本公开内容的实施方式整体涉及用于处理一个或多个基板的方法和设备，并且更具体地涉及用于数字光刻系统的改善的空间光调制器和使用改善的空间光调制器的数字光刻方法。所述空间光调制器经构造以使得在相邻空间光调制器像素之间存在180度的相移。所述空...

描述一种操作真空处理系统(100、200、300)的方法，所述真空处理系统具有主要传输路径(50)，基板可沿着主要传输路径(50)在主要传输方向(Z)上传输。方法包括：(1a)从主要传输路径(50)输送出基板(10)至第一沉积模块(D1...

根据本公开内容的沉积源被设置在用于蒸发沉积材料的工艺腔室内部，以将沉积材料沉积在基板上。沉积源包括：扩散容器，所述扩散容器具有预定长度且在其中限定扩散空间，在所述扩散空间中扩散经蒸发的沉积材料；至少一个开口，所述至少一个开口形成在所述扩...

用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘...

本发明涉及一种方法以及腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额...

本文描述相对于第二基板表面将膜选择性地沉积至第一基板表面上的方法。所述方法可包括以下步骤：在不保护电介质的情况下，将第二金属沉积于第一金属上；用交联的自组装单层保护所述金属；以及在所述金属受保护的同时，将第二电介质沉积电介质于第一电介质上。

实施方式提供了用于改良的装载端口的系统、设备及方法，所述装载端口是可操作的以净化受困于基板载体门与载体门开启器之间的空气。实施方式包括：对接盘，适于接收包括载体门的基板载体；门开启器，邻近所述对接盘且适于耦接至所述载体门并打开所述载体门...

一种用于基板支撑组件的加热器组件，包含柔性主体。加热器组件进一步包含设置在柔性主体中的一或多个电阻式加热元件。加热器组件进一步包含第一金属层，第一金属层设置在柔性主体的顶表面上，并至少部分延伸至柔性主体的外侧壁上。加热器组件进一步包含第...

处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉...

本公开内容的实施方式提供具有原位离子注入能力的溅射腔室。在一个实施方式中，溅射腔室包含靶材、耦接至所述靶材的RF和DC电源、包含平坦基板接收表面的支撑件主体、耦接至支撑件主体的偏置功率源、耦接至偏置功率源的脉冲控制器和排放组件，其中所述...

提供用于半导体处理的支撑环。支撑环包含环形主体，该环形主体由内边缘及外边缘来界定。该内边缘及该外边缘同心的绕着中央轴。该环形主体进一步包含第一侧、第二侧、及突起环状肩部，该突起环状肩部在该内边缘处由该环形主体的该第一侧延伸。该支撑环也包...

在一个实施方式中，提供一种在基板上形成钴层的方法。方法包含在基板上形成阻挡层和/或衬垫层，基板具有形成在基板的第一表面中的特征限定结构，其中阻挡层和/或衬垫层形成在特征限定结构的侧壁与底表面上。方法进一步包含将基板暴露于钌前驱物，以在阻...

提供了一种用于使存在于半导体制造工艺的流出物中的N2O气体减量的方法。该方法包括将氢气和/或氨气注入等离子体源(100)中、以及激发含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气并且使含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气反应以形成减量材料。通过使...

提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间...

处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。

本文描述了一种处理基板(10)的方法。所述方法包括使用夹持装置(120)将基板(10)吸引到基板载体(100)的支撑表面(102)；将掩模(20)布置在基板(10)的前面；从支撑表面(102)部分地释放基板(10)；以及在基板(10)上...

干燥半导体基板的方法可包括施加干燥剂至半导体基板，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热至高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到腔室内已达到干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使得干燥剂的液相从半导...

本公开内容描述了用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的材料沉积布置(100)。所述材料沉积布置包括至少一个材料沉积源，所述至少一个材料沉积源具有：坩埚(110)，所述坩埚(110)被配置成蒸发材料；分配组件(120)，所述分配组件(12...

一种制造制品的方法，包括：提供体；以及以陶瓷涂层涂覆所述体的至少一个表面，所述陶瓷涂层包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在从约0摩尔％到约55摩尔％的范围内的ZrO2、以及在从约0摩尔％到约10摩尔％的范围内的A...

本实用新型公开了用于基板处理部件的金属陶瓷钎焊接头，所述钎焊接头包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体中有凹槽；共形层，设置在所述凹槽上；杆，有一部分设置在所述凹槽内；第一层，包括设置在所述凹槽内的网状物；第二层，包括接近所述第一层设置的钎焊材料...