本实用新型公开了一种高效散热的面射型激光器，涉及激光器领域，包括导热衬底以及在导热衬底上方依次设置的接触层、N型DBR、谐振区、限制层和P型DBR，导热衬底的热导率大于砷化镓的热导率，P型DBR上设有P型电极，限制层包括位于中部的氧化孔...

本实用新型公开了一种放大器电路的输出匹配电路及放大器电路，该输出匹配电路包括第一LC并联谐振网络、第一LC匹配网络、第二LC匹配网络、第一电容和第一电感，第一LC并联谐振网络与第一LC匹配网络串联，第一LC匹配网络包括串联连接的第二LC...

本实用新型公开了一种用于背照式光电探测器的封装组件，其基板设有透明区域，基板于透明区域外侧设有电极连线结构；基板设于支撑底座上围成用于容纳背照式光电探测器的空间。本实用新型还公开了应用上述封装组件的背照式光电探测器封装结构，背照式光电探...

本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构，该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区，有源区上设有欧姆金属层，在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层，钝化层上设有肖特基金属层，肖特基金属层在G...

本申请公开了一种集成激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的集成激光器，包括衬底，衬底划分有主激光器区域和从激光器区域，主激光器区域设置有DFB激光器，从激光器区域设置有VCSEL，DFB激光器的第一有源区与VCSEL的第二...

本实用新型公开了一种氮化镓晶体管器件及氮化镓单片微波集成电路，通过在器件隔离区上开设有从顶部钝化层向下延伸的凹槽，凹槽的底部位置对应在异质结与衬底之间，并在凹槽内设有散热层，散热层可采用金刚石等具有优异散热性能的绝缘材料。二维电子气区域...

本发明公开了一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法，是在HEMT外延结构上形成ESD外延结构，其中ESD外延结构顶部具有附加层，通过蚀刻和隔离形成HEMT器件区域和ESD器件区域后，同步沉积金属于HEMT区域制作源极金属、漏极金属，...

本申请公开了一种集成激光器，涉及半导体器件技术领域，本申请的集成激光器，包括VCSEL和设置在VCSEL外周的注入光子组件，注入光子组件包括注入激光器和设置在注入激光器出光侧的光波导，注入激光器出射的光子通过光波导注入到VCSEL的谐振...

本实用新型提供一种解胶机，包括箱形本体，本体前方具有开口，本体内空腔顶部中间区域设UV光源，UV光源照射方向向下；托架为抽屉形，其可从开口处伸入并水平放置于本体内空腔底部，托架中间区域具有圆形的第一镂空部；载具，载具为直径大于第一镂空部...

本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，包括依次由下至上层叠的P型衬底、第一P型DBR层、第一MQW层、N型DBR层、第二MQW层和第二P型DBR层；在第二P型DBR层内形成氧化层；第一P电极位于第一P型DBR层上或P型衬底上，N

本实用新型公开了一种垂直腔表面发射激光器，在P型DBR层上划分为非功能区和多个功能区，保护层和P型金属连接层设置在功能区内，保护层覆盖P型DBR层、氧化沟槽、氧化台柱和P电极，P型金属连接层覆盖于保护层上与P电极连接，在氧化孔的上方形成...

本发明公开了一种单光子探测器的测试装置，包括：脉冲光源模块，用于产生照射单光子探测器的单光子光源；模式切换模块，包括偏置器、模式切换开关以及可调电阻；可调电阻设置在直流偏置电压源和偏置器一输入端相连接；模式切换开关设置在偏置器另一输入端...

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底；位于衬底表面的外延层；位于外延层的远离衬底一侧的栅氧层；位于栅氧层的远离衬底一侧的第一掺杂多晶硅层；位于第一掺杂多晶硅层的远离衬底一侧的第二掺杂多晶硅层...

本发明公开了一种HEMT器件结构及其制作方法，通过调整源场板与源极的连接方式，源场板的纵向末端设有连接部，连接部超出栅极的纵向末端并弯折延伸至与源极的同侧纵向末端连接；连接部的弯折部分的宽度大于源场板的宽度，从而消除沿着栅条方向栅极与源...

本发明公开了一种基于GaN工艺的HEMT晶体管电荷模型建立及萃取方法，包括：基于外部输入的栅极电压、漏极电势和源极电势，获得栅极沟道电压；基于栅极电荷密度、栅极根数、栅极长度和单根栅极的宽度，获得栅极电荷；基于漏极电势和源极电势，获得漏...

本发明公开了一种声表面波滤波器及其制作方法，首先在钽酸锂或铌酸锂衬底上覆盖一层不透光金属层，之后利用黄光流程定义出IDT图形，再通沉积金属，采用剥离工艺去除光刻胶及其上方的金属后，再将多余的不透光金属层去除。其中不透光金属层为粘合层时，...

本发明公开了一种用于多信道全光信号处理的单片集成芯片及其处理方法，包括通过无源光波导连接的第一半导体光放大器、第一多模干涉仪、第二半导体光放大器、相位调制器和第二多模干涉仪；其中，第一多模干涉仪、第二半导体光放大器、相位调制器和第二多模...

本申请提供了一种半导体器件及其封装结构，涉及半导体技术领域。该半导体器件所述半导体器件包括衬底、位于衬底一侧的多个外延层；其中，外延层包括器件区与间隔区，相邻的器件区与间隔区之间设置有沟槽，且沟槽延伸至衬底；位于器件区上的APD单元；以...

本发明公开了一种单模面射型激光器及其制作方法，该单模面射型激光器包括依次层叠的衬底、N型DBR、有源层、限制层和P型DBR，衬底上设有N型电极，P型DBR上设有P型电极和出光口，限制层包括中部的出光孔及其外围的氧化区域，有源层包括中间的...

本发明公开了一种高阻抗半导体电阻器结构及其制作方法，包括GaAs器件外延层以及设于GaAs器件外延层之上的GaAs基PN结构，所述GaAs基PN结构由下至上包括N型层、第一P型层、蚀刻停止层和第二P型层，第二P型层上设有两金属电极，且第...