本发明公开了一种异质结终端的碳化硅功率器件，包括阴极电极、衬底层、N型SiC外延层及阳极电极，还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电...

本发明公开了一种图形化栅结构的微波晶体管，该晶体管在势垒层于源极和漏极之间具有一图形化区域，图形化区域内设置有复数个由势垒层表面沿厚度方向部分下凹形成的凹槽，栅极覆设于图形化区域上，且栅极长度大于该些凹槽于栅极长度方向上的长度以完全覆盖...

本实用新型公开了一种均匀蒸镀装置，包括蒸镀源及位于蒸镀源上方的可旋转镀锅，该镀锅围绕旋转中心设置若干用于放置晶片的镀环，该镀环的外圆圆径大于晶片尺寸，内圆区域形成蒸镀口，其中该镀环是偏心环且内圆圆心相对于外圆圆心向镀锅旋转中心的反方向偏...

本实用新型公开了一种干蚀刻机台PIN的改进结构，涉及半导体工艺设备领域，该干蚀刻机台PIN的改进结构，其特征在于：PIN的下端设有螺纹；还包括一夹套，所述的夹套设有和PIN下端配合的螺纹。通过螺纹连接，取代了现有的PIN夹持式连接方式。...

本实用新型公开了一种平坦化的晶片结构，包括一晶片层及一平坦层，所述晶片层具有一用于形成掺杂层的功能面及与之相对的一背面，所述平坦层设置于所述晶片层背面且其热膨胀系数小于所述晶片层，其中所述平坦层的厚度是所述晶片层厚度的1/5～1/15。...

本实用新型公开了一种具有多重栅极结构的晶体管，包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、GaN形成的沟道层及AlGaN或InAlGaN形成的势垒层，势垒层上设置有源极、漏极及位于两者之间的若干子栅极，该些子栅极由源极向漏极方向分立间隔排布以形...

本实用新型公开了一种基于多重栅极结构的金氧半场效晶体管，包括一N基P通道或P基N通道的衬底，且N基P通道衬底的两P+区或P基N通道衬底的两N+区上方分别引出有源极和漏极，于源极和漏极之间设有氧化层，氧化层上方设置若干子栅极，该些子栅极由...

本实用新型公开了晶元片盒测量治具，其底板相对的两侧平行设置导向条，且两导向条的距离与晶元片盒的宽度相匹配，对接件连接于底板上并包括若干于两导向条之间的上方平行排列的插板，插板与晶元片盒的插槽一一对应匹配。本实用新型还公开了晶元片盒测量装...

本发明公开了一种高离子迁移率晶体管的T型栅的制作方法，是在砷化镓(GaAs)基衬底上依次形成抗反射层及第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.16-0.19um的显开区域，再通过化学收缩工艺缩小至0.11-0.13um；再涂覆第二光阻...

本发明公开了一种砷化镓基半导体器件的制作方法，包括有以下步骤：提供一底材，所述底材包括一砷化镓基半导体晶片，晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区，其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角；于底材上形成一与之形状相匹配...

本发明公开了一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法，是在砷化镓(GaAs)基衬底上依次形成抗反射层及第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.13-0.18um的显开区域；再涂覆第二光阻，经曝光显影后与第一光阻的显开区域共同形成T型栅极的...

本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、氮化铝镓(AlGaN)层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述栅极是由导电类钻碳(Diamond-like carbo...

本发明公开了一种基于增强型栅极结构的晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、势垒层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述势垒层是AlGaN或InAlGaN，所述栅极是p型Al1-xGaxN...