【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频封装，尤其涉及一种用于提高功率放大器散热的垫片、制作方法及电子器件。
技术介绍
1、功率放大器是微波领域常用器件，是将微波信号功率放大的必选器件。随着第三代半导体材料的应用，功率放大器芯片有了更高的功率密度，可在几毫米的面积内产生几十瓦的功率。然而随着功率的提高，热耗也相应的增大，功率放大器的散热问题也会更加突出。散热不良会引起微波性能退化，严重时造成功率放大器芯片烧毁。解决功率放大器散热是其应用的必要前提。
2、现阶段功率放大器的散热方式主要集中在水冷、风冷、大面积金属散热齿三个方面，这也是常规的散热方式。水冷散热只能针对组件级散热，当功率放大器的热耗无法完全传递到组件盒体时，这种散热的方式无法处理功率放大器到组件盒体的散热。风冷散热可以针对组件级功率放大器的散热，也可以针对功率放大器到组件盒体的散热，但是这种方式占用面积较大，浪费电路板和组件的空间。大面积金属散热齿是将功率放大器紧贴在散热齿上，对应位置的pcb(printed circuit board，印刷电板)板做挖槽处理，这样就造成了pcb板应用面积的浪费。
3、因此，现阶段亟需一种新的散热方法，以克服现阶段功率放大器的散热方式的局限性。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种用于提高功率放大器散热的垫片、制作方法及电子器件，以解决现阶段功率放大器的散热方法存在局限性的问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于提高功率放大器散热的垫片，包括：
<...【技术保护点】
1.一种用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，包括：热沉、空芯电感和引脚焊盘；所述热沉通过所述空芯电感与所述引脚焊盘连接；
2.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感包括第一空芯电感和第二空芯电感；
3.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感的线圈的直径和匝数基于所述空芯电感的电感量确定；
4.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感的电感量与所述功率放大器芯片所处理的微波信号的频率满足以下关系：
5.如权利要求4所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述电阻的阻值大于或等于500Ω。
6.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述垫片中的所述热沉和所述引脚焊盘的厚度为0.5mm；
7.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感设于所述功率放大器芯片的引脚的下方。
8.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述热
9.一种垫片的制作方法，其特征在于，应用于如权利要求1-8任一项所述的用于提高功率放大器散热的垫片，所述方法包括：
10.一种电子器件，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的用于提高功率放大器散热的垫片、功率放大器芯片和电路板；所述垫片包括热沉、空芯电感和引脚焊盘；
...【技术特征摘要】
1.一种用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，包括：热沉、空芯电感和引脚焊盘；所述热沉通过所述空芯电感与所述引脚焊盘连接；
2.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感包括第一空芯电感和第二空芯电感；
3.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感的线圈的直径和匝数基于所述空芯电感的电感量确定；
4.如权利要求1所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述空芯电感的电感量与所述功率放大器芯片所处理的微波信号的频率满足以下关系：
5.如权利要求4所述的用于提高功率放大器散热的垫片，其特征在于，所述电阻的阻值大于或等于500ω。
【专利技术属性】
技术研发人员：颜廷臣，王立亚，文松，陈茂林，周彪，袁彪，张越成，王朋，姜兆国，袁晓磊，李栋贤，张晓颖，武喜龙，郭彬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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