本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底；位于衬底正面的外延层，其中，外延层包括器件区与间隔区，间隔区位于相邻的两个器件区之间，器件区与间隔区之间设置有沟槽，沟槽的底部露出衬底；位于器件区上的A...

本实用新型公开了一种面射型激光器，包括自下而上设置的衬底、N型DBR、谐振区、限制层和P型DBR，衬底上设有N型电极，限制层包括位于中部的电流注入区域和位于外围的绝缘区域，P型DBR由若干反射层堆叠而成，P型DBR包括中间区域以及中间区...

本实用新型公开了一种组合式面射型激光器，包括中心激光器和多个外围激光器，多个外围激光器间隔分布在中心激光器的周围，外围激光器和中心激光器上均设有具有氧化孔径的限制层，外围激光器的氧化孔径比中心激光器的氧化孔径大，外围激光器和中心激光器分...

本实用新型公开了一种半导体制程ESD监控结构及测试晶圆，该ESD监控结构包括外延层以及设置在外延层上的至少一个ESD测试单元，ESD测试单元包括两个测试电极，两个测试电极相对的侧面上均设有尖端金属结构，两个尖端金属结构的尖端位置相对设置...

一种晶圆检测装置，用于检测晶圆切割后的切割道的漏光，包括腔体、光源和罩体；所述光源安装于腔体内，所述腔体的一面设置有开口区域，所述罩体凸出于所述腔体并罩设于所述腔体的开口区域和所述光源；所述晶圆检测装置还设有控制开关，所述控制开关与光源...

本申请公开了一种T型栅及其制备方法、HEMT器件，涉及半导体器件技术领域，本申请的T型栅的制备方法，包括提供外延片；在外延片上形成光刻胶体；采用等离子刻蚀工艺刻蚀光刻胶体以形成缩小光刻胶体；在设置有缩小光刻胶体的外延片上形成介质层，介质...

本实用新型公开了一种差异性亮点的VCSEL阵列，包括VCSEL芯片和金属传导条，金属传导条的一端设有外接垫；VCSEL芯片包括若干线性排列的VCSEL元件，金属传导条对应位于线性排列的VCSEL元件之上，且与所述VCSEL元件电连接；其...

本申请提供一种高电子迁移率晶体管制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：制备预制结构，预制结构包括衬底以及衬底上的异质结，异质结的第一表面具有多个V形坑；在预设气氛中退火，以扩大V形坑形成分布于异质结第一表面的多个凹坑，由于在异质结的第...

本申请提供了一种器件测试装置及系统，涉及器件检测技术领域。器件测试装置包括检测模块、散热模块以及连接轴，检测模块设置有安装区，安装区用于安装待检测器件，连接轴的一端与检测模块连接，连接轴的另一端与散热模块可转动地连接；其中，当器件测试装...

本实用新型提供一种焊接治具，涉及焊接工装领域。焊接治具包括座体和盖体，座体包括第一主体以及由第一主体围成的容纳槽，容纳槽用于容纳基板和母排框架，盖体包括第二主体以及由第二主体围成的窗口，盖体盖设于座体上，并且窗口露出容纳槽的局部。使用时...

本申请提供一种焊接夹具，该焊接夹具结构包括具有位置相对的第一表面和第二表面的固定盒体，于固定盒体的第一表面开设有第一凹槽，基于第一凹槽的底部向第二表面的方向开设有第二凹槽，第二凹槽的开口小于第一凹槽的开口。第二凹槽用于容置待焊接的基板，...

本发明公开了一种消除台面边缘应力的氧化型VCSEL的制作方法，通过设计发光台柱和初始台柱的直径和高度，对VCSEL的外延结构首先蚀刻出初始台柱，使初始台柱的直径大于发光台柱的直径，高度小于发光台柱的高度；然后采用湿法氧化工艺对初始台柱进...

本实用新型公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构适用于芯片倒装封装工艺，在芯片的上方设置有散热件，在散热件的顶部和芯片的背面之间设置有导热界面材料层，因此可以及时将芯片产生的热量从导热界面材料层传递到散热件上，通过散热件与外部环境进行热...

本发明公开了一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块的制作方法，是在硅基基板上涂覆高折射率透明光刻胶，对透明光刻胶采用曝光、显影工艺形成过渡结构和固定结构，将激光器通过固定结构黏附固定于硅基基板上，并使其出光端口与过渡结构的端口对准，然后...

本实用新型公开了一种VCSEL阵列的TO封装结构，包括TO管座、贯穿TO管座的复数根TO管脚、热沉、异面VCSEL阵列和复数个焊线，热沉焊接在TO管座上，热沉的上表面具有导电涂层；导电涂层分割成三个部分，分别为芯片部、正极连接部和负极连...

本实用新型公开了一种增强PIN二极管抗静电击穿能力的结构，包括自下而上依次叠设的GaAs衬底、第一N

本申请提供了一种USB可调快充电路，应用于目标设备，所述USB可调快充电路包括：D+数据引脚、D

本申请提供一种内嵌电阻的射频开关器件版图结构和射频开关器件，通过在射频开关器件的版图结构内部嵌入栅极指组，并通过栅极指组形成沟道电阻，利用沟道电阻的方式实现稳定栅极之间的电压。在提高开关器件的耐攻率能力的同时，提高版图的紧凑度，避免版图...

本实用新型提供一种晶圆载具及外延生长设备，包括装设于外延生长设备腔体内旋转座上的底座和放置晶圆片的载盘，底座和载盘旋转轴心位于同一直线，底座为盘状，其下方设有卡接旋转座用于防止载具径向移动的凸起，其上方设有适配于载盘从上方垂直放入的容纳...

本实用新型提供一种SiC晶圆载具及外延生长设备，载具装设于外延生长设备腔体内的旋转座上，载具为石墨一体成型的盘状，其下方设有卡接旋转座用于防止载具沿旋转轴径向移动的凸起，其上方设有适配于SiC晶圆片从上方垂直放入的凹槽，凹槽内具有用于支...