铌酸锂起偏器芯片加工方法技术

一种铌酸锂起偏器芯片加工方法，包括如下步骤：1）对铌酸锂晶体进行切割，2）进行研磨抛光，3）采用质子交换退火工艺加工出波导，获得铌酸锂起偏器芯片；其改进在于：步骤1）中，进行切割时，切割面与铌酸锂晶体的Y轴方向平行，同时切割面与铌酸锂晶体的Z轴方向成一定夹角θ，0°＜θ＜90°；然后采用步骤2）、3）中的工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，最终获得起偏角度与波导面夹角成θ的铌酸锂起偏器芯片。本发明专利技术的有益技术效果是：在切割铌酸锂晶体时就完成了对铌酸锂起偏器芯片的起偏角度的调节，对切割工艺造成的影响仅在于调节切刀的角度，但却使耦合工艺的复杂度得到了大幅缩减，大大提高了耦合工艺的加工效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光波导器件起偏技术，尤其涉及一种。
技术介绍
随着技术的进步，工程
对于光电器件的集成度要求和传输光波偏振度要求都越来越高，如何在既保证传输光波偏振度的条件下又能同时提高光电器件集成度的问题成为目前业界的热点问题。最近的研究表明，将铌酸锂波导芯片直接作为起偏器应用于光学器件中，不仅可以使输出的线偏光获得较高的起偏度，而且能同时解决器件集成的问题；现在普遍采用的加工工艺为:1)对铌酸锂晶体按垂直于X轴或垂直于Z轴的晶向进行切割，获得铌酸锂晶片，2)对铌酸锂晶片表面进行研磨抛光，3)采用质子交换退火工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，获得铌酸锂起偏器芯片，然后采用耦合工艺将铌酸锂起偏器芯片与任意类型的其他光波导芯片进行端面耦合，由铌酸锂起偏器芯片直接对输入光进行起偏，这可以使线偏光在偏振度几乎无衰减的情况下直接进入任意类型的其他光波导芯片中； 工业生产中，用于加工波导芯片的人造晶体一般都为圆柱型晶柱(晶柱轴向可以为X轴，Y轴，Z轴)，为了便于后续的加工工艺，在切割时，其切割面一般都垂直于晶柱的轴向，切割为圆形(称为晶圆片)，这样切割的好处除了可以简化切割工艺外，还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铌酸锂起偏器芯片加工方法，该方法包括如下步骤：1）对铌酸锂晶体进行切割，获得铌酸锂晶片，2）对铌酸锂晶片表面进行研磨抛光，3）采用质子交换退火工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，获得铌酸锂起偏器芯片；其特征在于：步骤1）中，对铌酸锂晶体进行切割时，切割面与铌酸锂晶体的Y轴方向平行，同时切割面与铌酸锂晶体的Z轴方向成一定夹角???????????????????????????????????????????????，0°＜＜90°；然后采用步骤2）、3）中的工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，波导所在的结构体表面形成波导面，最终获得起偏角度与波导面夹角成的铌酸锂起偏器芯片。201310144145...

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂起偏器芯片加工方法，该方法包括如下步骤:1)对铌酸锂晶体进行切害I]，获得铌酸锂晶片，2)对铌酸锂晶片表面进行研磨抛光，3)采用质子交换退火工艺，在铌酸锂晶片上加工出波导，获得铌酸锂起偏器芯片；其特征在于: 步骤I)中，对铌酸锂晶体进行切割时，切...

【专利技术属性】
技术研发人员：华勇，朱学军，张征，林志，丁黔川，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：