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本实用新型提供一种具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件,氮化镓半导体器件包括沿横向布置的第一晶体管区和第二晶体管区，第一晶体管区作为续流二极管，第一晶体管区包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极与第一源极电连接后作为续流二极管的阳极，第...
该专利属于英诺赛科(苏州)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(苏州)半导体有限公司授权不得商用。

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