本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上通过外延生长形成外延结构，外延结构包括外延层和帽层，通过涂覆光阻、经曝光、显影形成图形化光阻定义出窗口区域，然后对窗口区域内露出的帽层进行刻蚀，使得帽层下方的外...

本发明公开了一种局部减薄制造方法，首先量测晶片表面待减薄层每个对应曝光区域的点的前值厚度；然后使晶片上覆盖一层光刻胶，采用步进式曝光机的渐进曝光模式，每一区域的曝光能量与焦距由该点的厚度的量测结果而定，之后进行显影，形成表面平齐的光刻胶...

一种氮化镓晶体管器件及其制备方法，包括由下至上设置的衬底、GaN层、AlGaN层和源漏栅电极结构，源极、漏极设于AlGaN层两侧，栅极设于源极和漏极之间，其特征在于：该AlGaN层的上表面氧化形成若干相互平行且间隔分布的隔离道，隔离道长...

本实用新型涉及一种半导体器件的金属互连结构及半导体器件，对应化合物半导体器件的接线盘设置第一金属柱、第二金属柱，使本实用新型适用于倒装式封装，基于倒装式封装结构，能增加单位面积内的I/O数量，缩短的互连，进而减小电感、电阻及电容，性能提...

本实用新型公开了一种具有复合钝化层的半导体器件，包括半导体基底和设于半导体基底之上的电极，还包括设于半导体基底和电极之上的复合钝化层，所述复合钝化层于所述电极之上具有暴露所述电极的开口；所述复合钝化层包括交替设置的第一纳米沉积层和第二纳...

本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括在第二N+型掺杂层上沉积金属以分别形成源极和漏极。在第二N+型掺杂层上形成第一凹槽。在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻挡层上形成第三凹...

一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：提供宽带隙外延层，宽带隙外延层包括宽带隙衬底和宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；在宽带隙漂移层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成第三掩膜层，第三掩膜层的厚度大于第一掩膜层的...

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，晶体管包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，设置在有源区处的源极和漏极之间栅极区域处势垒层表面的P型氮化物栅层，在P型氮化物栅层上设置栅极；于有...

本发明公开了一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法，方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层；在势垒层上形成源极和漏极；通过若干次光刻工艺依次在有源区处的源极与漏极之间栅极区域的势垒层的形成离子注入区域，并分别进行N或(N‑...

本实用新型公开了一种氮化镓晶体管驱动电路包括二极管D

本实用新型公开了一种氮化镓器件电流崩塌测试装置，包含第一高速开关、第二高速开关；第一高速开关、第二高速开关均为二选一开关；第一高速开关的第一选择端连接至第一电压，所述第一高速开关的第二选择端用于输入待测氮化镓器件的栅极测试电压，所述第一...

本申请实施例提供一种覆晶型激光器件以及制作方法，包括衬底、设置于衬底上的外延层组，该外延层组内形成有出光区域，还包括设置于衬底远离外延层组一侧的第一电极、设置于外延层组远离衬底一侧的第二电极，第一电极的位置与出光区域位置对应。其中，在衬...

本发明提供一种射频芯片及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括在衬底上通过外延生长依次形成场效应晶体管外延层结构和双极晶体管外延层结构，刻蚀双极晶体管外延层结构以分别在电感器区域和场效应晶体管区域露出场效应晶体管外延层结构；在场效应晶体...

本发明涉及一种HEMT射频器件及其制作方法，该器件包含从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，栅极包括梳齿栅极结构；梳齿栅极结构包含梳柄部和至少两个或两个以上的梳齿部，梳齿部与梳柄部相连，梳齿部间隔设置；梳柄部设置于势垒层上...

本发明公开了一种HEMT器件及其制作方法，HEMT器件包含从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层构成异质结；还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，以及栅极，所述栅极包括设置于有源区处的源极与漏极...

本发明提供一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供砷化镓基底，在高电子迁移率晶体管区域刻蚀异质结双极晶体管外延层结构以露出高电子迁移率晶体管外延层结构，高电子迁移率晶体管外延层结构和异质结双极晶体...

本实用新型公开了一种氮化物功率器件，包括沟道层、势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分...

一种碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构，涉及半导体器件技术领域。该钝化结构应用于碳化硅功率器件，包括设置于衬底上的碳化硅外延层，以及依次形成于碳化硅外延层上的肖特基金属层和正面金属层；钝化结构还包括厚度小于或等于0.1μm的钝化层，钝...

本实用新型公开了一种具有多层金属连线的半导体器件，包括由下至上按序设置的半导体基底、第一介质层、第一SiN层、第二介质层和第二SiN层，还包括第一金属连线层和第二金属连线层，第一金属连线层嵌设于第一介质层之中，第二金属连线层嵌设于第一S...

本发明公开了一种降低异质结双极晶体管b‑c结电容的结构及制作方法，是在制作基极金属时，首先在芯片结构上涂覆第一光阻并曝光、显影形成第一窗口，然后涂覆第二光阻，通过微缩、回流工艺缩小第一窗口的线宽后蚀刻第一窗口内的钝化层形成第一开口，去除...