【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
[0001]本专利技术涉及二极管制备
,尤其涉及一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。
技术介绍
[0002]半导体材料在现代信息工业化社会中发挥着不可替代的作用,是现代半导体工业及微电子工业的基石。随着各种先进技术的不断发展,第三代半导体材料,如氮化镓和碳化硅,已经无法满足半导体二极管日益增长的需求。
[0003]近年人们提出了第四代半导体材料,一种在大气条件下稳定存在的新型金属氧化物半导体——氧化镓,相较于第三代半导体材料,氧化镓具有更大禁带宽度、更大的巴利加优值和更高的击穿场强等优异特性。因此,氧化镓材料被广泛应用在二极管的制备过程中。
[0004]然而,使用氧化镓制备二极管的技术方案都需要先在衬底上外延氧化镓层,但外延氧化镓层不仅难以有效控制厚度均匀性和掺杂浓度均匀性,还很有可能产生沉淀、位错环或刃位错等外延缺陷,这不仅降低了二极管器件的性能和成品率,还提高了二极管器件的生产成本。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供了一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管,能够实现在无需氧化镓外延工艺的前提下,仅采用N
+
型氧化镓单晶衬底制备肖特基二极管,从而解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高的问题。
[0006]第一方面,本专利技术实施例提供了一种肖特基二极管制备方法,包括:
[0007]利用高温热氧化工艺对目标N
+
型氧化镓衬底进行氧化处理,得到形成在所述目
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管制备方法,其特征在于,包括:利用高温热氧化工艺对目标N
+
型氧化镓衬底进行氧化处理,得到形成在所述目标N
+
型氧化镓衬底上表面的第一N
‑
型氧化镓漂移层,以及在所述目标N
+
型氧化镓衬底下表面的第二N
‑
型氧化镓漂移层;在所述第一N
‑
型氧化镓漂移层的上表面和所述第二N
‑
型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极;对所述目标N
+
型氧化镓衬底进行裁切,得到第一N
+
型氧化镓衬底和第二N
+
型氧化镓衬底;其中,所述第一N
+
型氧化镓衬底的上表面为所述第一N
‑
型氧化镓漂移层,所述第二N
+
型氧化镓衬底的下表面为所述第二N
‑
型氧化镓漂移层;在所述第一N
+
型氧化镓衬底的下表面和所述第二N
+
型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极,得到两个所述肖特基二极管。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管制备方法,其特征在于,所述阴极电极与所述第一N
+
型氧化镓衬底、所述第二N
+
型氧化镓衬底的接触为欧姆接触;所述阳极电极与所述第一N
‑
型氧化镓漂移层、所述第二N
‑
型氧化镓漂移层的接触为肖特基接触。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管制备方法,其特征在于,所述利用高温热氧化工艺对目标...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕元杰,王元刚,刘宏宇,秦哲,李保弟,孙保瑞,周国,卜爱民,冯志红,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:
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