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本实用新型公开了一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件，晶圆包括分设于晶圆上的复数个半导体器件及分布于半导体器件周围的划片区域，半导体器件至少由衬底及其上依次形成的外延层、电极结构、金属互联结构组成，划片区域具有沟槽，沟槽开口方向位于金属互联...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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