本申请适用于混频器技术领域，提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括：第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号；第一电桥的直通端连接第一场效应晶体管的栅极，第...

本发明提供了一种吸擦一体式擦头装置，包括吸盘主体和吸盘芯，吸盘主体上表面设有用于容纳研磨液的第一环形凹槽，第一环形凹槽的底部设有第一研磨液排出孔，安装圆台的中心设有第一通气孔；吸盘芯安装在吸盘主体的下表面；吸盘芯具有与第一通气孔同轴连通...

本发明提供一种偏振控制器、偏振控制系统及偏振输出光的角度调节方法。该偏振控制器包括：起偏器、磁光介质、检偏器以及电生磁装置；起偏器的中心、磁光介质的中心以及检偏器的中心处于同一水平线上，且起偏器与检偏器分别位于磁光介质两侧，检偏器设置有...

一种带加热罩的晶体生长装置，涉及晶体制备领域，包括炉体，炉体内的坩埚、籽晶杆、移动式晶体加热罩、炉体顶部的石英观察窗，移动式晶体加热罩由对称的左罩体、右罩体组成，左罩体和右罩体合并后形成顶部密封下部开口的圆筒形加热罩。采用本实用新型提出...

本发明提供了一种射频组件测试设备，包括顺次连接的常温室、低温室、中转室和高温室，其保证了测试的准确性，测试过程避免人工介入，提升了测试效率，适应于全自动的测试需求。本发明还提供一种射频组件测试方法，其过程简单，不需要人工参与，能准确的控...

本申请适用于半导体衬底材料制备技术领域，提供了一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法，该GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法包括：将衬底置入MOCVD设备的反应室；在衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层；在高温条件下，在第一GaN层上生...

本发明提供一种系统级的封装结构，包括一基板，位于基板的第一表面的第一散热盖板，以及位于基板的第二表面的第二盖板；基板上至少设有一贯通基板上下表面的空腔，空腔内设有一金属热沉，金属热沉的一面用于固定键合类芯片的键合面，金属热沉的另一面通过...

本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感...

本发明提供一种系统级数模混合芯片封装结构及方法，该结构包括均设置焊盘阵列的数字电路基板、第一垂直互联电路板、模拟电路基板、第二垂直互联电路板和载板；数字电路基板同轴垂直设置在模拟电路基板的上方，数字电路基板通过第一垂直互联电路板与模拟电...

本发明提供了一种无引线陶瓷外壳及加工方法，属于陶瓷外壳加工技术领域，其中无引线陶瓷外壳包括陶瓷主体、封口焊盘和侧面焊盘结构；陶瓷主体的背面的边缘均匀分布有多个背面焊盘；封口焊盘设于陶瓷主体的封口面，封口焊盘的外侧边缘与陶瓷主体的外侧边缘...

本发明提供一种交叉腔体结构及其制造方法、微波电路、电子设备。该结构包括：第一腔体、第二腔体以及盖板，第一腔体与第二腔体相互交叉，第二腔体的腔体壁上设有第一凹槽，盖板上设有隔梁，隔梁上连接有隔板，隔板插入第一凹槽中。本发明能够改善腔体交叉...

本申请适用于电子元器件检测技术领域，提供了一种真空封装器件内部气氛的测试工装、方法和校准方法，该测试工装包括：第一腔体、第二腔体、刺针结构和外置加热机构；第一腔体与第二腔体连通，第一腔体为测试腔体；在测试工装使用过程中，第一腔体与被测件...

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种贴片电极及片内热阻测试方法，本发明实施方式公开的一种贴片电极，利用该高热导率材料，能够显著降低贴片式电极对测试结果带来的影响，简化3ω测试的工艺准备流程，推动3ω方法的推广应用。本发明提供的的贴片...

一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T0，800℃amp;lt;T...

本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对N

本发明提供了一种超大功率的X波段内匹配功率管，属于微波技术领域，包括封装管壳、管芯台、高压GaN管芯、输入匹配电路及输出匹配电路，管芯台封装于所述封装管壳内；高压GaN管芯设置于所述管芯台上，高压GaN管芯工作电压为70～100V；输入...

本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N

本申请适用于无线电系统电路技术领域，提供了一种滤波限幅器及雷达接收系统。该滤波限幅器包括：输入谐振单元、中间谐振单元和输出谐振单元；输入谐振单元包括第一电感；输出谐振单元包括第二电感；中间谐振单元包括第三电感和第四电感；第一电感、第二电...

本发明提供一种基于MMIC的高频宽带功率放大器及电子设备，其中，高频宽带功率放大器包括：多级放大器级联的GaN MMIC电路，每级放大器均包括栅极偏置电路和漏极偏置电路，且每级放大器的漏极偏置电路通过传输线和低寄生介质电容与下一级放大器...

本申请提供一种在片S参数测量系统误差修正方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值，并基于预先确定的第一关系式，对在片负载校准件进行修；然后，根据修正后的在片负载校准件对在片S参数系统进行校准。最后，对在片S参数测量...