根据一实施方式，提供一种用于显示器制造的基板上的自动临界尺寸测量的方法。所述方法包括利用带电粒子束扫描具有第一尺寸的第一视场，以取得第一影像，第一影像具有用于显示器制造的基板的第一部分的第一分辨率；确定第一影像中的图案，图案具有第一位置...

本发明涉及高温静电吸盘，公开一种基板支撑件。所述基板支撑件具有介电主体，所述介电主体上形成有多个特征。壁架围绕所述多个特征的周边包围所述多个特征。所述特征在数量上从所述基板支撑件的中心区域朝向壁架增加。调配层任选地设置在所述介电主体上。

本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式...

本公开的实现方式涉及一种处理系统。在一个实现方式中，所述处理系统包括：盖；气体分配板，所述气体分配板设置在所述盖下方，所述气体分配板具有跨所述气体分配板的直径布置的通孔；基座，所述基座设置在所述气体分配板下方，所述基座和所述气体分配板在...

本公开内容提供了一种处理基板的方法。所述方法包括：将具有多个沉积开口(21)的掩模运输到处理腔室中；将具有背面图案(11)的基板运输到所述处理腔室中；使所述基板(10)相对于所述掩模(20)对准(780)；和用光学检查装置(440)来至...

提供了一种用于掩模布置的光学检查的方法。所述方法包括将掩模布置接收在设有参考基板的检查腔室中。此外，所述方法包括将所述掩模布置相对于所述参考基板对准。另外，所述方法包括用光学检查装置检查所述掩模布置的至少一部分与所述参考基板的至少一部分...

本文公开的实施方式包括一种用于最小化工件上的夹持力的方法，所述工件设置在等离子体处理腔室内的静电吸盘上。所述方法首先将工件放在处理腔室中的静电吸盘上。在所述处理腔室内轰击等离子体。监测所述工件上的偏转力。以最小值施加夹持电压。以最小压力...

用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD来形成可流动膜；以反应性退火将可流动膜退火以形成经退火的膜；以及将可流动膜或经退火的膜硬化以固化此膜。可使用更高级硅烷与等离子体来形成可流动膜。反应性退火可使用甲硅烷或更高级硅烷。UV硬化或其他...

用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；处理所述可流动膜以形成Si‑X膜，其中X＝C、O或N；以及固化所述可流动膜或所述Si‑X膜以凝固所述膜。所述可流动膜可以通过使用更高阶的硅烷和等离子体形成。UV固化、或其他固化可以...

描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴，以引导空腔内的气流，使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。

本发明涉及使用具有电流返回输出级的脉冲发生器来控制离子能量分布的方法。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征...

本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值...

描述了一种用于将材料沉积在基板上的材料沉积布置腔室(1000)。材料沉积布置腔室包括真空产生装置(1060)和材料沉积布置(100)。材料沉积布置具有阀元件(200)，阀元件被配置为调节将沉积的材料的材料流通。

本公开内容的实施方式大体上提供实现更高效和/或更均匀的冷却特性的磁控管构造以及用于形成磁控管的方法。所述磁控管包括一或多个导流结构，所述一或多个导流结构被设置在平行冷却鳍片之间。所述导流结构跨所述冷却鳍片的各表面引导气流，并且防止气流以...

本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的...

一种用于基板支撑组件的垫圈可以具有：顶表面，所述顶表面具有表面区域；和多个区，所述多个区一起限定所述顶表面的所述表面区域。所述多个区可以包括至少：a)第一区，所述第一区包括第一垫圈层堆叠，所述第一区具有在第一方向上的第一平均热导率，和b...

提供了半导体基板处理设备和方法。本文所述的实施例包括一种处理工具，所述处理工具包括被配置为用于处理压力的快速和稳定的变化。在一个实施例中，所述处理工具可以包括腔室主体。在一个实施例中，所述腔室主体是真空腔室。所述处理工具可以进一步包括吸...

在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实...

公开了一种用于半导体处理腔室的基板加热器，所述加热器包括：陶瓷主体；和电阻加热元件，所述电阻加热元件嵌入所述陶瓷主体中，所述电阻加热元件以加热器线圈的形式设置，所述加热器线圈具有内中心区段和外中心区段，所述内中心区段具有多个第一尖峰并且...

提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面...