在此揭示的多个具体实施方式提供了一种用于处理基板的快速热处理(RTP)系统。RTP腔室具有辐射源，所述辐射源经配置以供应辐射至安置于处理空间中的基板。一个或多个高温计耦接至所述腔室主体，与所述辐射源相对。在一个范例中，所述辐射源安置于所...

在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气...

本文描述的实施方式涉及用于消除半导体工艺中产生的化合物的热交换器。当热流出物流动至热交换器中时，可使冷却剂流动至热交换器之内的热交换表面的壁。热交换表面可以是产生多级交叉流动路径的弯曲形状，以便热流出物从热交换器流下。此流动路径迫使热流...

处理基板的方法，包括以下步骤：提供具有第一聚合物介电层的基板；在第一聚合物介电层上形成第一RDL；在第二聚合物介电层的顶部表面中的至少一个开口中，在第一RDL上构建3D MIM电容堆叠，3D MIM电容堆叠具有顶部电极、底部电极以及插入...

提供了一种电子装置处理系统，所述电子装置处理系统包括设备前端模块、一或多个装载端口和可索引侧储存仓，所述一或多个装载端口耦接到所述设备前端模块的前部，所述可索引侧储存仓耦接至所述设备前端模块的一侧。

一种电子装置制造系统包括运动控制系统，所述运动控制系统通过将这些部件表面移动成彼此直接接触来校准处理腔室或装载锁定机构部件的表面之间的间隙。部件表面可包括基板和/或基板支撑件的表面和处理传送设备的表面，所述处理传送设备可为例如：图案掩模...

提供了一种形成平板显示器的方法，尤其是形成高像素密度的平板显示器的方法。蚀刻的方法可包括沉积铜层在基板上，沉积硬掩模在所述铜层上，图案化所述硬掩模以暴露铜层的第一部分，并移除铜的暴露的部分以形成互连件。移除铜的暴露的部分包括干式蚀刻铜的...

本公开整体涉及用于使用Markle‑Dyson曝光系统和双重显影(DTD)倍频制造线栅偏振器(WGP)的方法和系统。在一个实施方式中，所述方法包括：将光刻胶层沉积在涂覆铝的显示器衬底之上；使用Markle‑Dyson系统通过双重显影将所...

本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，...

本公开内容的实施方式涉及一种多板面板，所述多板面板具有第一板和第二板。所述第一板具有多个第一板开口。所述第二板具有第一表面、相对的第二表面和从中延伸穿过的多个第二板开口。所述第一表面机械地耦接到所述第一板。第二板开口具有锥形部分，所述锥...

提供一种用于形成电化学储能装置的部件的处理系统。处理系统包括沉积模块(102)，被配置为沉积陶瓷层(52)于柔性基板(111)之上；以及氧化模块(150)，被配置为使陶瓷层(52)在升高的温度下处于氧化气氛中。

本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间...

本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。

本公开的实施例涉及制品、被涂覆的制品以及用含稀土金属的氧化物涂层来涂覆这类制品的方法。所述涂层可至少包含已经被共沉积至所述制品的表面上的第一金属(例如，稀土金属、钽、锆等)和第二金属。所述涂层可包括第一金属和第二金属的均匀混合物，且不包...

本公开的实施例涉及制品、被涂覆的制品以及用含稀土金属的氟化物涂层来涂覆这类制品的方法。所述涂层可至少包含已经被共沉积至所述制品的表面上的第一金属(例如，稀土金属、钽、锆等)和第二金属。所述涂层可包括第一金属和第二金属的均匀混合物，且不包...

本文描述了用于晶片级封装的方法和装置。根据一个实施例，一种方法包含：在载体顶部沉积黏着层，在层压板顶部放置基板的至少一部分，基板被预先制作为具有多个晶粒固定腔和多个贯穿通孔，将晶粒插入晶粒固定腔中的每一个中，包覆晶粒和基板，且从被包覆的...

一种基板处理腔室(102)包括多个接地带(130)，所述多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。所述接地带(130)的第一端(234)从所述接地带(130)的第二端(236)竖直地偏移。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个陶瓷...

本公开内容整体涉及一种用于处理基板的静电吸盘。所述静电吸盘包括：设施板；以及绝缘体，所述绝缘体设置在冷却基部与接地板之间。支撑主体耦接到所述冷却基部以用于在所述支撑主体上支撑基板。环被配置为环绕所述绝缘体。所述环由耐受因暴露于制造工艺中...

本文所述的实施方式涉及具有反射板的喷头，反射板带有用于径向分配气体的气体注入插件。在一个实施方式中，喷头组件包括反射板与气体注入插件。反射板包括至少一个气体注入口。气体注入插件设置于反射板中，且包括多个孔。气体注入插件还包括设置于气体注...

本公开内容的实施方式涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。在一个实施方式中，一种静电载具，包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双...