本发明涉及一种具有倾斜坩锅的蒸发设备。该设备包括至少一个蒸发坩锅（１００），该蒸发坩锅（１００）具有用于蒸发材料（３００）的蒸发表面，其中，蒸发表面相对于水平以倾斜角度（α）倾斜。本发明还提供用于蒸发衬底的方法，其包括以下步骤：提供竖直...

一种化学气相沉积室的多区域加热台座，用于处理基板，其中该台座用于支撑该基板，并包括台座轴，用于将台座在沉积室内沿垂直方向移动，其具有平台，具有第一半部及第二半部；第一外区加热器，埋设于该平台的第一半部的周边；第一内区加热器，埋设于该平台...

这里提供了一种用于在物理气相沉积室中处理衬底的设备。在一个实施例中，用于在具有布置在盖组件中的靶和接地的室壁的物理气相沉积室中处理衬底的设备包括接地框架和接地屏蔽。接地框架被构造成绝缘地耦合到盖组件并具有导电的下表面。接地屏蔽具有可调并...

一种遮盖框，用于在沉积室内对基材上进行沉积工艺时遮盖基板的周缘，其具有：框体，具有大致呈矩形的封闭外型；周缘支撑凸缘自该框体内缘向内延伸，该凸缘具有第一表面，该第一表面面向该基材，及相反第二表面，该支撑凸缘并具有邻近第一表面的第一圆形端...

本实用新型公开了一种具有被引导的气流的气体分布器。气体分布器将气体分布通过衬底处理室的表面。该气体分布器具有轮轴、从轮轴沿径向向外延伸的导流片、第一组叶片和第二组叶片。在一种方案中，轮轴具有气体进口和气体出口。导流片具有相对的第一和第二...

一种用于向一半导体处理室中输送气态物质的气体注射系统，包括： 一封闭空间主体，其中形成至少一个封闭空间，所述封闭空间包括至少一个供应入口，以向所述封闭空间输送气态物质； 多个喷嘴，用于向所述处理室中注射所述气态物质，所述喷嘴...

一种溅射室，包括：　　　　至少一个其中形成有一个或者多个沟槽的工件，所述沟槽被配置来定义其上形成有涂层的电弧喷射涂层区域。

本发明一般提供了在物理气相沉积室中使用的方法和设备。在一个实施例中，本发明提供了一种遮蔽盘机构，该遮蔽盘机构消除了将遮蔽盘轴向定位到将该遮蔽盘传送到衬底支承的机械手托板的需要。

本发明公开了一种更换真空室中消耗品的装置。一种整体式可拆卸屏蔽罩组件（１００）被提供来快速地更换诸如屏蔽罩（１４５，１５０）之类的消耗品。屏蔽罩组件可以包括上接合器组件（１１０）、至少一个屏蔽罩构件（１４５，１５０）、覆盖环（１５５）和...

介绍了一种用于涂覆基板的系统和方法。一个实施例包括高功率溅镀系统，具有构造用于将电力传送至可旋转靶的电源联接器。电源联接器位于真空室中或轴承与真空室外的可旋转靶之间，从而限制流经轴承的电流。

一种气体分配喷头（１５０１）被设计成允许在宽的喷头与晶片间距（Ｙ）的范围内沉积均匀厚度的膜。根据本发明的实施例，为了增加流动阻力，减少通往面板的孔入口（１５０１ａ）的数量、宽度和／或深度，从而提高了面板上游压力。这提高的上游气流压力反过...

本发明的实施方式一般性地提供了镀液组合物、混合镀液的方法和用所述镀液沉积覆盖层的方法。这里所述的镀液可用作无电沉积溶液以在导电构件上沉积覆盖层。所述镀液相当稀并且含有强还原剂，从而可在导电构件上自引发。所述镀液可以在沉积不含颗粒的覆盖层...

本发明提供一种升举机构（１２４），对应使用于一电浆溅镀反应器（３０）内之一垂直移动的磁电管（７０）。该磁电管系统该靶材轴（７６）旋转，且可控制地升举离该靶材（３４）之该背侧以补偿溅镀侵蚀。该装置包括一驱动源（８４）、外罩（９４）、贮槽（...

本发明通常提供了一种用于在物理气相沉积（ＰＶＤ）室中处理衬底表面的装置和方法，该物理气相沉积室具有增大的阳极表面面积以提高大面积衬底上的沉积均匀性。通常，本发明的某些方面可用于平板显示处理、半导体处理、太阳能电池处理或任何其他衬底处理。...

本发明一般地提供了一种用于在物理汽相沉积（ＰＶＤ）室中处理衬底表面的装置和方法，其具有增加的阳极表面积来提高在大面积衬底上的沉积均匀性。一般而言，本发明的方面可以用于平板显示器处理、半导体处理、太阳能电池处理、或任何其他衬底处理。在一个...

本发明的实施例一般来说涉及材料的溅射。具体地，本发明涉及用在大面积衬底的物理气相沉积中的溅射电压，以防止电弧。本发明的一个实施例描述了一种以小于４００伏的电压在矩形衬底上溅射材料的设备，其包括：溅射靶，其中，在将材料溅射在所述矩形衬底上...

本发明公开了一种真空抽吸系统和与溅射反应器（５０）相关的方法，溅射反应器（５０）具有密封至靶（１８）及其背板（２０）的真空抽吸磁控管室（３２）。主溅射室（１４）真空密封至靶前部并被低温抽吸（２６）。旁路管道（５１）和阀门（５４）连接磁控...

本发明公开了一种溅射靶组件（１８，２０），对于较大面板的等离子体溅射反应器特别有用。该反应器具有密封到主处理室（１４）和真空泵吸室（３２）两者的靶组件，真空泵吸室容纳移动的磁控管（３０）。靶瓦接合到其的靶组件包括一体板（６２），其具有平...

在清洁衬底处理室部件的表面以去除处理沉积物的方法中，所述部件表面被冷却至低于大约－４０℃的温度，由此使所述表面上的处理沉积物破裂。所述表面可以通过将所述表面浸入诸如液氮的低温流体中来冷却。在另一种方法中，所述部件表面被加热以使所述沉积物...

本发明公开了一种用单一处理室无电沉积多层膜的方法和装置，它使用（多种）处理溶液进行清洁，然后将具有不连续或变化成分的金属膜沉积到导体表面上。该处理包括原位清洁步骤，通过在清洁和无电沉积处理步骤之间减少或防止导体表面暴露于氧气而减少导体表...