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本发明涉及一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片及制备方法，利用介质层的应力对器件阈值电压的影响与器件栅极线宽的相关性，对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控，改变其极化电场强度，最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单片集...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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