具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件,氮化镓半导体器件包括沿横向布置的第一晶体管区和第二晶体管区，第一晶体管区作为续流二极管，第一晶体管区包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极与第一源极电连接后作为续流二极管的阳极，第一漏极作为续流二极管的阴极。第二晶体管区包括第二栅极和第二漏极，第一栅极与第一源极电连接后作为氮化镓半导体器件的源极，第一漏极与第二漏极电连接后作为氮化镓半导体器件的漏极，第二栅极作为氮化镓半导体器件的栅极。该氮化镓半导体器件能够极大地节省面积，同时具有完美的工艺兼容性。

【技术实现步骤摘要】
具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件
本技术涉及半导体器件领域，具体地说，是涉及一种具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件。
技术介绍
作为第三代半导体材料的典型代表，宽禁带半导体氮化镓（GaN）具有许多硅材料所不具备的优异性能，是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料，在民用和商用领域具有广阔的应用前景。基于GaN的晶体管常用于DC—DC电路中，为了减小电路开关过程的功耗，如图1所示通常会在晶体管两端并联一个续流二极管。上述电路是由两个分立的元件构成：一个晶体管，一个二极管。这样的结构面积大，成本高，不利于集成更多的元器件。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够极大地节省面积，同时具有完美的工艺兼容性的具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件。为实现上述目的，本技术提供一种具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件，包括沿着横向布置的第一晶体管区和第二晶体管区，第一晶体管区作为续流二极管，第一晶体管区包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极与第一源极电连接后作为续流二极管的阳极，第一漏极作为续流二极管的阴极。第二晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件，其特征在于，包括沿着横向布置的第一晶体管区和第二晶体管区；/n所述第一晶体管区作为所述续流二极管，所述第一晶体管区包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述第一源极电连接后作为所述续流二极管的阳极，所述第一漏极作为所述续流二极管的阴极；/n所述第二晶体管区包括第二栅极和第二漏极；/n所述第一栅极与所述第一源极电连接后作为所述氮化镓半导体器件的源极，所述第一漏极与所述第二漏极电连接后作为所述氮化镓半导体器件的漏极，所述第二栅极作为所述氮化镓半导体器件的栅极。/n

【技术特征摘要】
1.具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件，其特征在于，包括沿着横向布置的第一晶体管区和第二晶体管区；
所述第一晶体管区作为所述续流二极管，所述第一晶体管区包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述第一源极电连接后作为所述续流二极管的阳极，所述第一漏极作为所述续流二极管的阴极；
所述第二晶体管区包括第二栅极和第二漏极；
所述第一栅极与所述第一源极电连接后作为所述氮化镓半导体器件的源极，所述第一漏极与所述第二漏极电连接后作为所述氮化镓半导体器件的漏极，所述第二栅极作为所述氮化镓半导体器件的栅极。


2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一源极作为所述第二晶体管区的源极。


3.根据权利要求2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
在横向上，所述第一源极和所述第一漏极分别位于所述第一栅极的两侧，所述第一源极和所述第二漏极分别位于所述第二栅极的两侧，所述第一源极位于所述第一栅极和所述第二栅极之间。


4.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第二晶体管区还包括第二源极，所述第二源极与所述第一源极间隔布置；
所述第二源极与所述第一源极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖航，周春华，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32