源漏金属(该源漏金属由Cu制成)并图形化形成源漏极金属图案1004，在源漏极金属图案1004上沉积氧化物有源层并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括：源极和漏极，所述预设金属至少包括铜；在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和氧化硅层组成钝化层；在所述钝化层上，所述源极和所述漏极的间隙上方形成沟道，其中，所述氧化硅层上的沟道的宽度小于所述氮化硅层上的沟道的宽度，且所述氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于所述源极和所述漏极的间隙的距离；在所述源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案，所述氧化物沟道图案与所述氮化硅层不接触；在形成...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，姜春生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11