在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质技术

本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取在短路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。本申请能够提高在片S参数测量系统的测量可靠性。测量系统的测量可靠性。测量系统的测量可靠性。

【技术实现步骤摘要】
在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及在片S参数
，尤其涉及一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]微电子行业中使用的在片S参数测量系统在使用前，需要选用合适的校准方法对系统进行校准，现有的在片校准大多会采用8
‑
team误差模型。该8
‑
team误差模型分别对系统源/负载匹配、反射/传输跟踪、方向性、隔离等不理想进行了表征，在在片S参数领域、同轴和波导领域具有很高的准确度，因而得到了广泛的应用。
[0003]在通过8
‑
team误差模型对在片S参数测量系统进行校准时，通常直接利用负载电感的标准值进行校准。然而，由于在测量时压针位置的不同，负载电感值也会实时变化，仅利用负载电感的标准值进行校准可能会存在误差。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质，以解决由于在测量时压针位置的不同，负载电感值也会实时变化，仅利用负载电感的标准值进行校准可能会存在误差的问题。
[0005]第一方面，本申请提供了一种在片S参数提取负载电感的方法，包括：
[0006]获取在短路校准件的测量值；
[0007]基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；
[0008]根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。
[0009]在一种可能的实现方式中，第一关系式包括下述至少一项；
[0010]第一在片短路关系式为：
[0011][0012]其中，L
load,short,1
表示利用在片短路校准件在第一端口提取的在片负载校准件的当前负载电感，R
1,load
表示在片负载校准件在第一端口的负载电阻值，real(Z
1,app,short
)表示在片短路校准件在第一端口的第一短路测量值的实部，imag(Z
1,app,short
)表示第一短路测量值的虚部，w＝2πf，f表示在片S参数测量系统的频率；
[0013]第二在片短路关系式为：
[0014][0015]其中，L
load,short,2
表示利用在片短路校准件在第二端口提取的在片负载校准件的当前负载电感，R
2,load
表示在片负载校准件在第二端口的负载电阻值，real(Z
2,app,short
)表示在片短路校准件在第二端口的第二短路测量值的实部，imag(Z
2,app,short
)表示第二短路测量
值的虚部。
[0016]在一种可能的实现方式中，计算在片负载校准件的当前负载电感，包括：
[0017]将L
load,short,1
作为在片负载校准件的实际负载电感，或者将L
load,short,2
作为在片负载校准件的实际负载电感，或者计算L
load,short,1
和L
load,short,2
的平均值，并将该平均值作为在片负载校准件的实际负载电感。
[0018]在一种可能的实现方式中，获取在短路校准件的测量值之后，方法还包括：
[0019]获取在片开路校准件的测量值；
[0020]相应的，基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片开路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感，包括：
[0021]基于第一关系式和预先确定的第二关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值、在片开路校准件的测量值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感。
[0022]在一种可能的实现方式中，第二关系式包括下述至少一项：
[0023]第一在片开路关系式为：
[0024][0025]其中，L
load,open,1
表示利用在片开路校准件在第一端口提取的在片负载校准件的当前负载电感，R
1,load
表示在片负载校准件在第一端口的负载电阻值，real(Z
1,app,open
)表示在片开路校准件在第一端口的第一开路测量值的实部，imag(Z
1,app,open
)表示第一开路测量值的虚部，w＝2πf，f表示在片S参数测量系统的频率；
[0026]第二在片开路关系式为：
[0027][0028]其中，L
load,open,2
表示利用在片开路校准件在第二端口提取的在片负载校准件的当前负载电感，R
2,load
表示在片负载校准件在第二端口的负载电阻值，real(Z
2,app,open
)表示在片开路校准件在第二端口的第二开路测量值的实部，imag(Z
2,app,open
)表示第二开路测量值的虚部。
[0029]在一种可能的实现方式中，获取在片短路校准件的测量值，包括：
[0030]采用在片S参数测量系统分别测量在片负载校准件、在片开路校准件和在片短校准件，得到在片负载S参数、在片开路S参数和在片短路S参数；
[0031]根据在片负载S参数、在片开路S参数和在片短路S参数，计算在片S参数测量系统的初始八项误差；
[0032]根据初始八项误差计算在片短路校准件的测量值。
[0033]在一种可能的实现方式中，根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准，包括：
[0034]基于在片负载校准件的当前负载电感，计算在片S参数测量系统的修正八项误差；
[0035]根据修正八项误差对被测件进行校准。
[0036]第二方面，本申请提供了一种在片S参数提取负载电感的装置，包括：
[0037]第一获取模块，用于获取在短路校准件的测量值；
[0038]第一计算模块，用于基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和在片短路校准件的测量值，计算在片负载校准件的当前负载电感；
[0039]校准模块，用于根据在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。
[0040]第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式在片S参数提取负载电感的方法的步骤。
[0041]第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式在片S参数提取负载电感的方法的步骤。
[0042]本申请提供一种在片S参数提取负载电感的方法、电子设备及存储介质，考虑到在校准过程中，测量时不同压针位置可能会导致在片负载校准件的负载电感会发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在片S参数提取负载电感的方法，其特征在于，包括：获取在短路校准件的测量值；基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和所述在片短路校准件的测量值，计算所述在片负载校准件的当前负载电感；根据所述在片负载校准件的当前负载电感对被测件进行校准。2.根据权利要求1所述的在片S参数提取负载电感的方法，其特征在于，所述第一关系式包括下述至少一项；第一在片短路关系式为：其中，L
load,short,1
表示利用所述在片短路校准件在第一端口提取的在片负载校准件的当前负载电感，R
1,load
表示所述在片负载校准件在所述第一端口的负载电阻值，real(Z
1,app,short
)表示所述在片短路校准件在所述第一端口的第一短路测量值的实部，imag(Z
1,app,short
)表示所述第一短路测量值的虚部，w＝2πf，f表示在片S参数测量系统的频率；第二在片短路关系式为：其中，L
load,short,2
表示利用在片短路校准件在第二端口提取的在片负载校准件的当前负载电感，R
2,load
表示所述在片负载校准件在所述第二端口的负载电阻值，real(Z
2,app,short
)表示所述在片短路校准件在所述第二端口的第二短路测量值的实部，imag(Z
2,app,short
)表示所述第二短路测量值的虚部。3.根据权利要求2所述的在片S参数提取负载电感的方法，其特征在于，所述计算所述在片负载校准件的当前负载电感，包括：将L
load,short,1
作为所述在片负载校准件的实际负载电感，或者将L
load,short,2
作为所述在片负载校准件的实际负载电感，或者计算L
load,short,1
和L
load,short,2
的平均值，并将该平均值作为所述在片负载校准件的实际负载电感。4.根据权利要求1所述的在片S参数提取负载电感的方法，其特征在于，在获取在短路校准件的测量值之后，所述方法还包括：获取在片开路校准件的测量值；相应的，所述基于预先确定的第一关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值和所述在片开路校准件的测量值，计算所述在片负载校准件的当前负载电感，包括：基于所述第一关系式和预先确定的第二关系式，根据在片负载校准件的负载电阻值、所述在片开路校准件的测量值和所述在片短路校准件的测量值，计算所述在片负载校准件的当前负载电感。5.根据权利要求4所述的在片S参数提取负载电感的方法，其特征在于，所述第二关系式包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍晔，吴爱华，王一帮，栾鹏，刘晨，梁法国，孙静，陈晓华，张晓云，李彦丽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：