沟槽加工工具及沟槽加工方法技术

本发明专利技术有关于一种沟槽加工工具，是在积成型薄膜太阳电池的沟槽加工，即使用于加工的薄膜较厚，亦能够直线地形成固定线宽的美丽的刻划线。该沟槽加工工具由棒状的本体、以及形成于本体前端的刀刃前端区域11所构成；刀刃前端区域11由长方形的底面12、从底面12的长边方向的边相对于底面12而立起成直角的相互平行的左侧面13及右侧面14、以及沿着底面12的宽度方向的边而形成于刀刃前端区域11的前面侧或后面侧的至少任一方侧的刀刃前端部16所构成；刀刃前端部16形成有由在底面12的端缘朝向斜上方倾斜的第1刀刃面18、以及相对于第1刀刃面18而交叉成锐角的第2刀刃面19所构成的刀刃前端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种沟槽加工工具，特别是有关于使用于制造黄铜矿(chalcopyrite)化合物太阳电池或非晶(amorphous)娃太阳电池等积成型薄膜太阳电池时的沟槽加工的沟槽加工工具、以及使用该沟槽加工工具的沟槽加工方法。在此，所谓的黄铜矿化合物，除了 CIGS (Cu (In，Ga) Se2)之外，还包括CIGSS (Cu (In，Ga) (Se，S)2)、CIS (CuInS2)等。
技术介绍
在使用黄铜矿化合物半导体等作为光吸收层的薄膜太阳电池中，一般在基板上串联连接形成有多个单位晶格(unit cell)的积成型构造。现对现有习知的黄铜矿化合物积成型薄膜太阳电池的制造方法进行说明。图6(a)、图6(b)及图6(c)，表示CIGS薄膜太阳电池的制造步骤的示意图。首先，如图6(a)所示，在由碱石灰玻璃(SLG)等构成的绝缘基板I上，借由溅镀法形成有成为正极侧的下部电极的Mo电极层2之后，对形成光吸收层前的薄膜太阳电池基板，借由刻划加工形成下部电极分离用的沟槽S (Pl步骤)。之后，如图6(b)所示，在Mo电极层2上，借由蒸着法、溅镀法等形成由化合物半导体(CIGS)薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽加工工具，其特征在于：其由棒状的本体、以及形成于本体前端的刀刃前端区域所构成；刀刃前端区域，由长方形的底面、从底面长边方向的边相对于底面立起成直角的相互平行的左侧面及右侧面、以及沿着底面宽度方向的边而形成于刀刃前端区域的前面侧或后面侧的至少任一方侧的刀刃前端部所构成；该刀刃前端部，由在底面的端缘朝向斜上方倾斜的第1刀刃面、以及相对于第1刀刃面交叉成锐角的第2刀刃面所形成。

【技术特征摘要】
2012.01.18 JP 2012-0079961.一种沟槽加工工具，其特征在于: 其由棒状的本体、以及形成于本体前端的刀刃前端区域所构成； 刀刃前端区域，由长方形的底面、从底面长边方向的边相对于底面立起成直角的相互平行的左侧面及右侧面、以及沿着底面宽度方向的边而形成于刀刃前端区域的前面侧或后面侧的至少任一方侧的刀刃前端部所构成； 该刀刃前端部，由在底面的端缘朝向斜上方倾斜的第I刀刃面、以及相对于第I刀刃面交叉成锐角的第2刀刃面所形成。2.如权利要求1所述的沟槽加工工具，其特征在于其中借由该第I刀刃面与第2刀刃面而形成的刀刃前端的角度为30 85度。3.如权利要求1或2所述的沟槽加工工具，其特征在于其中该第I刀刃面相对于...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田充，曾山正信，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：