阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置，属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，源漏极金属图案包括源漏极，预设金属至少包括铜；在衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，组成钝化层；在钝化层上，源漏极的间隙上方形成沟道，氧化硅层上的沟道宽度小于氮化硅层上的沟道宽度，且大于或等于源漏极的间隙距离；在源漏极金属图案上形成与氮化硅层不接触的氧化物沟道图案。本发明专利技术解决了Cu金属层被氧化的程度较高，且阵列基板的显示特性较差的问题，实现了降低Cu金属层被氧化的程度，提高阵列基板显示特性的效果，用于显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示 目.0
技术介绍
有机发光二极管(英文:OrganicLight-Emitting D1de ;简称:OLED)，是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。目前，以OLED为代表的显示装置向着大尺寸、高分辨率、高响应速度的方向发展。为了降低成本，提高显示面板的显示质量，一种共面结构Cu(铜)+0xide (氧化物)的氧化物薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor ;简称:TFT)阵列基板被提出来。由于该阵列基板采用Cu作为源漏极，具有导线电阻率较低，导电效果较好，大尺寸显示面板的电压降较低，工艺复杂度较低等优势，因此，该阵列基板受到了广泛关注。现有的共面结构Cu+0xide的氧化物TFT阵列基板的结构如图1所示，该阵列基板包括:衬底基板1001，在衬底基板1001上形成有栅极金属图案1002，在栅极金属图案1002上形成有栅极绝缘层1003，在栅极绝缘层1003上沉积源漏金属(该源漏金属由Cu制成)并图形化形成源漏极金属图案1004，在源漏极金属图案1004上沉积氧化物有源层并图形化形成氧化物沟道图案1005，最后，在氧化物沟道图案1005上形成常规的钝化层(英文:Passivat1n ;简称:PVX) 1006及有机膜(Resin) 1007，PVX为双层结构，一般包括氧化硅(S1x)层和氮化娃(SiNx)层。该阵列基板中的源漏极金属图案1004所采用的源漏金属为双层结构，且下层为较薄的阻挡层，该阻挡层由钼铌合金制成，上层为Cu金属层。由于上层的Cu金属层上为氧化物沟道图案1005，Cu金属层完全暴露在这种富氧的环境中，很容易被氧化。同时，如图1所示，如果PVX1006的下层为S1x，上层为SiNx，则与源漏极金属图案1004接触的S1x会加速对Cu金属层的氧化，而如果PVX1006的下层为SiNx，上层为S1x，则与氧化物沟道图案1005接触的SiNx中的氢(H)元素会对氧化物沟道图案1005产生影响，导致该阵列基板呈现出大电流的现象。因此，Cu金属层被氧化的程度较高，且阵列基板的显示特性较差。
技术实现思路
为了解决Cu金属层被氧化的程度较高，且阵列基板的显示特性较差的问题，本专利技术提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置。所述技术方案如下:第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括:在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括:源极和漏极，所述预设金属至少包括铜；在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和氧化硅层组成钝化层；在所述钝化层上，所述源极和所述漏极的间隙上方形成沟道，其中，所述氧化硅层上的沟道的宽度小于所述氮化硅层上的沟道的宽度，且所述氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于所述源极和所述漏极的间隙的距离；在所述源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案，所述氧化物沟道图案与所述氮化娃层不接触；在形成所述氧化物沟道图案的衬底基板上形成有机膜。可选的，所述在所述钝化层上，所述源极和所述漏极的间隙上方形成沟道，包括:在形成有所述钝化层的衬底基板上涂覆光刻胶；对所述光刻胶上，所述源极和所述漏极的间隙上方进行曝光、显影得到沟道图案；通过对所述钝化层进行刻蚀，使所述钝化层上形成沟道；在所述源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案之后，所述方法还包括:剥离所述光刻胶。可选的，所述通过对所述钝化层进行刻蚀，使所述钝化层上形成沟道，包括:通过对所述钝化层进行干刻工艺，使所述钝化层上形成沟道。可选的，所述在形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，包括:在形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成阻挡层；在形成所述阻挡层的衬底基板上形成铜金属层；在所述阻挡层和所述铜金属层形成所述源漏极金属图案。可选的，所述阻挡层由钼铌合金制成。第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括:衬底基板；所述衬底基板上形成有栅极金属图案和栅极绝缘层；形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有由预设金属制成的源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括:源极和漏极，所述预设金属至少包括铜；形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上依次形成有氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和氧化硅层组成钝化层；所述钝化层上，所述源极和所述漏极的间隙上方形成有沟道，其中，所述氧化硅层上的沟道的宽度小于所述氮化硅层上的沟道的宽度，且所述氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于所述源极和所述漏极的间隙的距离；所述源漏极金属图案上形成有氧化物沟道图案，所述氧化物沟道图案与所述氮化娃层不接触；形成所述氧化物沟道图案的衬底基板上形成有有机膜。可选的，形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有阻挡层；形成所述阻挡层的衬底基板上形成有铜金属层；所述阻挡层和所述铜金属层形成有所述源漏极金属图案。可选的，所述阻挡层由钼铌合金制成。第三方面，提供了一种显示装置，包括第二方面任一所述的阵列基板。本专利技术提供了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置，通过在源漏极金属图案上先形成钝化层，然后形成氧化物沟道图案，再通过改变钝化层的结构，使氮化硅层位于下层，氧化硅层位于上层，避免Cu金属层完全暴露在富氧的环境中被氧化，保证纯Cu层不与氧化硅层接触，降低Cu金属层被氧化的程度。在钝化层上，源极和漏极的间隙上方形成沟道，其中，氧化硅层上的沟道的宽度小于氮化硅层上的沟道的宽度，且氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于源极和漏极的间隙的距离，保证氧化物沟道图案不与氮化硅层接触，避免阵列基板的显示特性受到影响，因此，降低了 Cu金属层被氧化的程度，且提高了阵列基板的显不特性。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的现有阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图3是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的一种形成栅极金属图案和栅极绝缘层的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种形成源漏极金属图案的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一种形成钝化层的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一种涂覆有光刻胶的衬底基板的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种钝化层上形成沟道的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种形成氧化物沟道图案的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一种剥离光刻胶后的衬底基板的结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的一种形成有机膜的结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。通过上述附图，已示出本专利技术明确的实施例，后文中当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成栅极金属图案和栅极绝缘层；在形成所述栅极绝缘层的衬底基板上形成由预设金属制成的源漏极金属图案，所述源漏极金属图案包括：源极和漏极，所述预设金属至少包括铜；在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上依次形成氮化硅层和氧化硅层，所述氮化硅层和氧化硅层组成钝化层；在所述钝化层上，所述源极和所述漏极的间隙上方形成沟道，其中，所述氧化硅层上的沟道的宽度小于所述氮化硅层上的沟道的宽度，且所述氧化硅层上的沟道的宽度大于或等于所述源极和所述漏极的间隙的距离；在所述源漏极金属图案上形成氧化物沟道图案，所述氧化物沟道图案与所述氮化硅层不接触；在形成所述氧化物沟道图案的衬底基板上形成有机膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，姜春生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11