一种圆柱靶材组件，用于在物理气相沉积处理腔室中使用而用于磁性增强的溅射应用。在此处所公开的实施方式中，围绕可旋转的背衬管设置的圆柱靶材具有一个或多个轮廓端部，符合位于均匀磁场的外侧的磁性溅射线。轮廓端部避免或实质上减少再沉积材料聚积于圆...

描述了一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)。蒸发源包括坩埚(110)，坩埚(110)用于材料蒸发；分配组件(120)，分配组件(120)具有一个或多个出口(125)，所述一个或多个出口(125)用于提供已蒸发材料至基板，分配...

兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

实施方式包含：等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包含：处理腔室，及被耦接至该处理腔室的多个模块化微波源。在一实施方式中，该多个模块化微波源包含：施加器的阵列，所述施加器被设置在介电体上，该介电体形成该处理腔室的外壁的一部分。该施加器...

本公开内容的实施方式一般涉及一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。处理腔室包括位于腔室主体的第一侧中的衬里组件和位于基板支撑部中的两个泵送口，基板支撑部邻近腔室主体的与第一侧相对的第二侧。衬里组件包括分流器，以引导流体流离开设置在处...

描述一种用于处理基板的真空处理系统。所述真空处理系统包括：第一处理腔室，所述第一处理腔室连接到第一群集腔室；第一处理站，所述第一处理站用于在所述第一处理腔室中处理基板；第二处理腔室，所述第二处理腔室连接到第二群集腔室；第一传送腔室，所述...

本文描述了用于校准高度可调整的边缘环的设备和方法。在一个示例中，提供一种用于相对于参考表面定位边缘环的校准夹具，所述校准夹具包括：透明板；多个传感器，所述多个传感器耦接到所述透明板的第一侧；以及多个接触垫，所述多个接触垫耦接到所述透明板...

本文提供用于在基板支撑件中使用的工艺配件部件的实施方式以及结合有所述实施方式的基板支撑件。在一些实施方式中，所述基板支撑件可以包括：主体；接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电...

本文的实施方式提供了一种用于在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺之类的等离子体增强沉积工艺期间直接地监测衬底的温度的衬底温度监测系统。在一个实施方式中，一种衬底支撑组件包括：支撑轴；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述支撑轴...

一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力...

本公开内容的实施方式涉及一种快速断接电阻温度检测器(RTD)加热器组件，其包括：第一组件，第一组件包括基座、基座轴杆、适配器、一或多个加热器电源终端及至少一个RTD；及第二组件，第二组件包括旋转模块及缆线组件，旋转模块具有中心开口，缆线...

描述了一种用于热处理衬底的方法和设备。所述设备包括热处理腔室，所述热处理腔室具有内部容积，所述内部容积包括顶部部分和侧壁。所述设备还包括吸气器组件，所述吸气器组件包括吸气器，所述吸气器被配置为设置在所述顶部部分中并靠近所述侧壁延伸到所述...

等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间的腔室主体、将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以将腔室抽空的泵、用于保持工件的工件支撑件及腔内电极组件，该腔内电极组件包括在等离子体腔室的顶板与工件支撑件之间横向...

提供确定在无掩模式光刻系统中实际特征/标记位置与设计特征/标记位置之间的偏移的方法和设备。例如，在一个实施方式中，提供一种包括打开在无掩模式光刻系统中的相机快门的方法。将光从镜阵列中的非相邻镜配置朝向第一基板层引导。在相机上捕获和累积所...

一种用于弹性检验样品的方法包括以下步骤：使用射束源形成输入射束；使用输入掩模来阻挡所述输入射束的一部分；及从所述输入射束的一部分形成定形射束。在物镜的第一部分处接收所述定形射束及将所述定形射束聚焦到样品上。在所述物镜的第二部分处收集反射...

本文描述包含工厂接口环境控制的电子器件处理系统。一个电子器件处理系统具有工厂接口，所述工厂接口具有工厂接口腔室、与所述工厂接口耦接的装载锁定装置、与所述工厂接口耦接的一个或更多个基板载具及与所述工厂接口耦接的环境控制系统，且所述环境控制...

提供沉积膜的方法，所述方法包含下列步骤：将基板的至少一部分暴露于金属前驱物，以于基板上提供第一金属，将基板的至少一部分暴露于有机金属还原剂，以于基板上沉积第二金属，以形成第一金属与第二金属的混合物或合金。可依序或同时暴露于金属前驱物及有...

膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。

此处叙述对齐件及对齐工件的方法。工件的对齐件设备包含对齐件夹盘，包括具有第一端及第二端的手臂，第一边缘握持元件在第一端上且第二边缘握持元件在第二端上，第一边缘握持元件及第二边缘握持元件间隔开来，以于工件的边缘夹持工件；及定位于手臂的中心...

提供了一种用于处理基板的方法和设备。二氧化碳液体的进料流在压力下自进料供应器被供应至纯化容器。在该纯化容器中的该二氧化碳液体在单级蒸馏工艺中被蒸馏以形成纯化的二氧化碳气体。该处理方法包含以下步骤：通过与来自制冷系统的制冷剂进行热交换来冷...