本发明提供一种陶瓷组件及其制备方法、陶瓷封装外壳的制备方法。该陶瓷组件包括：多层陶瓷基板层叠结构的本体。本体包括成品区、辅助区。成品区的表面设有N个电镀参数不同且互不连通的电镀区。辅助区平行于多层陶瓷基板平面方向的截面的外轮廓为多边形。...

本申请适用于介质谐振器技术领域，提供了一种介质谐振器用连接插芯，该连接插芯包括：连接部和插接部，连接部和插接部一体成型，其中，插接部为叉状结构，包括第一插指和第二插指；当插接部插入设有内孔的介质谐振器时，第一插指不与介质谐振器电连接，第...

本申请适用于陶瓷外壳封装领域，提供了一种三维立体封装外壳及其制备方法，该封装外壳包括：陶瓷件，陶瓷件为横截面呈方形的柱状结构，在陶瓷件的上表面和侧面设有用于安装器件的多个第一焊盘；在陶瓷件的底面设有用于安装器件的多个第二焊盘；第一焊盘和...

本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器，该方法包括：在硅晶圆衬底制备多级PN结，得到N+层、多个P+层和多个I层区域；在每个P+层的上表面制备上电极；在N+层的下表面制备下电极；在N+层的上表面制备第一...

本发明提供一种双面金刚石的制备方法及双面金刚石。该方法包括：在衬底的上表面和下表面均制备金刚砂种子，得到第一复合衬底；将散热工装放置在金刚石生长炉内的钼托上，散热工装为环形中空结构，在散热工装的侧壁设有穿透侧壁的孔；将第一复合衬底放在所...

本申请适用于陶瓷外壳设计加工领域，提供了一种陶瓷外壳及其封装方法，该陶瓷外壳包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板中部用于设置芯片；陶瓷墙，设置在陶瓷基板上，所述芯片位于陶瓷墙围合成的空间内；其中，陶瓷墙的侧面设置有开口，外部的引线能够通过开口引...

本发明提供一种微波屏蔽装置及微波组件。该装置包括：金属外框，至少一个设于金属外框内部的金属隔离墙。金属隔离墙将金属外框的内部隔离为多个互不连通的区域。金属外框与金属隔离墙为可拆卸连接。金属外框朝向开口方向的其中一端设有第一金属屏蔽盖。金...

一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法，属于半导体材料的制备领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、将籽晶和多晶分离设置；步骤2、加热籽晶和多晶远端的端面，端面温度小于半导体的熔点；步骤3、加热籽晶端面是籽晶部分融化，在籽晶端面中心形成初始熔...

本发明提供了一种应用于小尺寸陶瓷外壳封装贴片的阵列模具，属于陶瓷封装技术领域，包括模具本体，模具本体上呈阵列分布有若干定位腔，定位腔的底部设有真空吸孔，真空吸孔包括主吸孔及与主吸孔连通的吸附槽，吸附槽设置于定位腔的浅表层。本发明提供的应...

本发明提供一种陶瓷外壳制备方法及陶瓷外壳。该方法包括：制备目标陶瓷瓷件的第一引线框和第二引线框；将目标陶瓷瓷件放置在第一引线框的框内，并将第一引线框连接的打弯引线焊接在目标陶瓷瓷件的第一组对边上；裁去第一引线框上未连接打弯引线的一组对边...

本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在片开路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片开路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准...

本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件...

本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在片开路校准件的测量值和在片短路校准件的测量值；基于预先确定的关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值、在片开路校准件的测量值和在片短路校准件的测量值，计算在...

本实用新型提供了一种对称封接引线陶瓷绝缘子密封结构，属于电子封装技术领域，包括陶瓷绝缘子、引线和两个密封圈，引线安装于封接孔内，两个所述密封圈分别同轴套设于所述引线外圆周且分别贴于所述陶瓷绝缘子内外两端面，所述陶瓷绝缘子内端面和外端面均...

本实用新型提供了一种低应力引线陶瓷绝缘子密封结构，属于电子封装技术领域，包括陶瓷绝缘子、引线和两个密封圈，引线安装于封接孔内，两个所述密封圈分别同轴套设于所述引线外圆周且分别贴于所述陶瓷绝缘子内外两端面，所述陶瓷绝缘子内端面和外端面均设...

本实用新型提供了一种引线陶瓷绝缘子密封结构，属于电子封装技术领域，包括陶瓷绝缘子、引线、内密封圈和外密封圈，陶瓷绝缘子封接孔内无金属化层，引线安装于封接孔内，陶瓷绝缘子内端面和外端面均设有金属化层且金属化层与引线连接，内密封圈和外密封圈...

本申请适用于半导体技术领域，提供了GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法，该GaAs基PHEMT材料结构包括：GaAs衬底；复合缓冲层，设置于GaAs衬底上表面；多周期超晶格层，设置于复合缓冲层上表面；有源层，设置于多周期超晶格层上表...

本发明适用于二极管技术领域，提供了一种GaAs平面掺杂势垒二极管及其制备方法，所述方法包括：在半绝缘衬底上逐层外延生长第一电极接触层、第一扩散阻挡层、第一非掺层、p型电荷层、掺杂层、第二非掺层、第二扩散阻挡层、上接触过渡层和第二电极接触...

本申请适用于半导体及微电子技术领域，提供了基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器，包括：输入单元、输出单元、第一时钟信号单元、第二时钟信号单元、第一有源电阻单元、第二有源电阻单元、第三有源电阻单元和第四有源电阻单元；当第一时钟信号单元接...

本发明提供了一种瓦片式多通道集成天线微波T/R组件，属于微波技术领域，包括垂直层叠的辐射天线、载板及散热冷板，多功能芯片设置于载板的正面；辐射天线集成于载板的正面，且具有隔离多功能芯片的第一隔离槽；功分网络设置于载板的背面；射频接头和低...