一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件，晶圆包括分设于晶圆上的复数个半导体器件及分布于半导体器件周围的划片区域，半导体器件至少由衬底及其上依次形成的外延层、电极结构、金属互联结构组成，划片区域具有沟槽，沟槽开口方向位于金属互联结构一侧且深度至衬底，沟槽底部具有隔离层。它具有如下优点：避免晶圆片切割过程中产生的机械应力和电学应力造成的损伤蔓延至外延的有源区，改善半导体器件可靠性。改善半导体器件可靠性。改善半导体器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件


[0001]本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件。

技术介绍

[0002]电子电力技术在现代人类的生产生活当中扮演着重要的角色，从日常生活中的家用电器到工业生产、电器交通以及新能源技术，电力电子器件无处不在。在电子电力设备中，为实现高效的电力转换，就需要对电子电力器件提出更高的性能要求，如低导通损耗，耐高压，耐高温等，这些器件或芯片的好坏直接影响到电子电力设备的运行效率。氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料，具有高饱和电子迁移速率、高击穿电场等优势，具有作为电子电力器件的先天优势。而硅基氮化镓技术的应用大大降低了氮化镓半导体器件的制备成本，并且为未来8"及12"硅基氮化镓的制备提供了可能。
[0003]然而，在硅基氮化镓半导体器件的制备过程中，由于氮化镓外延层与硅衬底的晶格失配及热应力失配，导致外延层内产生许多如位错、层错等缺陷；而这些缺陷会一直存在，并且在晶圆片的切割过程中会因为轮刀、镭射的作用渐渐延伸到器件外延的有源区，严重影响到器件的电性和可靠性。因此有必要对晶圆片上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有半导体器件的晶圆，包括分设于晶圆上的复数个半导体器件及分布于半导体器件周围的划片区域，其特征在于：半导体器件至少由衬底及其上依次形成的外延层、电极结构、金属互联结构组成，划片区域具有沟槽，沟槽开口方向位于金属互联结构一侧且深度至衬底，沟槽底部具有隔离层。2.根据权利要求1所述的一种具有半导体器件的晶圆，其特征在于：所述沟槽底部为平面且宽度为60
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120μm。3.根据权利要求1所述的一种具有半导体器件的晶圆，其特征在于：所述隔离层的厚度为0.1
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1μm。4.根据权利要求1所述的一种具有半导体器件的晶圆，其特征在于：所述隔离层为两个且分置于所述沟槽底部两侧。5.根据权利要求4所述的一种具有半导体器件的晶圆，其特征在于：所述两个隔离层的宽度之和大于或等于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志东，郭德霄，何俊蕾，赵杰，王立阁，汪晓媛，刘成，叶念慈，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：