提供了用于用非晶硅(a‑Si)膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法，所述方法涉及预处理基板的表面以将下面的羟基封端的硅(Si‑OH)或氢封端的硅(Si‑H)表面改性为氧氮化物封端的硅(Si‑ON)或氮化物封端的硅(S...

一种增材制造设备包括：平台；分配器，用以在平台的顶表面上分配复数个进料层；和能量输送系统。能量输送系统包括：光源，用以发射光束；和反射构件，具有复数个反射小面。反射构件定位在光束的路径中，以接收光束并将光束朝向平台的顶表面重定向，以将能...

一种增材制造设备包括：平台；分配器，用以在平台的顶表面上分配复数个进料层；和能量输送组件。能量输送组件包括：光源，用以发射一个或多个光束；第一反射构件，具有复数个反射小面；和至少一个第二反射构件。第一反射构件是可旋转的，使得相继的小面沿...

提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相...

在一个实施方式中，提供了一种在处理腔室中在基板上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上方沉积预确定的厚度的牺牲介电层。所述方法进一步包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述基板的上表面来在所述基板上形成图案化特征。所述方法进一步包括...

一种在腔室中的工件上执行类金刚石碳沉积的方法，包括：将工件支撑在腔室中，其中所述工件面向从腔室的顶板悬吊的上电极；将烃气引入腔室中；以及以第一频率将第一RF功率施加至上电极，其在腔室中产生等离子体且在所述工件上产生类金刚石碳的沉积。施加...

本公开内容的各个方面总体上涉及用于支撑边缘环的载体和机械叶片。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体，载体包括板，第一多个插口，第二多个插口，第一弓形支撑结构，第二弓形支撑结构。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片，包括基部，两...

一种电子装置制造系统可包括装载机构。装载机构包括复数个气体管线加热器，用于向装载机构提供加热的气体以加热装载机构中被处理的基板。加热被处理的基板可减少装载机构中的腐蚀和装载机构中随后的基板污染。装载机构还可在装载机构壳体中包括复数个嵌入...

提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积...

本文描述的实施方式包括一种处理工具，所述处理工具包括处理腔室、用于支撑所述处理腔室中的基板的吸盘、形成所述处理腔室的一部分的介电窗、以及模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块。在一个实施方式中，每个...

实施方式包括模块化高频发射源。在一个实施方式中，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块，其中每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块和施加器。在一个实施方式中，所述振荡器模块包括电压控制电路和电压受控的振荡器。在一个实施方式中，所述放...

本文所描述的实施方式包括一种模块化高频发射源，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块以及相位控制器。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块，以及施加器。在一个实施方式中，每个振荡器模块包括电压控制电路和电压控制振荡...

具有集成气体分配的模块化高频源。本文所描述的实施方式包括用于处理腔室的施加器框架。在一个实施方式中，施加器框架包含所述施加器框架的第一主表面以及与所述第一主表面相对的所述施加器框架的第二主表面。在一个实施方式中，施加器框架进一步包含通孔...

一种电子装置制造系统可包括具有受控环境的工厂接口。电子装置制造系统也可包括耦接到工厂接口的装载端口。装载端口可被配置为在其上接收基板载体，且可包括净化设备和控制器。控制器可被配置为操作装载端口，使得定位在基板载体门与装载端口周围和之间的...

此处公开用于基板处理设备的排放模块，具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形...

本公开大体关于减少基板表面上的粒子污染物的设备与方法。在一个示例中，设备被实现为装载锁定腔室，包括被设置在加热器基座上方并且耦接至加热器基座的顶部加热器衬里。顶部加热器衬里通常包括顶部板与一个或多个壁，一个或多个壁将顶部加热器衬里支撑在...

本文考虑用于增强离子能量的方法和设备。在一个实施例中，方法和装置包括控制器、具有经配置成处理晶片的对称等离子体源的工艺腔室、耦合至工艺腔室以产生等离子体密度的一个或多个特高频(VHF)源以及两个或更多个频率发生器，所述两个或更多个频率发...

公开物理气相沉积靶材组件和冷却物理气相沉积靶材的方法。示例性靶材组件包括流动图案，流动图案包含流体地连接至入口端和出口端的多个列和弯曲部。

本文公开了用于通过热压制造层状陶瓷材料的方法。一种方法包括以下步骤：将粉末压块或陶瓷浆料设置于制品的表面上，其中制品为处理腔室的腔室部件。通过以下步骤，抵靠制品的表面热压粉末压块或陶瓷浆料：加热制品和粉末压块或陶瓷浆料，并施加15至10...

本公开内容的实施方式涉及用于抛光具有高平整性的薄基板的系统、设备和方法。设备包括化学机械抛光头和板。抛光头包括底表面、扣环、在底表面与扣环之间限定的工件接收袋和至少一个真空口，真空口适于通过抛光头的底表面向工件接收袋提供真空。板设置在工...