【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法，采用拼接方式分别对各CCD拼接芯片进行曝光，其特征在于，在上一块光刻掩膜版图形的拼接边上，设置有与下一块光刻掩膜版重叠的宽度为0.1微米的重叠区，并且，在重叠区内的几何图形的端头设置有大小为0.1微米×0.1微米的正方形补偿缺口；所述补偿缺口是指在该区域的曝光设置与图形区相反。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李佳，刘方，杨洪，高建威，邓涛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
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