一种半导体器件及其封装结构制造技术

本申请提供了一种半导体器件及其封装结构，涉及半导体技术领域。该半导体器件所述半导体器件包括衬底、位于衬底一侧的多个外延层；其中，外延层包括器件区与间隔区，相邻的器件区与间隔区之间设置有沟槽，且沟槽延伸至衬底；位于器件区上的APD单元；以及位于衬底另一侧且设置有入射窗口的共面电极，其中，入射窗口设置于与器件区相对的位置。本申请提供的半导体器件及其封装结构具有效地抑制了雪崩光电二极管阵列之间的光串扰与电串扰，提升了器件的整体性能的优点。件的整体性能的优点。件的整体性能的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件及其封装结构。

技术介绍

[0002]光电探测器是将光信号转变为电信号的器件，雪崩光电探测器采用的即是雪崩光电二极管(APD)，能够具有更大的响应度。APD将主要应用于长距离或接收光功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。
[0003]然而，在实际使用中，雪崩光电二极管阵列之间容易出现光串扰与电串扰，导致光电探测器的整体性能较差。
[0004]综上，技术中的光电探测器存在性能较差的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种半导体器件及其封装结构，以解决现有技术中光电探测器存在性能较差的问题。
[0006]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0007]一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括:
[0008]衬底；
[0009]位于所述衬底一侧的多个外延层；其中，所述外延层包括器件区与间隔区，相邻的器件区与间隔区之间设置有沟槽，且所述沟槽延伸至所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括:衬底；位于所述衬底一侧的多个外延层；其中，所述外延层包括器件区与间隔区，相邻的器件区与间隔区之间设置有沟槽，且所述沟槽延伸至所述衬底；位于所述器件区上的APD单元；以及位于所述衬底另一侧且设置有入射窗口的共面电极，其中，所述入射窗口设置于与所述器件区相对的位置。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述沟槽侧壁与底部的反射膜。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述器件区上除所述APD单元以外区域及位于所述APD单元侧壁的反射膜。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，制作所述反射膜的材料包括Al2O3、SiO2、Si3N4、Ta2O5以及TiO2中的一种。5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述反射膜的厚度为100nm～1000nm。6.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛亦琛，孙维忠，陈振锋，刘超，阮鑫栋，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：