一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其改进在于：发光部采用发光二极管实现；光敏部由光敏晶体管、分压电阻Ⅰ、分压电阻Ⅱ、稳压二极管和N沟道增强型MOS管组成。本实用新型专利技术的有益技术效果是：能提供较大的驱动电流，保证了光电耦合器的响应速度，能适应大电流功率输出环境的需求。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光电耦合器，尤其涉及一种双路快速响应大电流输出型光电親合器。
技术介绍
现有技术中，常用的光电親合器一般由发光二极管、光电二极管和三极管组成；存在的问题是:由于三极管输出电流不足，无法适应大电流功率输出环境的需求。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题，本技术提出了一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其结构为:所述发光部采用发光二极管实现；所述光敏部由光敏晶体管、分压电阻1、分压电阻I1、稳压二极管和N沟道增强型MOS管组成，所述光敏晶体管的受光部与发光二极管的发光部位置相对；光敏晶体管的发射极与A节点相连，光敏晶体管的集电极与分压电阻II的一端相连，分压电阻II的另一端与D节点相连；稳压二极管的阴极与A节点相连，稳压二极管的阳极与B节点相连；分压电阻I的两端分别与A节点和B节点相连；N沟道增强型MOS管的栅极与A节点相连，N沟道增强型MOS管的源极与B节点相连，N沟道增强型MOS管的漏极与C节点相连；B节点接地，C节点即形成光电转换单元的输出端(C节点通过负载与电源连接)，D节点接驱动电压。本技术的原理是:发光二极管不发光时，N沟道增强型MOS管处于关断状态，光电转换单元无输出；当发光二极管受控制电路驱动发光时，光敏晶体管因受光照产生光生电流，光生电流经分压电阻I和稳压二极管处理后产生稳定的驱动电压并作用到N沟道增强型MOS管的栅极和源极，使N沟道增强型MOS管导通，从而在C节点处形成电流输出；采用本技术的方案后，光电转换单元输出端采用N沟道增强型MOS管漏极输出，大大的提高了电流输出能力，使光电耦合器可以适应大电流功率输出环境的需求，并且在本方案中，采用了光敏晶体管串联稳压二极管的方式来将光生电流转换为N沟道增强型MOS管的栅源驱动电压，光敏晶体管集电极与输出回路相连，可提供较大的驱动电流，保证了光电耦合器的响应速度。优选地，所述两个光电转换单元中的电子元件对称分布。这种对称分布的双光电转换单元可以使器件上的热量分布更加均匀，有利于提高器件稳定性。本技术的有益技术效果是:能提供较大的驱动电流，保证了光电耦合器的响应速度，能适应大电流功率输出环境的需求。【附图说明】图1、本技术的电气原理示意图；图2、单个光电转换单元的电气原理示意图；图3、本技术的封装结构示意图；图中各个标记所对应的名称分别为:发光二极管1、光敏晶体管2、分压电阻I 3、分压电阻II 4、稳压二极管5、二极管6 (此二极管用于连接RC保护回路，具体连接时，二极管的阴极与D节点连接，二极管的阳极接RC回路)、N沟道增强型MOS管7。【具体实施方式】 一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其结构为:所述发光部采用发光二极管I实现；所述光敏部由光敏晶体管2、分压电阻I 3、分压电阻II 4、稳压二极管5和N沟道增强型MOS管7组成，所述光敏晶体管2的受光部与发光二极管I的发光部位置相对；光敏晶体管2的发射极与A节点相连，光敏晶体管2的集电极与分压电阻II 4的一端相连，分压电阻II 4的另一端与D节点相连；稳压二极管5的阴极与A节点相连，稳压二极管5的阳极与B节点相连；分压电阻I 3的两端分别与A节点和B节点相连；N沟道增强型MOS管7的栅极与A节点相连，N沟道增强型MOS管7的源极与B节点相连，N沟道增强型MOS管7的漏极与C节点相连；B节点接地，C节点即形成光电转换单元的输出端，D节点接驱动电压。进一步地，所述两个光电转换单元中的电子元件对称分布。经测试，采用本技术方案后，光电耦合器的最大输出电流能够提升到10A，同时响应速度小于20 μ S，使光电耦合器的使用范围得到了扩展，在功率控制应用领域可在一定程度上替代传统的固体继电器。【主权项】1.一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其特征在于:所述发光部采用发光二极管(I)实现；所述光敏部由光敏晶体管(2)、分压电阻I (3)、分压电阻II (4)、稳压二极管(5)和N沟道增强型MOS管(7)组成，所述光敏晶体管(2)的受光部与发光二极管(I)的发光部位置相对；光敏晶体管(2)的发射极与A节点相连，光敏晶体管(2)的集电极与分压电阻II (4)的一端相连，分压电阻II (4)的另一端与D节点相连；稳压二极管(5)的阴极与A节点相连，稳压二极管(5)的阳极与B节点相连；分压电阻I (3)的两端分别与A节点和B节点相连#沟道增强型MOS管(7)的栅极与A节点相连，N沟道增强型MOS管(7)的源极与B节点相连，N沟道增强型MOS管(7)的漏极与C节点相连；B节点接地，C节点即形成光电转换单元的输出端，D节点接驱动电压。2.根据权利要求1所述的双路快速响应大电流输出型光电耦合器，其特征在于:所述两个光电转换单元中的电子元件对称分布。【专利摘要】一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其改进在于：发光部采用发光二极管实现；光敏部由光敏晶体管、分压电阻Ⅰ、分压电阻Ⅱ、稳压二极管和N沟道增强型MOS管组成。本技术的有益技术效果是：能提供较大的驱动电流，保证了光电耦合器的响应速度，能适应大电流功率输出环境的需求。【IPC分类】H03K19-14【公开号】CN204425316【申请号】CN201520156626【专利技术人】张佳宁, 徐道润, 欧熠, 陈春霞, 李祖安, 王君, 龚磊, 李洪玉 【申请人】中国电子科技集团公司第四十四研究所【公开日】2015年6月24日【申请日】2015年3月19日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双路快速响应大电流输出型光电耦合器，包括两个光电转换单元，所述光电转换单元由发光部和光敏部组成，其特征在于：所述发光部采用发光二极管（1）实现；所述光敏部由光敏晶体管（2）、分压电阻Ⅰ（3）、分压电阻Ⅱ（4）、稳压二极管（5）和N沟道增强型MOS管（7）组成，所述光敏晶体管（2）的受光部与发光二极管（1）的发光部位置相对；光敏晶体管（2）的发射极与A节点相连，光敏晶体管（2）的集电极与分压电阻Ⅱ（4）的一端相连，分压电阻Ⅱ（4）的另一端与D节点相连；稳压二极管（5）的阴极与A节点相连，稳压二极管（5）的阳极与B节点相连；分压电阻Ⅰ（3）的两端分别与A节点和B节点相连；N沟道增强型MOS管（7）的栅极与A节点相连，N沟道增强型MOS管（7）的源极与B节点相连，N沟道增强型MOS管（7）的漏极与C节点相连；B节点接地，C节点即形成光电转换单元的输出端，D节点接驱动电压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张佳宁，徐道润，欧熠，陈春霞，李祖安，王君，龚磊，李洪玉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：新型
国别省市：重庆;85
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