一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片及制备方法，利用介质层的应力对器件阈值电压的影响与器件栅极线宽的相关性，对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控，改变其极化电场强度，最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单片集成。在制备耗尽型半导体器件时，无需刻蚀栅金属下方的P型氮化物层，栅极金属与半导体接触界面不存在刻蚀损伤，可有效降低器件的栅漏电，提升器件开关电流比，降低功耗；本发明专利技术制备的增强型半导体器件，与常规P型氮化物栅增强型HEMT相比，P型氮化物栅极层下方的势垒层极化电场强度减弱，异质结界面极化电荷面密度减少，增强型半导体器件的阈值电压得到进一步提升。

【技术实现步骤摘要】
一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片及制备方法
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，以及一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片的制备方法。
技术介绍
硅基GaNHEMT由于其自身的优越特性，在功率开关领域发展前景广阔，其中，商业化功率GaNHEMT主要是P型氮化物栅增强型HEMT器件。但由于P型氮化物栅增强型HEMT器件存在阈值电压低以及栅极摆幅小等问题，为充分发挥GaN材料的优越性，需要将栅极驱动电路与功率GaNHEMT进行单片集成。现有技术中，基于p-GaN/AlGaN/GaN外延结构，实现增强型与耗尽型半导体器件单片集成的常见方法为：利用干法刻蚀工艺，选择性刻蚀或完全刻蚀表面P型氮化物层，获得增强型或耗尽型GaNHEMT器件。但利用上述方法中，利用完全刻蚀P型氮化物层的方法制备耗尽型GaNHEMT器件时，栅极区域下方的AlGaN层表面存在干法刻蚀损伤，该损伤将使得AlGaN层表面产生大量缺陷，导致器件阈值电压分布不均匀，栅极漏电流大。同时，利用选择性刻蚀P型氮化物层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，其特征在于，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一P型氮化物栅极层、第二P型氮化物栅极层，第一P型氮化物栅极层与第二P型氮化物栅极层间隔设置；第一P型氮化物栅极层的栅极线宽大于第二P型氮化物栅极层的栅极线宽；第一P型氮化物栅极层上设置第一栅极金属，第二P型氮化物栅极层上设置第二栅极金属；第一P型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为增强区域，第二P型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为耗尽区域；增强区域及耗尽区域覆盖张应力介质层，在增强区域设置第一源极金属、第一漏极金属，形成增强型半导体器件，在耗尽区域设置第二源极金属、第二漏极金属，形成耗尽...

【技术特征摘要】
1.一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，其特征在于，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一P型氮化物栅极层、第二P型氮化物栅极层，第一P型氮化物栅极层与第二P型氮化物栅极层间隔设置；第一P型氮化物栅极层的栅极线宽大于第二P型氮化物栅极层的栅极线宽；第一P型氮化物栅极层上设置第一栅极金属，第二P型氮化物栅极层上设置第二栅极金属；第一P型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为增强区域，第二P型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为耗尽区域；增强区域及耗尽区域覆盖张应力介质层，在增强区域设置第一源极金属、第一漏极金属，形成增强型半导体器件，在耗尽区域设置第二源极金属、第二漏极金属，形成耗尽型半导体器件。


2.根据权利要求1所述的增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，其特征在于，第一P型氮化物栅极层的栅极线宽为1μm～2μm，第二P型氮化物栅极层的栅极线宽为0.1μm～0.6μm；增强型半导体器件的阈值电压为0.5V～2.5V，耗尽型半导体器件的阈值电压为-0.5V～-1V。


3.根据权利要求1或2所述的增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，其特征在于，增强区域及耗尽区域覆盖钝化层，张应力介质层覆盖于钝化层上；钝化层的应力值低于张应力介质层的应力值。


4.根据权利要求3所述的增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，其特征在于，张应力介质层的应力值为200MPa～3GPa，钝化层的应力值为-250MPa～150MPa；张应力介质层的厚度为30nm-1000nm，钝化层的厚度小于20nm。


5.根据权利要求1所述的增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片，其特征在于，张应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合，钝化层为氮化硅、氧化硅、氮化铝或氧化铝的一种或几种组合。


6.一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘成，田野，何俊蕾，赵杰，郭德霄，叶念慈，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35