一种电压‑电流传感器，所述电压‑电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所...

本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀...

本文所述的实施方式包括谐振工艺监视器以及形成这种谐振工艺监视器的方法。在一个实施方式中，谐振工艺监视器包括框架，所述框架具有第一开口和第二开口。在一个实施方式中，谐振主体密封框架的第一开口。在一个实施方式中，在谐振主体的第一表面上的第一...

公开了半导体处理腔室。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产...

提供了用于校正基板上的图案放置的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于校正基板上的图案放置的方法，包括：检测基板的三个参考点；检测多组三个裸片位置点，每组指示裸片的取向，所述多组三个裸片位置点包括与第一裸片相关联的第一组和与第二裸片相关...

本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹...

本文提供基板传送系统的实施方式，所述基板传送系统能够加热和/或冷却移入和移出多个基板处理腔室的基板批量。本文还提供基板传送的方法，以及提供许多其他方面。

描述形成并处理半导体装置的方法，所述方法利用氧化铝相对于氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化锆的选择性蚀刻。某些实施方式涉及用于金属栅极应用的自对准触点的形成。

本发明的实施例一般涉及简化的、高电压钨卤素灯具，用于使用作为快速热处理(RTP)腔室或其它灯具加热热处理腔室中的热辐射源。实施例包括灯具设计，灯具设计包括外部的保险丝，同时减少现有技术灯具的费用与部件数量。另外，本文所述的灯具的实施例提...

一种整合的极紫外(EUV)坯料生产系统，包括：用于将基板放置在真空中的真空腔室；用于沉积平坦化层于该基板之上的第一沉积系统，该平坦化层具有平坦化的顶表面；以及用于在不需将该基板从真空移出的情况下来沉积多层堆叠物于该平坦化层上的第二沉积系...

本公开内容一般地涉及用于在半导体器件上形成外延层的群集工具和方法。在一个实施方式中，群集工具包括传送腔室、耦接到传送腔室的预清洁腔室、耦接到传送腔室的等离子体清洁腔室、耦接到传送腔室的沉积腔室、耦接到传送腔室的蚀刻腔室及耦接到传送腔室的...

本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所...

本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在...

本文提供了在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统和方法。在一些实施例中，系统包含：等离子体腔室，所述等离子体腔室执行工件上的等离子体处理；第一脉冲电压源，所述第一脉冲电压源直接耦合至工件；第二脉冲电压源，所述第二脉冲电压源电容性地耦...

本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远...

本文所述的实施方式总体上涉及用于形成可流动膜的设备。在一个实施方式中，设备为扩散器，所述扩散器包括具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的主体、形成在所述第一表面中的多个圆顶结构、形成在所述第二表面中的中心歧管以及耦接在所述中心歧管...

一种用于处理腔室的腔室部件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体由烧结陶瓷材料组成，所述烧结陶瓷材料基本上由Y2O3‑ZrO2的一个或多个相组成。所述陶瓷材料基本上由55摩尔％‑65摩尔％的Y2O3和35摩尔％‑45摩尔％的ZrO2组成。

本公开涉及抛光制品。抛光制品制造系统包含：进料段和卷取段，所述卷取段包含供应辊，所述供应辊具有抛光制品，所述抛光制品设置在所述供应辊上并用于化学机械抛光工艺；打印段，所述打印段包含设置在所述进料段与所述卷取段之间的多个打印头；以及固化段...

本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。

本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电...