本发明提供一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供砷化镓基底，在高电子迁移率晶体管区域刻蚀异质结双极晶体管外延层结构以露出高电子迁移率晶体管外延层结构，高电子迁移率晶体管外延层结构和异质结双极晶体...

本实用新型公开了一种氮化物功率器件，包括沟道层、势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分...

一种碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构，涉及半导体器件技术领域。该钝化结构应用于碳化硅功率器件，包括设置于衬底上的碳化硅外延层，以及依次形成于碳化硅外延层上的肖特基金属层和正面金属层；钝化结构还包括厚度小于或等于0.1μm的钝化层，钝...

本实用新型公开了一种具有多层金属连线的半导体器件，包括由下至上按序设置的半导体基底、第一介质层、第一SiN层、第二介质层和第二SiN层，还包括第一金属连线层和第二金属连线层，第一金属连线层嵌设于第一介质层之中，第二金属连线层嵌设于第一S...

本发明公开了一种降低异质结双极晶体管b‑c结电容的结构及制作方法，是在制作基极金属时，首先在芯片结构上涂覆第一光阻并曝光、显影形成第一窗口，然后涂覆第二光阻，通过微缩、回流工艺缩小第一窗口的线宽后蚀刻第一窗口内的钝化层形成第一开口，去除...

本发明提供一种双极型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：通过发射极接触光罩形成发射极金属、源极金属和漏极金属；通过凹槽蚀刻光罩以在源极金属和漏极金属之间露出肖特基层；通过发射极台阶层光罩以在发射极金属两侧露出发射...

本申请提供一种异质结双极型晶体管的制作方法，该制作方法可以在不更改既有的HBT制程的基础上，在制作绝缘区域上方的第二金属氮化物层的同时，制作位于非绝缘区域上的第一金属氮化物层，且制作形成的第三金属层与第一金属氮化物层材料不同。该制作方法...

一种集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：在厚度在3nm至5nm之间的势垒层上形成包括第一区域和第二区域的氮化硅钝化层；在第一区域形成增强型器件的源极金属和漏极金属、在第二区域形成耗尽型器...

一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻，N+区位于P阱区内，P+区与N+区相邻；欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间，栅氧化层上形成有多晶硅栅电极，多晶硅栅电极和...

本实用新型涉及一种光学按键，采用面射型激光器朝向触发件发射面激光，经触发件的光反射层进行反射，形成具有一定覆盖范围的反射光；通过触发件的往复运动，改变反射光的覆盖范围，进而基于光接收器接收反射光的有无或多少，即可判断按键按下或抬起，省略...

本发明涉及一种碳化硅外延片及碳化硅二极管器件及其制备方法，碳化硅外延片设置多层N型SiC外延层和不同面积的P型区，位于下层的P型区面积较大，能够提高器件反向击穿特性和抗浪涌电流能力，位于上层的P型区面积较小，能够增加表面肖特基接触面积，...

本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管结构，它包括依次形成于衬底上方的成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成有间隔设置的源、漏、栅电极结构，源、漏、栅电极结构之间具有钝化层，栅电极结构由第一栅...

本实用新型公开了一种半导体器件测试电路，它包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路与该漏极串接，该熔断支路包括熔断丝，该熔断丝的一端与该漏极电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该漏...

一种碳化硅器件外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该方法包括：在衬底上生长碳化硅外延层；在碳化硅外延层上沉积第一阻挡层；刻蚀第一阻挡层以形成露出碳化硅外延层的第一窗口，通过第一窗口注入N型离子以在碳化硅外延层内形成N型离子注入...

本申请提供一种氮化镓基功率器件外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：在外延结构的P型盖帽层上沉积掩膜层，外延结构包括栅极区域和非栅极区域，P型盖帽层覆盖栅极区域和非栅极区域的第一铝镓氮层；刻蚀掩膜层，以将非栅极区域的P型...

本发明公开了一种射频开关器件版图结构及射频开关器件，版图结构包括设置于外延层上的第一电极、第二电极、栅极、第一辅助金属块、第一金属块，栅极包括至少一子栅极，第一辅助金属块设置于相邻第一子栅极的第一方向子栅极部分之间，第一辅助金属块在宽度...

本发明公开了一种氮化镓器件可靠性测试装置及测试方法，所述装置包括负载电阻、负载电容、第一半导体开关器件，负载电阻的一端连接至直流电源，负载电阻的另一端连接至第一半导体开关器件的漏极，第一半导体开关器件的源极分别连接至待测氮化镓器件的漏极...

本申请提供了一种外延结构和晶体管，涉及半导体领域。外延结构包含复合基极层和发射极层，复合基极层包含第一基极层和设置在所述第一基极层上的第二基极层；所述第一基极层的材料包含In

本申请提供一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体外延结构至少包括依次层叠的势垒层和P型盖帽层；该半导体外延结构的制备方法包括：在P型盖帽层上沉积掩膜层，半导体外延结构包括栅极区域和非栅极区域；刻蚀非栅极...

本实用新型公开了一种具有纳米夹层的氮化铝成核层结构，包括至少三层的氮化铝层和至少两层的纳米夹层，氮化铝层的层数大于纳米夹层的层数，氮化铝层和纳米夹层依次层叠且间隔分布，纳米夹层为AlGaN层和/或GaN层，纳米夹层的厚度范围为1‑10n...