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有机发光二极管阵列的制备方法技术

技术编号:11688587 阅读:49 留言:0更新日期:2015-07-07 20:55
本发明专利技术涉及一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;在多个凸部的表面形成多个第一电极,且多个第一电极相互间隔设置;在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间的基板表面覆盖,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极与该有机发光层电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管具有自发光的特性,因此,采用有机发光二极管的显示屏无需背 光源,能够显著节省电能。而且,采用有机发光二极管的显示屏幕可视角度大,因此,有机发 光二极管成为研究热点。 现有技术通常将多个有机发光二极管制备在一基底上形成一阵列。其中,该有机 发光二极管阵列的制备方法包括:在一基底上制备一薄膜晶体管(TFT)阵列;在该薄膜晶 体管阵列上形成一第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成多个第一电极;在该第一绝缘层上 形成一第二绝缘层将每个第一电极的边缘覆盖,使每个第一电极的中间部分暴露;在每个 第一电极暴露的部分表面形成一有机发光层;以及在该有机发光层上形成一第二电极。 然而,现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀,其不仅需要掩模,而且需要 高温真空条件。因此,制备工艺复杂,成本较高。
技术实现思路
有鉴于此,确有必要提供一种工艺简单,成本低廉的有机发光二极管阵列的制备 方法。 -种,其包括:提供一基板;在上述基板一表面 形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;至少在所述多个凸部的顶面形成 多个第一电极,该多个第一电极相互间隔设置;在每个第一电极的表面转印形成至少一电 激发光层作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,该图案化的第二绝缘层至少位于 相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极与该有机发 光层电连接。 -种,其包括:提供一基板;在上述基板一表面 形成多个间隔设置的凸部;至少在多个凸部的顶面形成多个条形第一电极,该多个条形第 一电极沿第一方向延伸且间隔设置的;在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层 作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸 部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成多个平行且间隔设置的条形第二电极, 使所述有机发光层位于该多个第一电极与多个第二电极之间,该多个第二电极与该有机发 光层电连接,所述第二电极的延伸方向与第一电极的延伸方向交叉设置,且在每个交叉处 定义一子像素。 与现有技术相比较,本专利技术提供的,通过转印形 成有机发光层,避免了蒸镀所需要的掩模和高温真空条件,因此,制备工艺简单,成本低廉。【附图说明】 图1为本专利技术第一实施例提供的的工艺流程图。 图2为本专利技术第一实施例的多个凸部成二维阵列排布的示意图。 图3为本专利技术第一实施例的多个条形凸部成一维阵列排布的示意图。 图4为本专利技术第一实施例制备第一电极的工艺流程图。 图5为本专利技术第一实施例制备有机发光层的工艺流程图。 图6为本专利技术第一实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。 图7为有机发光二极管的有机发光层的结构不意图。 图8为本专利技术第二实施例提供的的工艺流程图。 图9为本专利技术第二实施例制备红光有机发光层的工艺流程图。 图10为本专利技术第二实施例制备绿光有机发光层的工艺流程图。 图11-12为本专利技术第二实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。 图13为本专利技术第三实施例提供的的工艺流程 图。 图14为本专利技术第三实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。 图15为本专利技术第四实施例提供的的工艺流程 图。 图16为本专利技术第四实施例制备的有机发光二极管阵列的第二电极的结构示意 图。 图17为本专利技术第五实施例提供的的工艺流程 图。 图18为本专利技术第五实施例一次转印制备不同厚度的电洞传输层的工艺流程图。 图19-20为本专利技术第五实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。 图21为本专利技术第六实施例提供的的工艺流程 图。 图22为本专利技术第六实施一次转印形成电洞注入层和电洞传输层的工艺流程图。 图23-24为本专利技术第六实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。 图25为本专利技术第七实施例提供的的工艺流程 图。 图26为本专利技术第八实施例提供的的工艺流程 图。 图27为本专利技术第八实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。 图28为本专利技术第八实施例提供的有机发光二极管阵列的结构分解图。 图29为本专利技术第九实施例提供的的工艺流程 图。 图30为本专利技术第九实施例提供的有机发光二极管阵列的结构分解图。 主要元件符号说明【主权项】1. 一种,其包括: 提供一基板; 在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素; 至少在所述多个凸部的顶面形成多个第一电极,该多个第一电极相互间隔设置; 在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层作为有机发光层; 形成一图案化的第二绝缘层,该图案化的第二绝缘层至少位于相邻的凸部之间,且使 该有机发光层至少顶面暴露;以及 形成至少一第二电极与该有机发光层电连接。2. 如权利要求1所述的,其特征在于,所述基板包括 一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像 素,且所述在基板的表面形成有序排列的多个凸部具体包括: 形成一连续的第一绝缘层覆盖该薄膜晶体管阵列;以及 在该第一绝缘层远离该薄当前第1页1 2 本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;至少在所述多个凸部的顶面形成多个第一电极,该多个第一电极相互间隔设置;在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,该图案化的第二绝缘层至少位于相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极与该有机发光层电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:简良能郑荣安安东朱振东林昌廷吴逸蔚李群庆范守善
申请(专利权)人:清华大学鸿富锦精密工业深圳有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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