本发明公开了一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法，所述器件包含从下至上层叠设置的衬底、沟道层、势垒层；于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层在沿着栅宽方向设置若干个子凹槽，若干个子凹槽中至少两个或两个以上的子凹槽的凹槽深度不同；...

本发明公开了一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法，所述器件包含从下至上层叠设置的半导体衬底、沟道层、势垒层；还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，以及栅极，于有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层设置台阶状凹槽，所述栅...

本发明公开了一种SiC MOSFET结构，其SiC MOSFET结构中包括若干元胞区、位于该些元胞区一侧的栅极区以及位于该些元胞区外围的过渡区，其中过渡区设有与元胞P+区相连并具有相同注入的过渡P+区，元胞P+区和过渡P+区上设有源极欧...

一种密封环结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域。该密封环结构包括通过半导体外延层制作的增强型高电子迁移率晶体管、二极管组和电阻，增强型高电子迁移率晶体管用于环设于半导体器件的器件区外周，二极管组和电阻用于设于器件区外周；二极管组的阳极...

本实用新型公开了一种相移光栅的分布式反馈激光器，包括由下至上依次设置的有源区、光栅层和波导层；所述光栅层包括三段第一光栅和两段第二光栅，所述第一光栅具有标准周期，所述第二光栅的周期与所述标准周期不同；所述第一光栅和第二光栅沿所述激光器的...

本实用新型涉及一种晶圆片自动传片装置，通过自动化控制的驱动机构将晶圆片从供片晶圆盒推动至接片晶圆盒，实现传片速度、力度和距离精准控制，防止速度过快而造成晶圆片损坏，速度过慢而影响传片效率。配合第一位置检测装置、第二位置检测装置，限定推杆...

本实用新型公开了一种可改善正面崩边的预加工碳化硅基晶圆结构，包括碳化硅衬底、设于所述碳化硅衬底正面的功能层和设于所述碳化硅衬底背面的背金层，所述功能层包括若干器件区，相邻器件区之间设有切割道，所述碳化硅衬底对应所述切割道设有改质区，所述...

本实用新型公开了一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件，晶圆包括分设于晶圆上的复数个半导体器件及分布于半导体器件周围的划片区域，半导体器件至少由衬底及其上依次形成的外延层、电极结构、金属互联结构组成，划片区域具有沟槽，沟槽开口方向位于金属...

本实用新型涉及一种复合衬底结构，其中，复合衬底包括低阻衬底层和高阻衬底层，用于生长氮化镓外延；其中，位于底部且较厚的低阻衬底层，可增加复合衬底的机械强度，可减小高温异质外延生长中，外延片的翘曲，从而获得更厚的氮化镓基薄膜，提高薄膜晶体质...

本发明公开了一种半导体器件的背金工艺，包括以下步骤：1)在半导体器件背面溅镀第一金属薄层；2)在第一金属薄层上涂覆光阻剂，得到光阻层；3)对光阻层依次进行曝光和显影，使第一金属薄层表面形成未被光阻层覆盖的电镀区和被光阻层覆盖的蚀刻区；4...

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括依次层叠的N电极、衬底、第二氧化层、N型DBR层、MQW层、第一氧化层、P型DBR层、P型接触层和P电极，第一氧化层包括第一未氧化区和位于第一未氧化区周围的第一氧化物限制区，第二氧化层包括第二未氧...

本发明公开了一种光电二极管，包括N电极、N型衬底、反射层、感光层、P型层和P电极，N型衬底具有顶面、底面和供光入射的侧面，在侧面开口形成第一入射面和台面，台面低于顶面并且外凸于顶面，顶面、第一入射面和台面形成Z字形，第一入射面和台面形成...

本发明涉及一种增强型与耗尽型HEMT集成器件及制备方法，通过在P型氮化物栅极层上沉积不同应力的介质，对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控，改变其极化电场强度，最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单片集成。在制备耗尽型半...

本发明涉及一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片及制备方法，利用介质层的应力对器件阈值电压的影响与器件栅极线宽的相关性，对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控，改变其极化电场强度，最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单...

本实用新型公开了一种载台平行度检测仪，属于半导体的制程设备领域。包括：一放置于载台上的支架，支架设置有三个装接端；每一个装接端分别装设有激光发射方向相互平行，并且在激光发射方向上不为一个平面的第一测距单元、第二测距单元和第三测距单元；支...

一种氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质，涉及半导体器件仿真技术领域。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法包括：获取待仿真的输入电压；将输入电压输入氮化镓基高电子迁移率晶体管模型，获取模型运行后输出的输出电流，其中，模型包...

本发明涉及一种半导体切筋成型设备，设置独立的检测刀具，参照切筋刀具的切断动作进行检测动作，通过发现引线框架连体切断异常，实时判断切筋刀具是否存在如断刀等异常。本发明能够提前发现产品质量问题，并能够及时排查，避免出现批次性的产品质量问题，...

一种半导体激光光束整形器，包括VCSEL装置及透镜件。该VCSEL装置包括基材、第一型及第二型掺杂分布式布拉格反射器、主动层、表面浮雕层、限制件，及第一及第二电极。该表面浮雕层形成在该第二型掺杂分布式布拉格反射器中并具有等于N*λ/4n...

一种VCSEL装置(10)，包括一基材(100)、第一型和第二型掺杂分布式布拉格反射器(110，140)、第一及第二电极(120,170)、一主动层堆叠(130)、一反相表面浮雕层(150)及一限制件(160)。该反相表面浮雕层(150...

本发明公开了一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件，包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设...