本实用新型涉及一种碳化硅MPS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖第二欧姆接触金属层，第二欧姆接触金属层位于第...

本实用新型公开了一种多层介质隔离结构，包括基底和至少一形成于基底上的金属互联结构，金属互联结构包括第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层连接，还包括粘附层、钝化层、平坦化层和保护层；粘附层、钝化层和平坦化层依次覆盖于基底上；粘附...

本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上生长氮化镓铝/氮化镓异质结结构层，然后在氮化镓铝/氮化镓异质结结构层上生长氮化镓牺牲层，在形成氮化硅钝化层时，可以使得硅氢化物会将腐蚀性作用于氮化镓牺牲层，...

本发明公开了一种用于

本发明公开了一种晶体管，包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和钝化保护层，衬底、沟道层、势垒层依次从下至上层叠，栅极、源极和漏极位于势垒层上，栅极位于源极和漏极之间，钝化保护层覆盖在源极、漏极和势垒层上，并在势垒层上形成钝化保护层...

本实用新型提供了一种p型碳化硅欧姆金属结构和晶体管，涉及半导体技术领域。p型碳化硅欧姆金属结构包括p型碳化硅半导体和在所述p型碳化硅半导体上依次设有镍层、钛层和铝层。p型碳化硅欧姆金属结构在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性...

本发明公开了一种低电容的垂直腔面发射激光器，包括衬底、外延层、第一电极、第二电极和有机聚合物层，其外延层通过绝缘隔离形成器件发光区，第二电极包括环形部和引出部，环形部设于器件发光区之上且内部形成激光器的出光口，引出部由环形部延伸至器件发...

本发明公开了一种低电容的高速光电二极管及其制备方法，所述高速光电二极管由下至上包括第一电极、衬底、外延层和第二电极，还包括有机聚合物层；外延层由下至上包括第一半导体层、I层和第二半导体层以形成PIN结构，其中第二半导体层设有光敏区，第二...

本实用新型公开了一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构，所述氮化镓晶体管结构包含由下从上依次叠层的衬底、缓冲层、沟道层、极化掺杂p型AlGaN层、AlGaN势垒层；设于AlGaN势垒层上的源极和漏极；在所述AlGaN势垒层开设有凹槽或在...

一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构，涉及半导体技术领域。该声表面滤波器的键合方法包括在键合基板的上表面形成不透明的反射层；在高真空条件下，以预设压力将压电层通过反射层键合于键合基板上。该声表面滤波器键合方法能够有效降低失焦的风险。键...

本申请提供一种具有缓冲结构的驱动电路以及集成电路，包括缓冲结构、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一反相器和第二反相器，其中，第一反相器的输出端通过第二反相器后连接至第一晶体管，第一反相器的输出端连接至第二晶体管，第一反相器的输出端...

本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法、测试方法，属于半导体技术领域。垂直腔面发射激光器，包括：N型衬底，设于N型衬底下方的第一电极；以及依序形成于N型衬底上方的N型DBR、第一包覆层、量子阱有源区、第二包覆层、氧化层、P型DBR...

本发明公开了一种激光器结构，包括位于同一半导体芯片上的激光器主体和过渡脊波导结构，过渡脊波导结构设于所述激光器主体的出光端口一侧且与激光器主体之间设有深度超过激光器主体的有源区的中间槽；过渡脊波导结构具有第一宽度的第一端口和第二宽度的第...

本发明公开了一种双共振腔VCSEL激光器，包括由下至上按序设置的第一DBR、第一共振腔、中间DBR组、第二共振腔和第二DBR，其中中间DBR组由下至上包括第三DBR和第四DBR；第一共振腔用于生成第一光束，第二共振腔用于生成第二光束，第...

本发明公开了一种分段式蚀刻方法，包括以下步骤，双氧水蚀刻

一种PIN抗静电结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该PIN抗静电结构包括N型半导体层、形成于所述N型半导体层一侧且呈间隔设置的两个PIN结构，以及形成于所述PIN结构上且与所述PIN结构欧姆接触的第一金属层，其中，两个所述PIN结构...

本实用新型公开了应用于III族氮化物器件结构，所述栅极金属结构设置于III族氮化物器件的III族氮化物层上，所述栅极金属结构包含第一金属层；所述栅极金属结构还包含第二金属层，所述第二金属层设置于III族氮化物层与所述第一金属层之间，以及...

本实用新型公开了一种晶圆蒸镀伞架，包括本体，在本体上开设复数个伞架槽，每一个伞架槽至少具有一个让位槽，伞架槽之间通过让位槽连通；复数个伞架槽形成外放置圈和内放置圈，内放置圈的伞架槽至少与一外放置圈的伞架槽连通；在内放置圈中，伞架槽至少与...

本实用新型公开了一种晶圆载具，包括支撑区和晶圆放置区，晶圆放置区的顶面为晶圆承载面，底面为载台接触面，在晶圆放置区上开设复数个真空道，真空道贯穿晶圆放置区的顶面和底面，以晶圆放置区的圆心为定点，由复数个真空道形成的图形为中心对称图形。本...

本发明公开了一种氮化镓晶体管的非合金欧姆接触制作方法，其半导体基底由下至上包括衬底、缓冲层、势垒层、帽层和介质层，通过向半导体基底注入Si离子形成注入区，蚀刻介质层形成位于注入区范围之内的欧姆接触区，于欧姆接触区上沉积金属并采用波长为2...