本实用新型公开了一种面射型激光器，包括自上而下设置的正面电极、接触层、P型DBR、限制层、谐振区、N型DBR、衬底和背面电极，P型DBR由若干高折射率层和低折射率层交替堆叠而成，其中至少部分低折射率层包括位于中部的第一折射率区域和位于外...

本实用新型公开了一种背出光面射型激光器，包括自上而下设置的正面电极、透光衬底、N型DBR、谐振腔、限制层、P型DBR、不透光接触层和背面电极，N型DBR由若干高折射率层和低折射率层交替堆叠而成，其中至少部分低折射率层包括位于中部的第一区...

一种功率二极管器件，涉及半导体器件技术领域。该功率二极管器件包括衬底、设于衬底上且包括有源区和终端区的碳化硅外延层、设于有源区上的肖特基金属层、设于肖特基金属层上的正面金属层、设置于终端区上且与肖特基金属层邻接的钝化层，和覆盖钝化层和正...

本申请提供一种单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列，通过在提供的衬底一侧依次生长多层外延层，包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、倍增层、反型层、迁移层、窗口层和欧姆接触层，并通过扩散工艺在欧姆接触层和窗口层内形成弧形扩散区，对衬底...

本发明公开了一种SiC基GaN外延结构的制作方法，本方法通过在PVD装置内生长AlN层，避免MOCVD原位生长AlN来有效提升MOCVD的生产效率和稳定性。由于AlN层和GaN基外延结构的形成分别在PVD和MOCVD反应室完成，SiC衬...

本发明公开了一种HBT器件的金属连线方法，通过改变基极台阶对应的第一光罩的形状结构以及连线金属层对应的第二光罩的形状结构，通过曝光、显影后在已完成部分器件制程的晶圆结构上形成与第一光罩图形对应的遮蔽层，然后进行湿法刻蚀以形成基极台阶，再...

一种芯片的表层结构和芯片，包括设置于芯片表面的金属互联结构，该金属互联结构表面设有焊盘，还包括至少一平坦介质层，该平坦介质层覆盖于金属互联结构外露表面且在焊盘处设有开孔，该平坦介质层开孔处侧壁与该焊盘之间形成有锐角。本实用新型能减缓芯片...

一种干法蚀刻机台的晶圆定位装置和干法刻蚀设备，包括盖体和压盘；该盖体通过若干连接件连接压盘，该压盘中部设有通孔以压于晶圆表面边缘，其特征在于：该连接件与压盘之间还套设有偏心环。本实用新型通过偏心环来限制压盘动作时的不良性大幅晃动，能有效...

一种氮化镓双向开关器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和间隔设于有源区内势垒层上的第一电极和第二电极；还包括在第一电极和第二电极之间且间隔的两栅极、位于势垒层上且将第一电极、第二电极、两栅极隔离的第...

本实用新型公开了一种金属剥离后回收装置，包括第一过滤机构，该第一过滤机构包括第一过滤桶和设置在该第一过滤桶中的桶状过滤网，第一过滤桶中具有支撑台，过滤网底部设有开口，该开口对支撑台的支脚进行避让，并位于支撑台下方，且该开口的直径小于支撑...

本实用新型提供一种外延生长设备的载具，包括用于放置晶圆片的载盘，载盘中心具有通孔，通孔一侧壁面具有一环状台阶，晶圆片放置于环状台阶上，其中，载盘顶部可拆卸地设置一凸块，凸块具有向环状台阶一侧倾斜的斜边，斜边一端靠近环状台阶的载盘顶部边沿...

本实用新型公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，晶体管包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，设置在有源区处的源极和漏极之间栅极区域处势垒层表面的P型氮化物栅层，在P型氮化物栅层上设置栅极；于有...

本实用新型公开了一种氮化物HEMT器件，包含从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层构成异质结；还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，以及栅极，所述栅极包括设置于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处...

本发明公开了一种氮化镓增强型器件及其制备方法，衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、过渡层和P

本实用新型公开了一种激光器端面镀膜的排Bar结构，包括用于将两个激光器巴条间隔开的陪条，所述陪条具有相对的第一侧面和第二侧面，其中所述第一侧面与一激光器巴条的背面相靠且腔长方向的两端与所述背面平齐，所述第二侧面与另一激光器巴条的正面相靠...

本实用新型提供一种高电子迁移率晶体管，涉及半导体技术领域，包括在第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极。在第二N+型掺杂层上形成第一凹槽。在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻挡层上形成第三凹槽，其中...

本实用新型公开了一种带通滤波电路、低噪声放大电路、塔顶放大器及接收装置，塔顶放大器包括：前置滤波器，所述前置滤波器的输入端与天线端相连接；低噪声放大电路，所述低噪声放大电路的一端与所述前置滤波器的输出端相连接，用于进行信号放大及带外抑制...

本发明公开了一种半导体器件的封装焊接结构，包括衬底、沟道层、势垒层、第一金属层、第二金属层、第一钝化层、第三金属层、上金属层和保护层，通过沟道层、势垒层、第一金属层、第二金属层、第一钝化层组合可用于ESD防护，该部分结构设置在第三金属层...

本发明公开了一种氮化镓射频峰值电流、脉外平均电流及效率的获取方法，效率的获取方法包括：对氮化镓射频器件进行射频脉冲一次测量，获取第一平均电流和第一占空比；在相同的输入功率下，使用相同幅度的脉冲信号对氮化镓射频器件进行射频脉冲二次测量，获...

本实用新型公开了一种晶圆盒，包括用于立置晶圆片的盒体，该盒体上下贯通，且该盒体具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁内侧面设有多个第一置片槽，第二侧壁内侧面设有多个第二置片槽，第一置片槽与第二置片槽一一对应，以插置晶圆片；盒体上设置立式...