【技术实现步骤摘要】
一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法
[0001]本专利技术属于半导体材料
，尤其涉及一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法。
技术介绍
[0002]InP（磷化铟）是继硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）之后的一种重要化合物半导体材料，是制备高频和高速器件的首选材料之一，InP基微电子器件具有高频、低噪声、高效率、抗辐照等特点，广泛应用于5G网络、空间太阳能电池、太赫兹通信、毫米波通信与探测等领域。
[0003]磷化铟多晶料是制备单晶的基础，磷化铟单晶生产过程中需要投入大量的磷化铟多晶料。
[0004]制备磷化铟单晶后剩余的磷化铟多晶料是一种可利用的资源，经清洗后可以回炉再次制备磷化铟单晶。
[0005]在单晶生长过程中，剩余的磷化铟多晶材料含铟元素，形成非配比磷化铟多晶，并且形状也较原始材料更多样，常规的清洗方法不适合回炉用的磷化铟多晶。
[0006]目前的磷化铟多晶料清洗工艺，均采用物理方法进行清洗，再对表面进行腐蚀，一般都是在清洗液中浸泡实现清洗，清洗液一般是溴甲醇、氢氟...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1、将非配比磷化铟多晶料用酒精清洗，然后用去离子水清洗3
‑
5遍；步骤2、将多晶料在流动惰性气体下加热至800
‑
850℃，持续20
‑
60min，然后降低温度至室温；步骤3、打磨，去掉表层的磷化铟；步骤4、将打磨后的多晶料浸入盐酸中腐蚀1
‑
2min，然...
【专利技术属性】
技术研发人员：王书杰，孙聂枫，徐森锋，邵会民，史艳磊，李晓岚，王阳，刘峥，张晓丹，姜剑，康永，张鑫，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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