用于减少等离子体蚀刻腔室中的污染的设备制造技术

本文提供用于在基板支撑件中使用的工艺配件部件的实施方式以及结合有所述实施方式的基板支撑件。在一些实施方式中，所述基板支撑件可以包括：主体；接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电材料形成，其中所述衬里包括朝向所述主体向内延伸的上唇缘；金属紧固件，所述金属紧固件穿过所述上唇缘设置以将所述衬里耦接到所述接地外壳；以及第一绝缘体环，所述第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并覆盖所述金属紧固件。

Equipment for reducing contamination in plasma etch chambers

【技术实现步骤摘要】
用于减少等离子体蚀刻腔室中的污染的设备
本公开文本的实施方式整体涉及基板处理装备，并且更具体地涉及在基板处理装备中使用的基板支撑件。
技术介绍
金属紧固件通常用于连接构成处理腔室(诸如等离子体处理腔室)内的基板支撑件的各种结构。本专利技术人已经发现，在基板支撑件的导电结构附近的金属紧固件(诸如钛(Ti)螺杆)可能在处理腔室内导致Ti污染。由此，本专利技术人已经提供一种改进的基板支撑件，这种改进的基板支撑件可以减少或消除来自金属紧固件的金属污染。
技术实现思路
本文提供用于在基板支撑件中使用的工艺配件部件的实施方式以及结合所述实施方式的基板支撑件。在一些实施方式中，基板支撑件包括：主体；接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；以及衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电材料形成。所述衬里包括朝向所述主体向内延伸的上唇缘。金属紧固件穿过所述上唇缘设置以将所述衬里耦接到所述接地外壳。第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并且覆盖所述金属紧固件。在一些实施方式中，一种基板支撑件包括：主体；轴，所述轴从所述主体向下延伸；导电衬里，所述导电衬里围绕主体设置，其中所述导电衬里具有覆盖接地外壳的上表面的向内延伸的上唇缘；紧固件，所述紧固件穿过所述上唇缘设置以将所述导电衬里耦接到所述接地外壳；第一绝缘体环，所述第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并且覆盖所述金属紧固件；以及第二绝缘体环，所述第二绝缘体环外接所述主体，其中第二绝缘体环设置在所述第一绝缘体环的带凹口的上内周缘中。在一些实施方式中，一种基板支撑件包括：主体，所述主体具有圆柱形形状以及由与所述主体的侧壁相垂直的第一表面限定的带凹口的上周缘；导电外壳，所述导电外壳具有围绕所述主体设置的顶表面；导电衬里，所述导电衬里围绕导电外壳设置并具有在所述导电外壳上方延伸的内唇缘；多个紧固件，所述紧固件穿过所述导电衬里设置以将所述导电衬里耦接到所述导电外壳；第一绝缘体环，所述第一绝缘体环设置在所述导电衬里的顶表面上并且覆盖所述多个紧固件；以及第二绝缘体环，所述第二绝缘体环设置在所述第一绝缘体环与所述主体之间，其中所述第二绝缘体环部分地设置在所述主体的带凹口的上周缘内并朝向所述导电衬里向外延伸。下文描述本公开文本的其它和进一步实施方式。附图说明上面简要地概述并在下文更详细地论述的本公开文本的实施方式可以参考在附图中描绘的本公开文本的说明性实施方式来理解。附图仅示出了本公开文本的一些实施方式，并且由此不被认为限制本公开文本的范围，因为本公开文本可允许其它等效实施方式。图1描绘了根据本公开文本的一些实施方式的与基板支撑件一起使用的等离子体处理腔室的示意性横截面图。图2描绘了根据本公开文本的一些实施方式的图1的基板支撑件的部分示意性侧视图。图3描绘了根据本公开文本的一些实施方式的图1的基板支撑件的部分示意性侧视图。为了便于理解，已经尽可能地使用相同的参考数字表示各图共用的相同元件。附图不一定按比例绘制，并且可以出于清楚目的简化。一个实施方式的元件和特征可以有利地结合在其它实施方式中，而不进一步详述。具体实施方式本文提供可以有利地减少或防止工艺腔室内的金属污染(诸如钛(Ti)污染)的用于基板支撑件的工艺配件部件的实施方式。具体地，基板支撑件的实施方式可以包括被配置为覆盖一个或多个金属紧固件的绝缘体环，因此防止处理腔室内的等离子体接触一个或多个金属紧固件。图1描绘了根据本公开文本的一些实施方式的与基板支撑件一起使用的等离子体处理腔室的示意性横截面图。图2描绘了根据图1的基板支撑件的一些实施方式的部分详细示意性侧视图。图3描绘了根据图1的基板支撑件的一些实施方式的部分详细示意性侧视图。图1是根据本公开文本的一些实施方式的腔室100(诸如等离子体处理腔室)的示意性横截面图。在一些实施方式中，等离子体处理腔室是蚀刻处理腔室。然而，其它类型的处理腔室也可以使用或经修改以用于与本文描述的基板支撑件的实施方式一起使用。例如，本文描述的蚀刻处理腔室和基板支撑件可以在约摄氏50°至约摄氏500°的温度下并在约13MHz至约60MHz的频率下功率为约500W至约10kW之间的功率水平下操作。腔室100是适当地适于在高温或高功率基板处理期间在腔室内部容积120内维持亚大气压的真空腔室。腔室100包括由盖104覆盖的腔室主体106，所述腔室主体106封闭定位在腔室内部容积120的上半部分中的处理容积122。腔室主体106和盖104可由金属(诸如铝)制成。腔室主体106可经由耦接到接地116来接地。盖104可以电浮动或接地。基板支撑件124设置在腔室内部容积120内以支撑并保持基板108(例如，诸如半导体基板)、或可静电地保持的其它这种基板。基板支撑件124通常可以包括基座136和用于支撑基座136的中空支撑轴112。中空支撑轴112提供管道，所述管道例如用于向基座136提供工艺气体、流体、冷却剂、功率等。在一些实施方式中，波纹管组件110围绕中空支撑轴112设置并且在基座136与腔室100的底表面126之间耦接以提供柔性密封件，所述柔性密封件允许基座136竖直运动，同时防止来自腔室100内的真空损失。波纹管组件110也包括与o形环128或接触底表面126以帮助防止腔室真空损失的其它适当的密封元件相接触的波纹管134。腔室100耦接到真空系统114并与所述真空系统114流体连通，所述真空系统114包括用于排放腔室100的节流阀(未图示)和真空泵(未图示)。腔室100内部的压力可通过调节节流阀和/或真空泵来调整。腔室100也耦接到工艺气体供应118并且与所述工艺气体供应118流体连通，所述工艺气体供应118可将一或多种工艺气体供应到腔室100以用于处理设置在腔室100中的基板。在操作中，基板108可经由腔室主体106中的开口进入腔室100。开口可经由狭缝阀132或用于选择性提供穿过开口进入腔室100的内部的其它设备来选择性地密封。另外，在操作中，等离子体102可在腔室内部容积120中产生以执行一个或多个工艺。等离子体102可通过经由靠近腔室内部容积120或在所述腔室内部容积120内的一个或多个电极将来自等离子体功率源(例如，RF等离子体电源130)的功率耦接到工艺气体以点燃工艺气体并产生等离子体102来产生。图2描绘了根据图1的基板支撑件的一些实施方式的部分详细示意性侧视图。基板支撑件124包括具有上表面210的主体208，所述上表面210用于支撑介电构件224，所述介电构件224被配置为静电保持设置在所述介电构件224上的基板202。主体208可包括导电材料，诸如铝(Al)等。主体208具有阶梯状或带凹口的上周缘206。主体208的上周缘206由与主体208的侧壁211垂直的第一表面214以及在设置在主体208的第一表面214与上表面210之间的阶梯状第二表面215限定。主体208可以包括在主体208的下表面附近设置的一个或多个传热流体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板支撑件，包括：/n主体；/n接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；/n衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电材料形成，其中所述衬里包括朝向所述主体向内延伸的上唇缘；/n金属紧固件，所述金属紧固件穿过所述上唇缘设置并且将所述衬里耦接到所述接地外壳；以及/n第一绝缘体环，所述第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并且覆盖所述金属紧固件。/n

【技术特征摘要】
20180615 US 16/010,2391.一种基板支撑件，包括：
主体；
接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；
衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电材料形成，其中所述衬里包括朝向所述主体向内延伸的上唇缘；
金属紧固件，所述金属紧固件穿过所述上唇缘设置并且将所述衬里耦接到所述接地外壳；以及
第一绝缘体环，所述第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并且覆盖所述金属紧固件。


2.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包括第二绝缘体环，所述第二绝缘体环设置在所述第一绝缘体环与所述主体之间。


3.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述第一绝缘体环的外径与所述第二绝缘体环的外径相同。


4.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述第一绝缘体环的外径大于所述第二绝缘体环的外径。


5.如权利要求2所述的基板支撑件，其中顶环设置在所述第二绝缘体环的上表面上。


6.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述第二绝缘体环设置在所述第一绝缘体环的带凹口的上内周缘中。


7.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述第二绝缘体环包含石英。


8.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件，其中所述第一绝缘体环包括石英、氧化铝、阳极化铝或用氧化钇涂覆的铝中的至少一种。


9.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件，其中所述第一绝缘体环具有L形横截面。


10.如权利要求1至7中任一项所述的基板支撑件，进一步包括绝缘体外壳，所述绝缘体外壳设置在所述接地外壳与所述主体之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：X·常，A·恩古耶，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US