本公开涉及一种用于在基板上沉积层的装置，所述装置包括：具有用于处理基板的处理区域的真空腔室；至少两个可旋转溅射阴极的阵列，其中至少两个可旋转溅射阴极的第一可旋转溅射阴极具有第一磁体组件，而至少两个可旋转溅射阴极的第二可旋转溅射阴极具有第...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

本公开的实施例是关于具有可调谐化学特性、材料特性及结构特性的高级研磨垫，及制造所述研磨垫的新方法。根据本公开的一或多个实施例，已发现具有改善特性的研磨垫可由诸如三维(3D)打印工艺的积层制造工艺来产生。因此，本公开的实施例可提供具有离散...

公开了用于薄基板的处理方法和设备。所述方法和设备旋转薄基板而不使所述薄基板暴露于压力梯度。所述设备和方法可以是用于在所述薄基板的两面上沉积膜的集成系统的一部分。

本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至...

本公开内容的实施方式一般相关于用于半导体处理设施的消除。更特定地，本公开内容的实施方式相关于用于前级固体形成量化的技术。在一个实施方式中，系统包含位于处理腔室及设施排放之间的一个或多个石英晶体微量天平(QCM)传感器。该一个或多个QCM...

本公开涉及处理腔室。该处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，设置在所述腔室主体内，所述基板支撑件包括静电卡盘；递归分配组件，设置在所述基板支撑件内，所述递归分配组件包括具有相等长度的多个分叉电连接；边缘环组件，设置在所述基板支撑件内并耦接...

本文公开了一种用于刷盒的喷雾歧管，所述喷雾歧管包括具有多个孔的细长主体、线性槽、中心孔及盖，其中所述多个孔沿着平行于所述主体的纵轴的方向呈直线，所述线性槽沿着所述主体的对齐所述孔的所述直线的长度形成，所述中心孔沿着所述主体的所述长度及在...

润湿半导体基板的方法，可包括于容纳有所述半导体基板的处理腔室中形成受控的气体氛围。半导体基板可限定多个特征，其中可包括通孔。所述方法可包括使润湿剂流入处理腔室。腔室压力可维持在低于约100kPa。所述方法可亦包括润湿限定于所述基板中的所...

在一个实施方式中，提供一种基板传送装置，所述基板传送装置包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有周边；多个中心支撑构件，所述多个中心支撑构件定位在所述周边外；和边缘支撑构件，所述边缘支撑构件定位在所述基板支撑件的相对侧上。

本文描述的实施方式涉及用于处理基板的设备和方法。更特定地，提供了一种具有可移动电极的处理腔室，可移动电极用于在填充有流体的处理容积内产生平行场。在一个实施方式中，处理腔室的长轴线垂直地定向，且基板支撑件与沿着处理腔室的长轴线延伸的多个可...

一种用于形成保形的密封氮化硅膜的方法。所述方法包括：用聚硅烷气体使用热化学气相沉积以在基板上产生超保形非晶硅膜，随后用氨或氮等离子体处理所述膜以将所述非晶硅膜转化成保形的密封氮化硅。在一些实施方式中，所述非晶硅沉积和所述等离子体处理在相...

本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正...

本公开内容涉及一种用于在基板上进行层沉积的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有用于处理基板的处理区；有至少三个溅射阴极的阵列，其中所述至少三个溅射阴极各自提供等离子体区，其中在所述至少三个溅射阴极的操作期间供应沉积材料；以及控...

电子装置制造系统包括具有热流量传感器的质量流量控制器(MFC)。热流量传感器可测量质量流率并且可包括传感器管，所述传感器管具有涂覆有材料的内表面以形成内阻挡层。内阻挡层可防止或实质上减少在内表面上发生腐蚀性反应的可能性，此可防止或减少M...

描述一种用于涂布柔性基板(10)的沉积设备(100)。此沉积设备包括第一线轴腔室(110)，其容纳用于提供柔性基板(10)的存储线轴(112)；沉积腔室(120)，其布置于第一线轴腔室(110)下游；及第二线轴腔室(150)，其布置于沉...

本发明描述一种用以涂布柔性基板(10)的沉积设备(100)。沉积设备包含容纳存储线轴(112)的第一线轴腔室(110)、布置于第一线轴腔室(110)的下游的沉积腔室(120)、以及布置于沉积腔室(120)的下游且容纳卷绕线轴(152)的...

处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

本文所提供的实施方式大体涉及静电卡盘(ESC)。静电卡盘可包括减少数目的应力起始点，诸如穿过静电卡盘的孔，此举可改良静电卡盘的机械完整性。设置在静电卡盘中的电极可经由导电导线连接至电触点及电源，这些导电导线可被耦接成或形成为沿着静电卡盘...

描述了一种配置用于在半导体装置制造期间使用的传送腔室。传送腔室包括至少一个第一侧面，所述至少一个第一侧面具有第一宽度，所述至少一个第一侧面被配置成耦接至一个或更多个基板传送单元(例如，一个或更多个装载锁定腔室或一个或更多个通路单元)，并...