应用材料公司专利技术

应用材料公司共有5436项专利

  • 一种溅射室,包括:    至少一个其中形成有一个或者多个沟槽的工件,所述沟槽被配置来定义其上形成有涂层的电弧喷射涂层区域。
  • 本发明一般提供了在物理气相沉积室中使用的方法和设备。在一个实施例中,本发明提供了一种遮蔽盘机构,该遮蔽盘机构消除了将遮蔽盘轴向定位到将该遮蔽盘传送到衬底支承的机械手托板的需要。
  • 本发明公开了一种更换真空室中消耗品的装置。一种整体式可拆卸屏蔽罩组件(100)被提供来快速地更换诸如屏蔽罩(145,150)之类的消耗品。屏蔽罩组件可以包括上接合器组件(110)、至少一个屏蔽罩构件(145,150)、覆盖环(155)和...
  • 介绍了一种用于涂覆基板的系统和方法。一个实施例包括高功率溅镀系统,具有构造用于将电力传送至可旋转靶的电源联接器。电源联接器位于真空室中或轴承与真空室外的可旋转靶之间,从而限制流经轴承的电流。
  • 一种气体分配喷头(1501)被设计成允许在宽的喷头与晶片间距(Y)的范围内沉积均匀厚度的膜。根据本发明的实施例,为了增加流动阻力,减少通往面板的孔入口(1501a)的数量、宽度和/或深度,从而提高了面板上游压力。这提高的上游气流压力反过...
  • 本发明的实施方式一般性地提供了镀液组合物、混合镀液的方法和用所述镀液沉积覆盖层的方法。这里所述的镀液可用作无电沉积溶液以在导电构件上沉积覆盖层。所述镀液相当稀并且含有强还原剂,从而可在导电构件上自引发。所述镀液可以在沉积不含颗粒的覆盖层...
  • 本发明提供一种升举机构(124),对应使用于一电浆溅镀反应器(30)内之一垂直移动的磁电管(70)。该磁电管系统该靶材轴(76)旋转,且可控制地升举离该靶材(34)之该背侧以补偿溅镀侵蚀。该装置包括一驱动源(84)、外罩(94)、贮槽(...
  • 本发明通常提供了一种用于在物理气相沉积(PVD)室中处理衬底表面的装置和方法,该物理气相沉积室具有增大的阳极表面面积以提高大面积衬底上的沉积均匀性。通常,本发明的某些方面可用于平板显示处理、半导体处理、太阳能电池处理或任何其他衬底处理。...
  • 本发明一般地提供了一种用于在物理汽相沉积(PVD)室中处理衬底表面的装置和方法,其具有增加的阳极表面积来提高在大面积衬底上的沉积均匀性。一般而言,本发明的方面可以用于平板显示器处理、半导体处理、太阳能电池处理、或任何其他衬底处理。在一个...
  • 本发明的实施例一般来说涉及材料的溅射。具体地,本发明涉及用在大面积衬底的物理气相沉积中的溅射电压,以防止电弧。本发明的一个实施例描述了一种以小于400伏的电压在矩形衬底上溅射材料的设备,其包括:溅射靶,其中,在将材料溅射在所述矩形衬底上...
  • 本发明公开了一种真空抽吸系统和与溅射反应器(50)相关的方法,溅射反应器(50)具有密封至靶(18)及其背板(20)的真空抽吸磁控管室(32)。主溅射室(14)真空密封至靶前部并被低温抽吸(26)。旁路管道(51)和阀门(54)连接磁控...
  • 本发明公开了一种溅射靶组件(18,20),对于较大面板的等离子体溅射反应器特别有用。该反应器具有密封到主处理室(14)和真空泵吸室(32)两者的靶组件,真空泵吸室容纳移动的磁控管(30)。靶瓦接合到其的靶组件包括一体板(62),其具有平...
  • 在清洁衬底处理室部件的表面以去除处理沉积物的方法中,所述部件表面被冷却至低于大约-40℃的温度,由此使所述表面上的处理沉积物破裂。所述表面可以通过将所述表面浸入诸如液氮的低温流体中来冷却。在另一种方法中,所述部件表面被加热以使所述沉积物...
  • 本发明公开了一种用单一处理室无电沉积多层膜的方法和装置,它使用(多种)处理溶液进行清洁,然后将具有不连续或变化成分的金属膜沉积到导体表面上。该处理包括原位清洁步骤,通过在清洁和无电沉积处理步骤之间减少或防止导体表面暴露于氧气而减少导体表...
  • 本发明提供了用于沉积无定型碳材料的方法。在一个方面中,本发明提供一种处理衬底的方法,该方法包括:在处理室中放置所述衬底;将处理气体引入所述处理室,其中,所述处理气体包括载气、氢气和一种或多种烃化合物或其衍生物;通过从双频RF源施加功率产...
  • 根据本发明的实施例涉及可以单独或组合使用以减少或消除在半导体工件(882)的斜壁上沉积材料的各种技术。在一种方法中,遮蔽环(880)位于衬底(882)边缘的上方,以阻挡气体流至斜壁区域。遮蔽环的边缘(880a)的几何特征将气流向晶片引导...
  • 本发明提供了一种用于在处理区域中的衬底上进行化学气相沉积的处理室的方法和装置,所述处理室包括气体盒和面板,所述气体盒具有包括气体入口通道的加热盖,所述面板连接到所述加热盖并设置成将气体从被加热的气体盒导向衬底处理区域。另外,还提供了一种...
  • 本发明公开了一种移除在处理室的内表面上形成的沉积物的反馈回路清洁系统,包括:流动控制器,其设定供应到等离子体产生系统的清洁气体混合物的流率,其中等离子体产生系统由清洁气体混合物产生等离子体,所述等离子体包括反应清洁物质;检测器,其产生具...
  • 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法,其中,在衬底上沉积有机硅材料之前,用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法,该方法可以与干燥处理相...
  • 本发明涉及一种制造金属化网(3)的方法和设备,具体为箔式电容器的金属化塑料网,所述方法中,金属层(17)以蒸气相或气相进行沉积,其中,在沉积所述金属层以前,进行经等离子体支持的金属晶种层的蒸气相或气相沉积过程,所述金属晶种层的厚度在至多...