晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法技术

本发明专利技术涉及晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法。一种晶片切割方法包括：在晶片的第一表面上形成半导体器件；对所述晶片的一部分和所述半导体器件进行第一切割；及通过对已进行第一切割的所述晶片进行第二切割，将所述晶片和所述半导体器件分成多个半导体器件芯片。

【技术实现步骤摘要】

与专利技术构思一致的设备和方法涉及晶片切割及制造发光器件(LED)芯片，尤其涉及晶片切割以及采用该晶片切割方法制造LED芯片的方法，该晶片切割用于通过对晶片的一部分进行第一切割，在其上进行额外操作，然后对晶片进行第二切割，来形成多个芯片。
技术介绍
在半导体封装组件工艺中，切割工艺是用于切割包括在晶片中的多个半导体芯片的工艺或者是用于将晶片分离成各个半导体芯片的工艺，使得各个半导体芯片可安装在用于半导体封装的基本框架上，例如引线框架或印刷电路板。切割工艺可以使用刀片、激光、等离子体蚀刻等进行。近来，由于半导体器件的容量、速度及小型化方面的改进，低k材料已经普遍用于金属之间的绝缘。低k材料包括具有小于硅氧化物的介电常数的电容率的材料。然而，当包含低k材料的晶片采用刀片被切割时，半导体芯片经常部分地有缺口或者半导体芯片经常破裂。为了消除这些缺陷，已经开发了新的切割方法，新的切割方法能够防止半导体封装组件工艺期间出现缺口缺陷或者破裂缺陷。例如，在刀片切割方法中，已经提出了其中通过调整刀片的旋转速度来切割晶片的方法，以减少缺口和破裂缺陷。然而，当通过调整刀片的旋转速度来切割晶片时，可以减少缺口缺陷或者破裂缺陷的发生，但是难以获得高质量的半导体芯片。另外，当调整刀片的旋转速度时，每单位时间周期切割的半导体芯片的数量减少，因而生产率变差。因此，使用激光或者等离子体蚀刻的切割工艺已经逐渐取代刀片切割方法。然而，在激光切割方法中，需要用昂贵的涂覆材料单独涂覆半导体芯片的有源表面，以防止在沿晶片的划片线形成沟槽时或者在沿着划片线完全切割晶片时切割的硅颗粒结合到半导体芯片的有源表面。另外，用于形成沟槽的激光不同于用于沿着划片线完全切割晶片的激光，而且在晶片沿着划片线被完全切割时管芯附着膜(die attach film:DAF)切割得不平滑。此外，在使用等离子体蚀刻的切割方法中，需要蚀刻掩模来防止在沿着划片线切割晶片时半导体芯片的表面被蚀刻。然而，在晶片制造工艺中，蚀刻掩模通常在单独的光刻工艺中形成，这使得整个半导体封装工艺复杂并且提高了总体制造成本。
技术实现思路
示范实施例可针对至少上述问题和/或缺点及上面未描述的其他缺点。另外，不要求示范实施例克服上述缺点，且示范实施例可不克服上述任何问题。一个或更多示范实施例提供晶片切割方法及采用该切割方法制造LED芯片的方法。根据不范实施例的一方面，一种晶片切割方法包括:在晶片的第一表面上形成半导体器件；对晶片的一部分和半导体器件进行第一切割；及通过对已进行第一切割的晶片的一部分进行第二切割，将晶片和半导体器件分成多个半导体器件芯片。 在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的30%至70%的深度的沟槽。在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的40%至60%的深度的沟槽。沟槽包括:多个第一沟槽，平行于第一方向形成在晶片上；及多个第二沟槽，平行于与第一方向垂直的第二方向形成在晶片上。第一切割通过使用刀片、激光或等离子体蚀刻执行。在第二切割中，通过施加物理力到晶片的第二表面，断开已进行第一切割的部分，第二表面是与第一表面相反的表面。物理力通过具有钝刀锋的切刀施加到晶片。晶片切割方法还包括附着切割带到晶片的第二表面上。晶片切割方法还包括在对半导体器件执行额外工艺。额外工艺包括在半导体器件上形成附加层。根据示范实施例的另一方面，提供一种制造LED芯片的方法，该方法包括:在晶片的第一表面上形成LED ;对晶片的一部分和LED进行第一切割；及通过对已进行第一切割的晶片的一部分进行第二切割，将晶片和LED分成多个LED芯片。LED包括堆叠结构，其中η型半导体层、有源层、和P型半导体层以顺序叠置。在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的30%至70%的深度的沟槽。在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的40%至60%的深度的沟槽。沟槽包括:多个第一沟槽，平行于第一方向形成在晶片中；及多个第二沟槽，平行于与第一方向垂直的第二方向形成在晶片中。第一切割通过使用刀片、激光或等离子体蚀刻执行。在第二切割中，通过施加物理力到晶片的第二表面，断开已进行第一切割的部分，第二表面是与第一表面相反的表面。物理力通过具有钝刀锋的切刀施加到晶片。该方法还包括在对半导体器件执行额外工艺。附加层包括荧光体材料。附加层通过丝网印刷形成。该方法还包括附着切割带到晶片的第二表面上。附图说明通过参照附图对某些示范实施例进行描述，本专利技术的上述和/或其他方面将变得更明显，附图中:图ΙΑ、1Β、1C、ID、1E、1F是示出根据示范实施例的晶片切割方法的示意图；图2A、2B、2C、2D、2E、2F是示出根据示范实施例制造LED芯片的方法的示意图；图3A和3B是根据示范实施例制造的LED芯片的俯视图；图4A和4B是根据对比实施例制造的LED芯片的俯视图。具体实施例方式现在将参照附图更详细地描述某些示范实施例。在下面的描述中，相似的附图标记用于相似的元件，即使是在不同的图中。说明书中限定的事物，诸如详细构造和元件，被提供来辅助对示范实施例的透彻理解。然而，可以实践示范实施例而没有这些具体限定的事物。另外，没有详细描述公知的功能或构造，因为它们会以不必要的细节模糊本申请。下面详细描述根据示范实施例的晶片切割方法。图1A-1F是示出根据示范实施例的晶片切割方法的示意图。参照图1A，晶片110被提供，且半导体器件122可形成在晶片110上。晶片110可以由 S1、SiAl.GaAs, Ge、SiGe, AIN、GaN, AlGaN, SiC, Zn。、或 AlSiC 形成。然而，示范实施例不限于此。半导体器件122可包括半导体层、绝缘层和金属层中的至少一种。参照图1B，切割带130可附着到晶片110的第一或后表面124，即晶片110的与晶片110的其上形成半导体器件122的第二表面126相反的表面。切割带130是具有粘性的膜，用于在晶片110被切割时固定或支承晶片110。切割带130可包括由聚合物树脂形成的基膜以及布置在基膜的表面上的粘合层。基膜可以例如由聚氯乙烯(PVC)、聚烯烃(PO)、或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。粘合层可以由丙烯酸树脂形成。接着，晶片110的一部分和半导体器件122可进行第一切割。在第一切割操作中，单个半导体器件122可被分成多个半导体器件120。另外，在第一切割操作中，通过从晶片110的第一部分128切掉第一切割部分，多个沟槽115可形成在晶片110中。然而，在第一切割操作中，晶片110未被完全切割成多个晶片112。由于沿厚度方向晶片110的仅一部分被去除,在第一切割操作中,第一切割操作可称为半切割或者部分切割操作。第一切割操作可通过使用刀片、激光、或等离子体蚀刻进行。换言之，多个沟槽115可通过使用刀片、激光、或等离子体蚀刻形成。沟槽115的深度h2可以为晶片110的厚度hi的大约30%至大约70%。更特别地，沟槽115的深度h2可以为晶片110的厚度hi的大约40%至大约60%。另外，更特别地，沟槽115的深度h2可以为晶片110的厚度hi的大约50%。例如，如果晶片110的厚度hi为大约10 μ m至大约1000 μ m,则沟槽115的深度h2可以为大约5 μ m至大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片切割方法，包括：在晶片的第一表面上形成半导体器件；对所述晶片的第一部分和所述半导体器件进行第一切割，从而产生多个半导体器件；及通过对已进行第一切割的所述晶片的第二部分进行第二切割，将所述晶片和所述多个半导体器件分成多个半导体器件芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金南胜，金维植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：