本发明提供一种太赫兹倍频电路芯片和太赫兹二倍频器。该芯片包括：衬底。对称集成于所述衬底上的第一微带探针、第二微带探针、第一倍频支路和第二倍频支路。第一肖特基二极管模块的输入端连接第一微带探针，第一肖特基二极管模块的输出端连接第一微带线的...

本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括如下步骤：在清洗后的SiC外延片上完成对P阱区域、N+区域、P+区域的离子注入及高温激活；在外延片对应栅区的位置通过刻蚀形成栅区沟槽；在SiC外延层上表面淀积一层二氧化硅，淀积...

本发明实施例提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法，该器件包括：衬底；位于衬底上表面的绝缘氮化镓层；位于绝缘氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；两个台面结构从下向上依次为P

本发明提供了一种基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制备方法，属于微电子封装技术领域，包括微波封装管壳、金属基微流道散热器以及芯片和电路模块，微波封装管壳包括底板、固设于底板上的墙体以及封装于墙体上的盖板。金属基微流道散热器包括微...

一种磷化铟多晶合成的方法，属于半导体技术领域，包括：将坩埚内的铟加热形成熔体；打开冷凝器；将磷加热气化，气化的磷蒸气进入坩埚中的熔体，与铟化合反应生成磷化铟；溢出熔体的磷蒸气与冷凝器发生热交换，凝结成液滴，流入液磷输送管；液磷输送管内的...

本发明提供一种脊波导功分器。该脊波导功分器包括：第一级脊波导功分器、第二级脊波导功分器和脊波导

本发明适用于二极管技术领域，提供了一种气密管壳及检测气密管壳内氢气氛的方法，所述检测气密管壳内氢气氛的方法包括：在气密管壳设置有GaAs场效应管，GaAs场效应管的漏极与所述气密管壳的引出管脚连接，对引出管脚施加电压，采集所述引出管脚的...

一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，属于半导体材料技术领域，包括：将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3

一种离心扩散合成化合物的装置和方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、离心扩散系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，...

一种化合物低温连续合成装置及合成方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔...

本发明提供了一种手持式射频微波探针，属于微波射频技术领域，包括第一外壳、第二外壳、信号传输导体以及接地弹簧针，第二外壳与第一外壳固定连接；信号传输导体其一端固定于第一外壳内，其另一端从第二外壳内穿出，外露于第二外壳外，构成信号传输端；接...

本实用新型提供了一种金属陶瓷绝缘子封接外壳，属于电子封装技术领域，包括底盘、连接于底盘的金属墙体、连接于金属墙体的封口环、陶瓷绝缘子和连接于陶瓷绝缘子的引线，底盘、金属墙体和封口环形成腔体，金属墙体上形成有通槽孔，陶瓷绝缘子安设于通槽孔...

本发明提供一种氮化镓双向TVS器件及制备方法。该器件包括：衬底；位于衬底上表面的N+氮化镓层；位于N+氮化镓层上表面的第一台面结构、第二台面结构和钝化层；位于第一台面结构上表面的第一正极和位于第二台阶结构上表面的第二正极；第一台面结构、...

本发明提供了一种非接触式晶圆翻转装置及翻转方法，属于半导体制作技术领域，包括旋转手指气缸、两组晶圆夹持支撑件以及晶圆夹持机械手，旋转手指气缸具有至少180

本发明提供一种倍频二极管芯片结构及其制备方法。该结构包括：衬底；设置在衬底上的N+氮化镓层；沿第一方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的第一、第二阳极焊盘；沿第二方向，设置在衬底上，分别位于N+氮化镓层两侧的共阴极焊盘；沿第二方...

本发明提供一种芯片的立式封装外壳及其制备方法。该芯片的立式封装外壳包括：陶瓷件和封口环；在陶瓷件的上表面设置金属图形，在金属图形的上表面设有封口环，陶瓷件的上表面用于设置目标芯片；在陶瓷件的上表面相邻的侧面上设有焊盘，使用时焊盘与印制线...

本发明提供了一种Ka频段多通道T/R组件，属于射频微波技术领域，包括天线收发单元和功分单元，天线收发单元包括射频板、集成于射频板正面的天线模块以及堆叠于射频板背面的四通道多功能模块；功分单元包括功分板、层叠于功分板背面的功分模块以及设置...

本发明提供了一种基于硅基微系统的三维封装方法，属于硅基微系统微组装技术领域，包括在掩膜版上制作预设闭环图形；在第一层硅基板的上表面上和/或第二层硅基板的下表面上，涂胶、光刻、显影，形成预设闭环图形；在第二层硅基板上刻蚀第一窗口；在预设闭...

本发明提供一种准连续阵列激光泵源及其制备方法。该制备方法包括：在每相邻两个热沉片之间分别烧结一个激光器芯片，且激光器芯片的发光面作为上表面，烧结位置处的热沉片的侧面与对应的激光器芯片的侧面均接触，得到第一样品；将第一样品的下表面烧结于瓷...

本发明提供一种回转体零件轮廓度误差计算方法及电子设备。该方法包括：对回转体零件中回转面上的每个测量点进行坐标变换处理，得到每个测量点的第一坐标；建立理想回转面模型，并对理想回转面模型进行区域划分，得到标准区域和逼近区域；当测量点处于标准...